用于先进集成电路结构制造的具有锥变栅极或沟槽接触部的有源栅极上接触结构制造技术

描述了具有锥变栅极或沟槽接触部的有源栅极上接触(COAG)结构。在示例中，一种集成电路结构包括在衬底上方的多个栅极结构，其中，多个栅极结构中的各个栅极结构上具有在侧壁间隔体之间的导电帽盖。多个导电沟槽接触结构与多个栅极结构交替，其中，多个导电沟槽接触结构中的各个导电沟槽接触结构上具有在侧壁间隔体之间的导电帽盖。导电结构与在多个栅极结构中的一个栅极结构上的导电帽盖和侧壁间隔体或者与在多个导电沟槽接触结构中的一个导电沟槽接触结构上的导电帽盖和侧壁间隔体直接接触。直接接触。直接接触。

【技术实现步骤摘要】
用于先进集成电路结构制造的具有锥变栅极或沟槽接触部的有源栅极上接触结构


[0001]本公开的实施例属于先进集成电路结构制造领域，并且更特别地，属于具有锥变(tapered)栅极或沟槽接触部的有源栅极上接触(contact over active gate，COAG)结构。

技术介绍

[0002]在过去的几十年里，集成电路中特征的缩放已经成为不断增长的半导体工业背后的驱动力。缩放到越来越小的特征使得能够在半导体芯片的有限占地面积上增加功能单元的密度。例如，缩小晶体管尺寸允许在芯片上并入更多数量的存储器或逻辑器件，从而有助于制造具有增加容量的产品。然而，对越来越大容量的驱动并不是没有问题。优化每个器件的性能的必要性变得日益重要。
[0003]常规和当前已知的制造工艺中的变化性可能会限制将它们进一步扩展到10纳米节点或亚10纳米节点范围的可能性。因此，未来技术节点所需的功能部件的制造可能要求在当前制造工艺中引入新方法或整合新技术，或者用其取代当前制造工艺。
[0004]在集成电路器件的制造中，随着器件尺寸持续按比例缩小，多栅极晶体管(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路结构，包括：在衬底上方的多个栅极结构，其中，所述多个栅极结构中的各个栅极结构上具有在侧壁间隔体之间的导电帽盖；与所述多个栅极结构交替的多个导电沟槽接触结构，其中，所述多个导电沟槽接触结构中的各个导电沟槽接触结构上具有在侧壁间隔体之间的导电帽盖；在所述多个栅极结构之上并且在所述多个导电沟槽接触结构之上的蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层之上的层间电介质材料；在所述层间电介质材料中并且在所述蚀刻停止层中的开口，所述开口暴露所述多个栅极结构中的一个栅极结构上的所述导电帽盖和所述侧壁间隔体；以及在所述开口中的导电结构，所述导电结构与在所述多个栅极结构中的所述一个栅极结构上的所述导电帽盖和所述侧壁间隔体直接接触。2.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括沿所述多个栅极结构中的所述一个栅极结构的侧面的电介质间隔体，其中，所述开口暴露所述电介质间隔体的一部分。3.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，还包括所述蚀刻停止层的在所述导电结构与所述导电帽盖之间的残余部分。4.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述导电结构具有与所述层间电介质材料的最上表面共平面的最上表面。5.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述蚀刻停止层包括铝和氧，并且所述侧壁间隔体包括硅和氮。6.一种集成电路结构，包括：在衬底上方的多个栅极结构，其中，所述多个栅极结构中的各个栅极结构上具有在侧壁间隔体之间的导电帽盖；与所述多个栅极结构交替的多个导电沟槽接触结构，其中，所述多个导电沟槽接触结构中的各个导电沟槽接触结构上具有在侧壁间隔体之间的导电帽盖；在所述多个栅极结构之上并且在所述多个导电沟槽接触结构之上的蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层之上的层间电介质材料；在所述层间电介质材料中并且在所述蚀刻停止层中的开口，所述开口暴露所述多个导电沟槽接触结构中的一个导电沟槽接触结构上的所述导电帽盖和所述侧壁间隔体；以及在所述开口中的导电结构，所述导电结构与在所述导电沟槽接触结构中的所述一个导电沟槽接触结构上的所述导电帽盖和所述侧壁间隔体直接接触。7.根据权利要求6所述的集成电路结构，还包括沿所述多个导电沟槽接触结构中的所述一个导电沟槽接触结构的侧面的电介质间隔体，其中，所述开口暴露所述电介质间隔体的一部分。8.根据权利要求6或7所述的集成电路结构，还包括所述蚀刻停止层的在所述导电结构与所述导电帽盖之间的残余部分。9.根据权利要求6或7所述的集成电路结构，其中，所述导电结构具有与所述层间电介质材料的最上表面共平面的最上表面。10.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：C，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：