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本发明公开了一种二次谐波表征半导体材料的方法及测量平台，方法包括：将初始光束分束为计量光束和工作光束；采用所述工作光束照射所述半导体材料获得表征所述半导体材料的二次谐波信号；采用监测所述计量光束获得的波动数据，修正所述二次谐波信号，以修正后...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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