用于量子点装置的横向栅极材料布置制造方法及图纸

本文公开了用于量子点装置的横向栅极材料布置，以及相关的计算装置和方法。例如，在一些实施例中，量子点装置可以包括：量子阱堆叠体；以及在量子阱堆叠体上方的栅极，其中栅极包括栅电极，栅电极包括靠近栅极的侧面的第一材料和靠近栅极的中心的第二材料，并且第一材料具有与第二材料不同的材料成分。料具有与第二材料不同的材料成分。料具有与第二材料不同的材料成分。

【技术实现步骤摘要】
用于量子点装置的横向栅极材料布置

技术介绍

[0001]量子计算是指与使用量子力学现象操纵数据的计算系统相关的研究领域。诸如叠加(其中量子变量可以同时以多种不同的状态存在)和纠缠(其中多个量子变量具有相关的状态，而不管它们之间在空间或时间上的距离如何)的这些量子力学现象在经典计算世界没有类似物，并且因此不能用经典计算装置来实施。
附图说明
[0002]通过以下结合附图的详细描述将容易地理解实施例。为了便于描述，类似的附图标记表示类似的结构元件。在附图的图中通过示例而非限制的方式示出了实施例。
[0003]图1
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3是根据各种实施例的量子点装置的截面图。
[0004]图4
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37示出了根据各种实施例的量子点装置的制造中的各种示例性阶段。
[0005]图38
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40是根据各种实施例的另一量子点装置的截面图。
[0006]图41
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43是根据各种实施例的可以用于量子点装置中的示例性量子阱堆叠体和衬底的截面图。
[0007]图44<br/>‑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点装置，包括：量子阱堆叠体；以及所述量子阱堆叠体上方的栅极，其中，所述栅极包括栅电极，所述栅电极包括靠近所述栅极的侧面的第一材料和靠近所述栅极的中心的第二材料，并且所述第一材料具有与所述第二材料不同的材料成分。2.根据权利要求1所述的量子点装置，其中，所述第一材料具有与所述第二材料不同的导电类型。3.根据权利要求1所述的量子点装置，其中，所述第一材料和所述第二材料中的一种包括p型材料，并且所述第一材料和所述第二材料中的另一种包括n型材料。4.根据权利要求3所述的量子点装置，其中，所述p型材料包括钨、钛和氮、或钯。5.根据权利要求3所述的量子点装置，其中，所述n型材料包括铝、铜、锆或铪。6.根据权利要求1
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5中任一项所述的量子点装置，其中，所述第一材料具有介于2纳米与5纳米之间的厚度。7.根据权利要求1
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5中任一项所述的量子点装置，其中，所述栅极包括栅极电介质，并且所述第一材料的一部分在所述第二材料与所述栅极电介质之间。8.根据权利要求1
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5中任一项所述的量子点装置，其中，所述栅极包括栅极电介质，并且所述第一材料的一部分不在所述第二材料与所述栅极电介质之间。9.一种量子点装置，包括：量子阱堆叠体；所述量子阱堆叠体上方的第一栅极；所述量子阱堆叠体上方的第二栅极；以及所述量子阱堆叠体上方的第三栅极；其中，所述第二栅极包括第一栅电极材料和不同于所述第一栅电极材料的第二栅电极材料，所述第一栅电极材料在所述第二栅电极材料与所述第一栅极之间，并且所述第一栅电极材料在所述第二栅电极材料与所述第三栅极之间。10.根据权利要求9所述的量子点装置，其中，所述第二栅极与所述第一栅极相邻并且通过绝缘材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：R，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：