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本发明涉及具有自对准沟道的宽带隙半导体器件及集成方案。提供了一种半导体器件。该半导体器件包括具有宽带隙半导体材料的衬底和布置在衬底的第一表面上方的外延层。具有第一导电类型的源极区可以布置在外延层中。具有第二导电类型的阱区可以与源极区横向相邻...
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