光学同调断层扫描探头制造技术

本发明专利技术公开一种光学同调断层扫描探头，包含管状罩体、至少一电极、光纤扫描器以及辅助定位元件。电极设置于管状罩体的外表面。光纤扫描器设置于管状罩体内，且光纤扫描器包含光纤以及光学镜。光学镜设置于光纤的发光端，且光学镜的位置对应于管状罩体的可透光部位。辅助定位元件设置于管状罩体，且辅助定位元件与部分的可透光部位重叠。光纤扫描器发出的一光束行进通过可透光部位以产生断层扫描影像，且该光束的一部分与辅助定位元件互动而于断层扫描影像中形成对应辅助定位元件的特征点。扫描影像中形成对应辅助定位元件的特征点。扫描影像中形成对应辅助定位元件的特征点。

【技术实现步骤摘要】
光学同调断层扫描探头


[0001]本专利技术涉及一种光学同调断层扫描探头。

技术介绍

[0002]随着医疗技术的发展，巴金森氏病的治疗已从病程初期服用左多巴胺药物，到中后期也可以通过外科手术来调控大脑回路的运作，来弥补药物治疗的限制与副作用。脑深层刺激术(Deep Brain Stimulation，DBS)是目前针对巴金森氏病的主要外科手术疗法。脑深层刺激术的原理是通过植入细长的刺激电极至深脑中的视丘下核(Subthalamic nucleus，STN)或苍白球内核(Globus pallidus internal)，借着电流刺激来导正神经传导回路异常，而达到运动障碍症状的控制与病患运动功能的改善。
[0003]脑深层刺激术流程可以分成两个阶段：(1)术前脑部定位阶段以及(2)术中电极植入阶段。在术前脑部定位阶段时，会先针对病患头部进行磁振造影(MRI)扫描进行手术路径规划，另外在术中于病患头顶开洞后根据所规划路径插入电生理记录(MER)电极探针侦测脑细胞放电生理信号来确认手术目标物的最终置放位置。在术中电极植入阶段时，将永久性DBS刺激电极(DBS lead)根据上述所决定的置放位置植入至手术目标物中。
[0004]现有的脑深层刺激术在脑部定位阶段面临了定位不精确的问题。虽然磁振造影以及脑细胞电生理记录可以帮助确认手术目标物的位置，但由于目标物(视丘下核或苍白球内侧核)尺寸微小，医师根据磁振造影影像识别目标物的难度很高。同时手术中因脑脊髓液溢漏及脑压改变导致不可避免的脑位移(Brain Shift)也会使得目标物的位置改变。此外，脑细胞电生理记录仅能提供一维空间位置信息(例如沿着电极针插入方向的空间位置信息)，无法获得三维空间位置信息，这导致医师虽然可以根据脑细胞电生理记录确认电极针尖所在位置，但仍难以确认电极针在目标物中的相对空间位置以及电极端是否如预期到达定位，这导致医师缺乏信息作为后续调整路径的参考。

技术实现思路

[0005]鉴于以上问题，有必要对脑深层刺激术的脑部定位方式进行改良。本专利技术揭露一种适用于脑深层刺激术的光学同调断层扫描探头，有助于解决手术前无法精确定位目标物或手术中无法精确得知电极位置的问题。
[0006]本专利技术所揭露的光学同调断层扫描探头包含一管状罩体、至少一电极、一光纤扫描器以及一辅助定位元件。电极设置于管状罩体的一外表面。光纤扫描器设置于管状罩体内，且光纤扫描器包含一光纤以及一光学镜。光学镜设置于光纤的一发光端，且光学镜的位置对应于管状罩体的一可透光部位。辅助定位元件设置于管状罩体，且辅助定位元件与部分的可透光部位重叠。光纤扫描器发出的一光束行进通过可透光部位以产生一断层扫描影像，且光束的一部分与辅助定位元件互动而于断层扫描影像中形成对应辅助定位元件的一特征点。
[0007]根据本专利技术所揭露的光学同调断层扫描探头，辅助定位元件与可透光部位重叠，
因此光纤扫描器发出的光束在通过可透光部位时会被辅助定位元件遮挡或反射，进而于断层扫描影像中形成特征点(暗区或亮区)。根据特征点可以判断光学同调断层扫描探头与手术目标物的相对位置关系，而能精确定位目标物位置或是确保电极植入目标物中心区域，若有偏差，医师则可根据断层扫描影像来重新调整电极植入路径，有助于提升DBS手术的治疗效果。
[0008]以上的关于本
技术实现思路
的说明及以下的实施方式的说明是用以示范与解释本专利技术的精神与原理，并且提供本专利技术的权利要求更进一步的解释。
附图说明
[0009]图1为本专利技术第一实施例的光学同调断层扫描探头的示意图；
[0010]图2为本专利技术第二实施例的光学同调断层扫描探头的示意图；
[0011]图3为本专利技术第三实施例的光学同调断层扫描探头的示意图；
[0012]图4为本专利技术第四实施例的光学同调断层扫描探头的示意图；
[0013]图5为本专利技术第五实施例的光学同调断层扫描探头的示意图；
[0014]图6为本专利技术第六实施例的光学同调断层扫描探头的示意图；
[0015]图7为本专利技术第七实施例的光学同调断层扫描探头的示意图；
[0016]图8为图3的光学同调断层扫描探头用于确认手术目标物位置的示意图；
[0017]图9为图2的光学同调断层扫描探头用于植入电极的位置的示意图；
[0018]图10为图9的光学同调断层扫描探头所生成的断层扫描影像的示意图。
[0019]符号说明
[0020]1a、1b、1c、1d、1e、1f、1g.....光学同调断层扫描探头
[0021]10、10b、10c、10e.....管状罩体
[0022]110、110b.....可透光部位
[0023]110c.....第一可透光部位
[0024]110c
’
.....第二可透光部位
[0025]120.....不透光部位
[0026]130.....锥状末端
[0027]20、20d、20e、20f、20g.....电极
[0028]210f.....第一电极
[0029]220f.....第二电极
[0030]210g.....第一电极
[0031]220g.....第二电极
[0032]30、30b、30c.....光纤扫描器
[0033]310.....基座
[0034]320.....光纤
[0035]321.....发光端
[0036]330a、330b、330c.....光学镜
[0037]40、40c、40d、40e、40f、40g.....辅助定位元件
[0038]410c、410d、410f、410g.....第一定位单元
[0039]420c、420d、420f、420g.....第二定位单元
[0040]50.....指示元件
[0041]510.....标记
[0042]O.....目标物
[0043]L1.....第一子光束
[0044]L2.....第二子光束
[0045]D.....暗区
具体实施方式
[0046]以下在实施方式中详细叙述本专利技术的实施例，其足以使任何熟悉相关技术者了解本专利技术的
技术实现思路
并据以实施。以下的实施例进一步详细说明本专利技术的观点，但非以任何观点限制本专利技术的范畴。
[0047]根据本专利技术的一实施例，光学同调断层扫描探头包含管状罩体、电极、光纤扫描器以及辅助定位元件。请参照图1，为根据本专利技术第一实施例的光学同调断层扫描探头的示意图。在本实施例中，光学同调断层扫描探头1a包含一管状罩体10、一电极20、一光纤扫描器30以及一辅助定位元件40。
[0048]管状罩体10例如为玻璃管，其包含一可透光部位110和不透光部位120，但本专利技术并不以此为限。在其他实施例中，管状罩体10的整体可以由透光材质(例如玻璃)制成，也就是说管状罩体10的任意部位本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光学同调断层扫描探头，其特征在于，包含：管状罩体；至少一电极，设置于该管状罩体的外表面；光纤扫描器，设置于该管状罩体内，该光纤扫描器包含光纤以及光学镜，该光学镜设置于该光纤的发光端，且该光学镜的位置对应于该管状罩体的可透光部位；以及辅助定位元件，设置于该管状罩体，且该辅助定位元件与部分的该可透光部位重叠；其中，该光纤扫描器发出的光束行进通过该可透光部位以产生断层扫描影像，且该光束的一部分与该辅助定位元件互动而在该断层扫描影像中形成对应该辅助定位元件的特征点。2.如权利要求1所述的光学同调断层扫描探头，其中该特征点为该断层扫描影像中的暗区，且该光束与该辅助定位元件互动是指该光束被该辅助定位元件遮挡。3.如权利要求1所述的光学同调断层扫描探头，其中该特征点为该断层扫描影像中的亮区，且该光束与该辅助定位元件互动是指该光束被该辅助定位元件反射。4.如权利要求1所述的光学同调断层扫描探头，其中该光纤扫描器还包含基座，该光纤设置于该基座，该基座可转动地设置于该管状罩体内而带动该光纤一并转动。5.如权利要求1所述的光学同调断层扫描探头，其中该光纤扫描器还包含基座，该光纤以可相对于该基座旋转的方式设置于该基座中。6.如权利要求1所述的光学同调断层扫描探头，其中该辅助定位元件为导线，且该导线与该至少一电极电连接。7.如权利要求1所述的光学同调断层扫描探头，其中该至少一电极包含设置于该管状罩体的该外表面的环状电极圈。8.如权利要求1所述的光学同调断层扫描探头，其中该至少一电极设置于该管状罩体的半球状封闭末端，该至少一电极为针尖自该管状罩体的该外表面突出。9.如权利要求1所述的光学同调断层扫描探头，还包含设置于该管状罩体的该外表面的指示元件，且该指示元件具有方向对应于该辅助定位元件的标记。1...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱德义，陈凯翔，张启伸，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：