一种半导体元件的刻蚀设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体元件的刻蚀设备，包括：箱体；凹槽，所述凹槽置于箱体内部且上端开口；搅拌装置，所述搅拌装置设置在凹槽底部内壁上；支撑柱，所述支撑柱底端固定连接在箱体上端面；滑轨，所述滑轨垂直设置在支撑柱上；悬臂，所述悬臂水平设置，悬臂一端滑动连接在滑轨内；壳体，所述壳体固定连接在悬臂低端；转盘，所述转盘转动连接设置在壳体内部；夹持装置，所述夹持装置连接在转盘底部。本实用新型专利技术与现有技术相比的优点在于：设有搅拌装置、滑轨、悬臂、壳体、转盘、夹持装置，将半导体进行旋转下移至凹槽内，同时电机一带动搅拌叶片对凹槽内的刻蚀液进行转动，能够使得刻蚀液与半导体充分接触浸泡进行化学反应，提升了刻蚀速度。蚀速度。蚀速度。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体元件的刻蚀设备


[0001]本技术涉及半导体生产
，具体是指一种半导体元件的刻蚀设备。

技术介绍

[0002]半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，半导体的重要性都是非常巨大的，半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，半导体产品在生产过程中需要进行蚀刻加工，通常使用半导体产品生产用蚀刻加工设备进行加工。
[0003]然而传统的半导体产品生产用蚀刻加工设备在使用过程中半导体产品与刻蚀液静置反应，反应速度慢、效率低，不便于提升反应速度。因此，亟待研究一种半导体元件的刻蚀设备来解决上述提出的问题。

技术实现思路

[0004]本技术要解决的技术问题就是克服以上的技术缺陷，提供一种半导体元件的刻蚀设备。
[0005]为解决上述技术问题，本技术提供的技术方案为：一种半导体元件的刻蚀设备，包括：箱体；
[0006]凹槽，所述凹槽置于箱体内部且上端开口；
[0007]搅拌装置，所述搅拌装置设置在凹槽底部内壁上；
[0008]支撑柱，所述支撑柱底端固定连接在箱体上端面；
[0009]滑轨，所述滑轨垂直设置在支撑柱上；
[0010]悬臂，所述悬臂水平设置，悬臂一端滑动连接在滑轨内；
[0011]壳体，所述壳体固定连接在悬臂低端；
[0012]转盘，所述转盘转动连接设置在壳体内部；
[0013]夹持装置，所述夹持装置连接在转盘底部。
[0014]进一步的，所述搅拌装置包括电机一、搅拌叶片、轴承，所述电机一设置在凹槽下方，电机一输出端贯穿凹槽与搅拌叶片相连接，所述轴承套接在电机一输出端外侧，轴承置于凹槽下方。
[0015]进一步的，所述凹槽内壁上设有保护壳体，所述保护壳体设置在电机一输出端外侧。
[0016]进一步的，所述夹持装置包括伸缩电机、第一夹持体、第二夹持体，所述伸缩电机输出端与第一夹持体固定连接，所述第二夹持体、伸缩电机均连接设置在转盘底部，所述第一夹持体设置在转盘下方。
[0017]进一步的，所述转盘上设有放置架，所述伸缩电机置于放置架内。
[0018]进一步的，所述转盘上连接设有转轴，所述转轴向上连接设有电机二，所述电机二置于壳体内壁上，所述转轴上套接设有止推轴承。
[0019]本技术与现有技术相比的优点在于：设有搅拌装置、滑轨、悬臂、壳体、转盘、夹持装置，将半导体进行旋转下移至凹槽内，同时电机一带动搅拌叶片对凹槽内的刻蚀液进行转动，能够使得刻蚀液与半导体充分接触浸泡进行化学反应，提升了刻蚀速度。
附图说明
[0020]图1是本技术一种半导体元件的刻蚀设备的剖面结构示意图。
[0021]如图所示：1、箱体；2、凹槽；3、放置架；4、支撑柱；5、滑轨；6、悬臂；7、壳体；8、转盘；9、止推轴承；10、电机一；11、搅拌叶片；12、轴承；13、保护壳体；14、伸缩电机；15、第一夹持体；16、第二夹持体；17、转轴；18、电机二。
具体实施方式
[0022]下面结合附图来进一步说明本技术的具体实施方式。其中相同的零部件用相同的附图标记表示。
[0023]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
[0024]结合附图1，一种半导体元件的刻蚀设备，包括：箱体1；
[0025]凹槽2，所述凹槽2置于箱体1内部且上端开口；
[0026]搅拌装置，所述搅拌装置设置在凹槽2底部内壁上，所述搅拌装置包括电机一10、搅拌叶片11、轴承12，所述电机一10设置在凹槽2下方，电机一10输出端贯穿凹槽2与搅拌叶片11相连接，所述轴承12套接在电机一10输出端外侧，轴承12置于凹槽2下方，所述凹槽2内壁上设有保护壳体137，所述保护壳体137设置在电机一10输出端外侧。
[0027]支撑柱4，所述支撑柱4底端固定连接在箱体1上端面；
[0028]滑轨5，所述滑轨5垂直设置在支撑柱4上；
[0029]悬臂6，所述悬臂6水平设置，悬臂6一端滑动连接在滑轨5内；
[0030]壳体7，所述壳体7固定连接在悬臂6低端；
[0031]转盘8，所述转盘8转动连接设置在壳体7内部，所述转盘8上连接设有转轴17，所述转轴17向上连接设有电机二18，所述电机二18置于壳体7内壁上，所述转轴17上套接设有止推轴承129，转盘8上设有放置架3，所述伸缩电机14置于放置架3内。
[0032]夹持装置，所述夹持装置连接在转盘8底部，所述夹持装置包括伸缩电机14、第一夹持体15、第二夹持体16，第一夹持体15、第二夹持体16内侧均设有用于限制半导体的隔板，所述伸缩电机14输出端与第一夹持体15固定连接，所述第二夹持体16、伸缩电机14均连接设置在转盘8底部，所述第一夹持体15设置在转盘8下方。
[0033]转盘8的旋转方向与搅拌叶片11的旋转方向相反，能够使得刻蚀液与半导体充分
接触浸泡进行化学反应。
[0034]工作原理：本技术在具体实施时，悬臂6在滑轨5上垂直下移，伸缩电机14带动第一夹持体15向第二夹持体16方向靠近，从而对半导体进行稳定夹持，电机二18驱动转轴17旋转，转轴17带动转盘8旋转，半导体在凹槽2内部旋转，同时电机一10驱动搅拌叶片11转动，半导体与刻蚀液进行充分反应。
[0035]以上对本技术及其实施方式进行了描述，这种描述没有限制性，具体实施方式中所示的也只是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例，实际的结构并不局限于此。总而言之如果本领域的普通技术人员受其启示，在不脱离本技术创造宗旨的情况下，不经创造性的设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例，均应属于本技术的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件的刻蚀设备，其特征在于，包括：箱体；凹槽，所述凹槽置于箱体内部且上端开口；搅拌装置，所述搅拌装置设置在凹槽底部内壁上；支撑柱，所述支撑柱底端固定连接在箱体上端面；滑轨，所述滑轨垂直设置在支撑柱上；悬臂，所述悬臂水平设置，悬臂一端滑动连接在滑轨内；壳体，所述壳体固定连接在悬臂低端；转盘，所述转盘转动连接设置在壳体内部；夹持装置，所述夹持装置连接在转盘底部。2.根据权利要求1所述的一种半导体元件的刻蚀设备，其特征在于，所述搅拌装置包括电机一、搅拌叶片、轴承，所述电机一设置在凹槽下方，电机一输出端贯穿凹槽与搅拌叶片相连接，所述轴承套接在电机一输出端外侧，轴承置于凹槽下方。3.根据权利要求2所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵叶，毛宇辰，
申请(专利权)人：西安寰微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：