图像传感器制造技术

提供了一种图像传感器。该图像传感器包括传感器芯片以及传感器芯片上的逻辑芯片。传感器芯片包括第一基底、上接合层和第一布线层，逻辑芯片包括第二基底、下接合层和第二布线层。上接合层与下接合层彼此接触，其中，上接合层包括上介电层、上导电垫、上屏蔽结构及上布线线，并且下接合层包括下介电层、下导电垫、下屏蔽结构以及下布线线。上布线线、上导电垫和上屏蔽结构连接成一个主体，下布线线、下导电垫和下屏蔽结构连接成一个主体，上导电垫和下导电垫彼此叠置并接触，并且上布线线和下布线线彼此叠置并接触。线彼此叠置并接触。线彼此叠置并接触。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器
[0001]于2020年12月17日在韩国知识产权局提交的标题为“图像传感器”的第10
‑
2020
‑
0177711号韩国专利申请通过引用全部包含于此。


[0002]实施例涉及一种图像传感器。

技术介绍

[0003]图像传感器是将光学图像转换为电信号的半导体装置。计算机和通信产业的最新进展已经导致对各种消费电子装置(例如，数码相机、摄像机、PCS(个人通信系统)、游戏装置、安全相机、医用微型相机等)中的高性能图像传感器的强烈需求。图像传感器可以被分类为电荷耦合装置(CCD)类型和互补金属氧化物半导体(CMOS)类型。CMOS类型图像传感器缩写为CIS(CMOS图像传感器)。CIS可以包括多个二维地布置的像素，且每个像素包括将入射光转换为电信号的光电二极管。

技术实现思路

[0004]根据一些实施例，图像传感器可以包括顺序地堆叠的逻辑芯片和传感器芯片。传感器芯片可以包括第一基底、第一基底下方的上接合层以及第一基底与上接合层之间的第一布线层。逻辑芯片可以包括第二基底、第二基底上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，所述图像传感器包括：逻辑芯片，所述逻辑芯片包括：下基底；下接合层，在下基底上；以及下布线层，在下基底与下接合层之间，下接合层包括：下介电层；下导电垫和下屏蔽结构，下导电垫和下屏蔽结构中的每者穿透下介电层，下导电垫和下屏蔽结构彼此间隔开；以及下布线线，穿透下介电层并且将下导电垫连接到下屏蔽结构，下布线线、下导电垫和下屏蔽结构一体地连接成第一单个主体；以及传感器芯片，堆叠在逻辑芯片上，所述传感器芯片包括：上基底；上接合层，在上基底下方，上接合层与下接合层彼此接触，并且上接合层包括：上介电层；上导电垫和上屏蔽结构，上导电垫和上屏蔽结构中的每者穿透上介电层，上导电垫和上屏蔽结构彼此间隔开，以及上布线线，穿透上介电层并且将上导电垫连接到上屏蔽结构，上布线线、上导电垫和上屏蔽结构一体地连接成第二单个主体；以及上布线层，在上基底与上接合层之间，其中，上导电垫和下导电垫彼此叠置并且接触，并且上布线线和下布线线彼此叠置并且接触。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，上基底包括像素阵列区域和围绕像素阵列区域的光学黑色区域，上屏蔽结构和下屏蔽结构与像素阵列区域叠置，并且上导电垫、上布线线、下导电垫以及下布线线与光学黑色区域叠置。3.根据权利要求1或2所述的图像传感器，其中，上屏蔽结构和下屏蔽结构彼此接触。4.根据权利要求1或2所述的图像传感器，其中，上导电垫、上布线线、下导电垫和下布线线包括导电材料，并且其中，上屏蔽结构和下屏蔽结构包括介电材料。5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，上屏蔽结构包括沿着与上基底的顶表面平行的第一方向彼此间隔开的第一图案，每个第一图案具有沿着与上基底的顶表面平行并与第一方向交叉的第二方向的线性形状，下屏蔽结构包括沿着第二方向彼此间隔开的第二图案，每个第二图案具有沿着第一方向的线性形状，并且当在平面图中观看时，第一图案和第二图案彼此交叉以形成格子形状。6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，上屏蔽结构包括沿着与上基底的顶表面平行的第一方向彼此间隔开的第一图案，下屏蔽结构包括沿着第一方向彼此间隔开的第二图案，并且第一图案和第二图案中的每者具有沿着与上基底的顶表面平行的第二方向的线性形状，第二方向与第一方向交叉。7.根据权利要求6所述的图像传感器，其中，上屏蔽结构具有第一图案之间的第一间隙，下屏蔽结构具有第二图案之间的第二间隙，当在平面图中观看时，第一图案与对应的第二间隙叠置，并且
当在平面图中观看时，第二图案与第一间隙中的对应的第一间隙叠置。8.根据权利要求7所述的图像传感器，其中，第一图案在第一方向上具有第一宽度，第二图案在第一方向上具有第二宽度，第一图案之间的第一间隔小于第二宽度，并且第二图案之间的第二间隔小于第一宽度。9.根据权利要求7所述的图像传感器，其中，第一图案在第一方向上具有第一宽度，第二图案在第一方向上具有第二宽度，第一图案之间的第一间隔与第二宽度基本上相同，并且第二图案之间的第二间隔与第一宽度基本上相同。10.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，上屏蔽结构包括格子形的第一框架，格子形的第一框架具有由第一框架限定的第一孔，下屏蔽结构包括格子形的第二框架，格子形的第二框架具有由第二框架限定的第二孔，格子形的第一框架与第二孔叠置，并且格子形的第二框架与第一孔叠置。11.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，上屏蔽结构包括沿着第一方向和第二方向以Z字形图案布置的第一图案，第一方向和第二方向与上基底的顶表面平行，并且第二方向与第一方向交叉，下屏蔽结构包括沿着第一方向和第二方向以Z字形图案布置的第二图案，上屏蔽结构具有在第一图案之间的第一间隙，下屏蔽结构具有在第二图案之间的第二间隙，第一图案与对应的第二间隙叠置，并且第二图案与第一间隙中的对应的第一间隙叠置。12.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，上导电垫、上屏蔽结构、上布线线、下导电垫、下屏蔽结构和下布线线包括铜。13.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，上布线层包括与上接合层相邻的第一过孔，下布线层包括与下接合层相邻的第二过孔，第一过孔选择性地与上导电垫接触，并且既不与上屏蔽结构接触也不与上布线线接触，并且第二过孔选择性地与下导电垫接触，并且既不与下屏蔽结构接触也不与下布线线接触。14.一种图像传感器，所述图像传感器包括顺序地堆叠的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张东宁，金石镐，李应揆，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：