具有自对准沟道的宽带隙半导体器件及集成方案制造技术

本发明专利技术涉及具有自对准沟道的宽带隙半导体器件及集成方案。提供了一种半导体器件。该半导体器件包括具有宽带隙半导体材料的衬底和布置在衬底的第一表面上方的外延层。具有第一导电类型的源极区可以布置在外延层中。具有第二导电类型的阱区可以与源极区横向相邻。第一导电类型可以不同于第二导电类型。栅极电介质层可以布置在阱区上方。场电介质层可以布置在与阱区相邻的外延层上方。在与阱区相邻的外延层上方。在与阱区相邻的外延层上方。

【技术实现步骤摘要】
具有自对准沟道的宽带隙半导体器件及集成方案


[0001]所公开的实施例一般地涉及宽带隙半导体器件，更具体地涉及具有低电阻和高击穿电压的自对准沟道的宽带隙半导体器件。

技术介绍

[0002]诸如碳化硅(SiC)的宽带隙半导体材料使器件能够在比诸如硅(Si)和砷化镓(GaAs)的常规半导体材料更高的电压、频率和温度下工作。例如，碳化硅有可能在诸如功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)等应用中取代硅。碳化硅功率MOSFET与硅器件相比具有显著优势，包括更快的切换速度、更低的比导通电阻和更低的功率损耗。
[0003]在器件工作期间，可以在与源极相邻的栅电极下方的阱区中形成沟道。制造碳化硅功率MOSFET的挑战之一是提供一致的沟道长度。在源极区和阱区形成期间掩模未对准将导致不一致的沟道长度，从而增加导通电阻并影响器件性能。因此，需要克服上述挑战。

技术实现思路
：
[0004]在本公开的一方面，提供了一种结构。所述结构包括具有宽带隙半导体材料的衬底以及布置在所述衬底的第一表面上方的外延层。具有第一导电类型的源极区可以布置在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种结构，包括：具有宽带隙半导体材料的衬底；位于所述衬底的第一表面上方的外延层；位于所述外延层中的具有第一导电类型的源极区；与所述源极区横向相邻的具有第二导电类型的阱区，其中所述第二导电类型不同于所述第一导电类型；位于所述阱区上方的栅极电介质层；以及位于与所述阱区相邻的所述外延层上方的场电介质层。2.根据权利要求1所述的结构，其中所述阱区围绕所述源极区。3.根据权利要求1所述的结构，其中所述栅极电介质层比所述场电介质层薄。4.根据权利要求1所述的结构，还包括：位于所述栅极电介质层和所述场电介质层上方的栅电极。5.根据权利要求4所述的结构，还包括：位于所述源极区和所述栅电极上方的层间电介质(ILD)层。6.根据权利要求5所述的结构，还包括：位于所述源极区上方的第一接触柱，其中所述第一接触柱位于所述层间电介质层中。7.根据权利要求6所述的结构，还包括：位于所述阱区中的具有第二导电类型的阱接触区。8.根据权利要求7所述的结构，还包括：位于所述阱接触区上方的第二接触柱。9.根据权利要求8所述的结构，还包括：位于所述第一接触柱和所述第二接触柱上方的金属化层。10.根据权利要求1所述的结构，其中所述宽带隙半导体材料包括碳化硅(SiC)。11.根据权利要求1所述的结构，还包括：位于所述衬底的与所述第一表面相反的第二表面之上的漏极区。12.一种结构，包括：具有宽带隙半导体材料的衬底；位于所述衬底的...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑楚书，H，
申请(专利权)人：格芯新加坡私人有限公司，
类型：发明
国别省市：