一种二次谐波表征半导体材料的方法及测量平台技术

本发明专利技术公开了一种二次谐波表征半导体材料的方法及测量平台，方法包括：将初始光束分束为计量光束和工作光束；采用所述工作光束照射所述半导体材料获得表征所述半导体材料的二次谐波信号；采用监测所述计量光束获得的波动数据，修正所述二次谐波信号，以修正后的所述二次谐波信号作为所述半导体材料的表征信号。本发明专利技术提供的方法及测量平台用以解决现有激光器输出光束的功率产生波动，影响SHG信号的稳定性，进而影响后续半导体材料的缺陷参数提取的精确性的技术问题。实现了提高SHG信号的稳定性的技术效果。的稳定性的技术效果。的稳定性的技术效果。

【技术实现步骤摘要】
一种二次谐波表征半导体材料的方法及测量平台


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种二次谐波表征半导体材料的方法及测量平台。

技术介绍

[0002]采用二次谐波(SHG)，利用高能激光与材料间相互作用的非线性效应在半导体材料表征领域取得了大量进展。
[0003]但是，在利用SHG进行半导体材料的缺陷表征时，由于激光器的注入电流波动、激光器工作温度的变化、外部震动引起的激光器谐振腔形状改变等因素都会导致激光器输出光束的功率产生波动，这会影响SHG信号的稳定性，并且影响后续半导体材料的缺陷参数提取的精确性。

技术实现思路

[0004]鉴于上述问题，提出了本专利技术以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的二次谐波表征半导体材料的方法及测量平台。
[0005]第一方面，提供一种二次谐波表征半导体材料的方法，包括：
[0006]将初始光束分束为计量光束和工作光束；
[0007]采用所述工作光束照射所述半导体材料获得表征所述半导体材料的二次谐波信号；
[0008]采用监测所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种二次谐波表征半导体材料的方法，其特征在于，包括：将初始光束分束为计量光束和工作光束；采用所述工作光束照射所述半导体材料获得表征所述半导体材料的二次谐波信号；采用监测所述计量光束获得的波动数据，修正所述二次谐波信号，以修正后的所述二次谐波信号作为所述半导体材料的表征信号。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述计量光束和所述工作光束的功率比为1:9。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述波动数据为功率波动数据。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述初始光束为激光基波光束。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用监测所述计量光束获得的波动数据，修正所述二次谐波信号，包括：将所述波动数据与所述二次谐波信号按时间对齐，以相互对齐的时间点处的所述波动数据修正对应的所述二次谐波信号。6.一种二次谐波表征测量平台，其特征在于，包括：激光器、分束器、监测单元、探测器和样品台；所述激光器用于发出初始光束；所述分束器用于将所述初始光束分束为计量光束和工作光束；所述探测器用于收集所述工作光束照射所述样品台上放置的半导体材料后，反射出的...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵泓达，李博，王磊，王然，张紫辰，张昆鹏，罗家俊，滕瑞，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：