温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

描述了具有锥变栅极或沟槽接触部的有源栅极上接触(COAG)结构。在示例中，一种集成电路结构包括在衬底上方的多个栅极结构，其中，多个栅极结构中的各个栅极结构上具有在侧壁间隔体之间的导电帽盖。多个导电沟槽接触结构与多个栅极结构交替，其中，多个导...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。