热活化延迟荧光半导体材料及其制备方法与应用技术

本发明专利技术提供了一种热活化延迟荧光半导体材料及其制备方法与应用，所述半导体材料结构如通式所示X是N或氰基取代的次甲基，D1和D2至少一个取自二芳基氨基、芳基桥联的二芳基氨基、9

【技术实现步骤摘要】
热活化延迟荧光半导体材料及其制备方法与应用


[0001]本专利技术属于有机光电半导体
，具体涉及一种热活化延迟荧光半导体材料及其制备方法与应用。

技术介绍

[0002]有机半导体材料具有结构可涉及性强、可溶液加工以及可加工在柔性衬底上等优点，已成为新一代电子信息材料的主体，在有机发光二极管、有机场效应晶体管、有机太阳电池、钙钛矿太阳电池、光电探测器和生物传感与诊疗等领域获得广泛关注和应用。研究开发一种新型高效的有机共轭半导体材料必将在电子产业中产生广阔的市场前景。有机发光材料在所有共轭有机半导体材料中占重要的地位。
[0003]2012年，以热活化延迟荧光(TADF)材料替代以往的有机和磷光配合物作为发光主体，一方面可以避免使用昂贵的金属元素，另一方面激子可以同时进入TADF分子的S1和T1激发态，进入T1激发态的激子通过反系间窜越回到TADF分子的S1，分别以PF和DF的方式辐射发光。因此，基于TADF的OLED器件能够获得100％的内量子效率。目前为止，基于TADF发光体的OLED器件，在天蓝光(39％)，绿光(35％)和红光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.热活化延迟荧光半导体材料，其特征在于：其结构如下述通式(I)所述的化合物：其中，X＝N或氰基取代的次甲基，Ar1和Ar2各自独立选自取代或未取代C6
‑
C30的芳基、取代或未取代的C3
‑
C30的杂芳基，虚线表示环Ar1和环Ar2可以相连，也可以不相连；D1和D2至少一个取自其中，L1选自单键、取代或未取代C6
‑
C30的芳基、取代或未取代的C3
‑
C30的杂芳基；Ar3，Ar4各自独立选自取代或未取代的芳基和取代或未取代的杂芳基，Ar3，Ar4彼此不连接，或Ar1和Ar2与其相连的N构成含氮杂环；R
11
、R
12
、R
21
和R
22
各自独立的取自氘、氟、氰基、取代或未取代C1
‑
C10的烷基、取代或未取代C2
‑
C10的烯基、取代或未取代C6
‑
C30的芳基、取代或未取代C3
‑
C30的杂芳基中的一种，所述l、k、m和n独立取自0～4的整数，且m+n<6，l+k<6。2.如权利要求1所述的热活化延迟荧光半导体材料，其特征在于：所述取代指取代基或化合物的至少一个氢被替换为D，F，Cl，CH3
‑
，叔丁基，吡啶基，苯基，萘基，菲基，蒽基，芴基，咔唑基，三苯胺基，嘧啶基，三嗪基，苯并吡嗪基，苯并呋喃基，二苯并呋喃基，二苯并噻吩基，吲哚基，吲哚并咔唑基、芘基、苝基，所述未取代指取代基位置或化合物上的氢没有被替换。3.如权利要求1所述的热活化延迟荧光半导体材料，其特征在于：所述D1和D2为以下芳香结构之一，其中虚线为基团的连接位点，
4.如权利要求1所述的热活化延迟荧光半导体材料，其特征在于：L1选自单键、苯基、联苯基、连三苯基、萘基、连萘基、苯基萘基、萘基苯基、芴基、苯基芴基、苯并芴基、菲基、蒽基、茚基、芘基、苝基、荧蔥基...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅妮娜，邹鑫，赵保敏，汪联辉，种彬，田梦，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：