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本发明提供了一种热活化延迟荧光半导体材料及其制备方法与应用，所述半导体材料结构如通式所示X是N或氰基取代的次甲基，D1和D2至少一个取自二芳基氨基、芳基桥联的二芳基氨基、9
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该专利属于南京邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京邮电大学授权不得商用。

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