【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001][相关申请的交叉参考][0002]本申请享有以日本专利申请2020
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209831号(申请日：2020年12月18日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的所有内容。
[0003]实施方式主要涉及一种半导体装置。
技术介绍
[0004]沿垂直方向积层(stacked)着多个存储单元的三维型非易失性存储器中，随着积层数增加，变得难以确实地形成接点，所述接点连接于从存储单元延伸的配线。
技术实现思路
[0005]实施方式提供一种能够确实地形成接点的半导体装置。
[0006]实施方式的半导体装置包括：积层体，其包含第1积层部分及第2积层部分，所述第1积层部分在第1方向上相互分开地积层着多个第1导电层，且具有阶梯状的第1端部，所述第2积层部分设置在所述第1积层部分的上层侧，在所述第1方向上相互分开地积层着多个第2导电层，且具有阶梯状的第2端部；多个柱构造，分别包含半导体层，所述半导体层在所述积层体内沿所述第1方向延伸；第1终止绝缘层，覆盖...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于包括：积层体，包含第1积层部分及第2积层部分，所述第1积层部分在第1方向上相互分开地积层着多个第1导电层，且具有阶梯状的第1端部，所述第2积层部分设置在所述第1积层部分的上层侧，在所述第1方向上相互分开地积层着多个第2导电层，且具有阶梯状的第2端部；多个柱构造，分别包含半导体层，所述半导体层在所述积层体内沿所述第1方向延伸；第1终止绝缘层，覆盖所述第1端部的至少一部分；第2终止绝缘层，包含覆盖所述第2端部的覆盖部分、及从所述覆盖部分延伸的延伸部分，且与所述第1终止绝缘层隔开；以及第1接点，贯通所述第2终止绝缘层的所述延伸部分，连接于对应的所述第1导电层。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于还包括：第2接点，不贯通所述第2终止绝缘层，而是贯通所述第1终止绝缘层而连接于对应的所述第1导电层。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第1接点不贯通所述第1终止绝缘层而连接于所述对应的第1导电层。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：所述第1接点贯通所述第1终止绝缘层而连接于所述对应的第1导电层。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：所述第1终止绝缘层中，所述第1接点贯通的部分的厚度比所述第2接点贯通的部分的厚度薄。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第1及第2终止绝缘层包含硅及氮。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于还包括：第1下层绝缘层，设置在所述第1积层部分与所述第1终止绝缘层之间，由与所述第1及第2终止绝缘层的材料不同的材料形成；且所述第1接点贯通所述第1下层绝缘层。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于还包括：第2下层绝缘层，由与所述第1及第2终止绝缘层的材料不同的材料形成，且包含：第1部分，设置在所述第2积层部分与所述第2终止绝缘层的所述覆盖部分之间；及第2部分，从所述第1部分延伸到所述第2终止绝缘层的所述延伸部分的下方区域；且所述第1接点贯通所述第2下层绝缘层的所述第2部分。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述积层体还包含中间部分，所述中间部分由与所述第1及第2终止绝缘层的材料不同的材料形成；所述中间部分包含：第1部分，设置在所述第1积层部分与所述第2积层部分之间；及第2部分，从所述第1部分延伸到所述第2终止绝缘层的所述延伸部分的下方区域；且所述第1接点贯通所述中间部分的所述第2部分。10.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于还包括：第1层间绝缘层，覆盖所述第1终止绝缘层的至少一部分，且由与所述第1及第2终止绝
缘层的材料不同的材料形成；以及第2层间绝缘层，覆盖所述第2终止绝缘层，且由与所述第1及第2终止绝缘层的材料不同的材料形成；且所述第2接点贯通所述第1及第2层间绝缘层。11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于还包括：第3接点，贯通所述第2终止绝缘层而连接于对应的所述第2导电层。12.根据权利要求11所述的半导体装置...
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