【技术实现步骤摘要】
一种紫外封装器件
[0001]本技术涉及紫外LED封装
,特别涉及一种紫外封装器件。
技术介绍
[0002]紫外线(ultraviolet,简称UV)是电磁波谱中波长从100nm到400nm辐射的总称。发光二极管(LED)的封装技术极大的制约着其光提取效率。紫外LED应用于固化、油墨印刷、医疗、以及杀菌、消毒等领域,在现今的日常生活和工业用途中越来越广泛。
[0003]深紫外LED由于在空气消毒、水净化、生化检测和光通信领域的潜在应用,引起了人们的关注。然而,深紫外LED的低光提取效率仍然不能满足目前的应用要求。
[0004]上述内容仅用于辅助理解本申请的技术方案,并不代表承认上述内容是现有技术。
技术实现思路
[0005]本技术的主要目的是提供一种紫外封装器件,旨在提高深紫外的光提取效率。
[0006]为实现上述目的,本技术提出的一种紫外封装器件,所述紫外封装器件包括:基板;
[0007]内壳,所述内壳围设于所述基板,所述内壳的内表面贴合于所述基板的上表面,并于所述基板上表面形成安装凹槽;
[0008]外壳,所述外壳围设于所述基板与所述内壳,并贴合于所述内壳的上表面,以及
[0009]镜片,所述外壳于所述内壳的上方设有所述镜片,所述镜片将所述安装凹槽密封;
[0010]其中,紫外LED设于所述安装凹槽内,所述内壳与所述外壳由紫外反射材料形成。
[0011]可选地,所述安装凹槽的槽壁与所述紫外LED之间设有第一间隙;
[0012 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种紫外封装器件,其特征在于,所述紫外封装器件包括:基板(10);内壳(30),所述内壳(30)围设于所述基板(10),所述内壳(30)的内表面贴合于所述基板(10)的上表面,并于所述基板(10)上表面形成安装凹槽(31);外壳(50),所述外壳(50)围设于所述基板(10)与所述内壳(30),并贴合于所述内壳(30)的上表面,以及镜片(70),所述外壳(50)于所述内壳(30)的上方设有所述镜片(70),所述镜片(70)将所述安装凹槽(31)密封;其中,紫外LED(90)设于所述安装凹槽(31)内,所述内壳(30)与所述外壳(50)由紫外反射材料形成。2.如权利要求1所述的紫外封装器件,其特征在于,所述安装凹槽(31)的槽壁与所述紫外LED(90)之间设有第一间隙(32);所述安装凹槽(31)的槽壁包括靠近所述基板(10)的第一槽壁(311),和背离所述基板(10)的第二槽壁(313),所述第二槽壁(313)从安装凹槽(31)的槽底向槽口的方向延伸,并沿背离所述紫外LED(90)的方向倾斜;所述第一槽壁(311)与所述第二槽壁(313)表面设置有反射层。3.如权利要求2所述的紫外封装器件,其特征在于,所述第二槽壁(313)所在平面与基板(10)所在平面形成的夹角α为30度~75度;和/或,所述第一槽壁(311)从安装凹槽(31)的槽底向槽口的方向延伸,并沿背离所述紫外LED(90)的方向倾斜,所述第一槽壁(311)所在平面与基板(10)所在平面形成的夹角β为75度~90度;和/或,所述第二槽壁(313)上设置的所述反射层为镜面反射层或散射反射层;和/或,所述第一槽壁(311)上设置的所述反射层为散射反射层;和/或,所述紫外LED(90)通过连接层(91)设于所述基板(10),定义所述第一槽壁(311)的高度为H1,定义所述连接层(91)的高度为H2,定义所述紫外LED(90)的发光层(93)高度为H3,满足H2≤H1≤H3;和/或,定义所述第一槽壁(311)距离所述紫外LED(90)的间距为D1,满足0um<D1<50um;和/或,定义所述内壳(30)于所述基板(10)上的高度为H4,定义所述紫外LED(90)于所述基板(10)上的高度为H5,满足H4>H5;所述内壳(30)于所述基板(10)上的高度为H4,满足200um≤H4≤600um。4.如权利要求3所述的紫外封装器件,其特征在于,所述反射层的材质为BN纳米粒子材料,SiO2纳米粒子材料,ZrO纳米粒子材料,AlN纳米粒子材料,TiO2纳米粒子材料中的一种;或,形成所述内壳(30)与所述外壳(50)的紫外反射材料为聚四氟乙烯材质;或,所述基板(10)的材质为无机绝缘材质,所述镜片(70)的材质为深紫外透光材料;或,所述内壳(30)的上表面于所述基板(10)上表面还设有另一安装凹槽(35),所述另一安装凹槽(35)被贴合于所述内壳(30)上表面的所述外壳(50)覆盖,所述另一安装凹槽(35)内设有保护元件。5.如权利要求1所述的紫外封装器件,其特征在于,所述内壳(30)外周的一相...
【专利技术属性】
技术研发人员:李文博,孙钱,杨勇,张智聪,汤乐明,李光辉,王宏伟,
申请(专利权)人:广东中科半导体微纳制造技术研究院,
类型:新型
国别省市:
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