【技术实现步骤摘要】
一种垂直应变双极结型晶体管及其制备方法
[0001]本申请涉及晶体管的
，尤其是涉及一种垂直应变双极结型晶体管及其制备方法。
技术介绍
[0002]对于元器件而言，特征频率是指其主要功能下降到不好使用时的一种截止频率。例如，对于起放大作用的有源器件
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双极型晶体管以及场效应晶体管而言，特征频率就是指其电流放大系数下降到1时的频率，这是共发射极组态作为放大使用的截止频率。对于起检波、开关等作用的无源二极管而言，其特征频率就是指其阻抗下降到很小、不能吸收信号功率时的频率，这时的截止频率也就是其特征频率。
[0003]晶体管的特征频率和半导体材料,制造工艺以及晶体管的类型(NPN或PNP,NMOSFET, PMOSFET或JFET)等因素有关。特征频率是晶体管可以起电流放大作用的最高频率的限度，是共射极电路设计的一个重要依据。
[0004]晶体管有高频管和低频管之分，一般来说低频管只能用在1MHz以下的频率范围；高频管则可以用到几十或几百MHz的高频范围。如果使用频率超过了晶体管的频率范围...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种垂直应变双极结型晶体管，包括发射区、集电区和基区，其特征在于：所述发射区包括衬底和凸出于衬底表面的凸台，所述凸台的表面设有所述基区，所述基区环绕式包裹所述集电区，氮化硅应力薄膜环绕式包裹所述基区的外侧壁。2.根据权利要求1所述的一种垂直应变双极结型晶体管，其特征在于：所述基区与集电区形成圆柱式集电结。3.根据权利要求1所述的一种垂直应变双极结型晶体管，其特征在于：所述发射区与基区具有相同的物理结构。4.根据权利要求1所述的一种垂直应变双极结型晶体管，其特征在于：所述发射区为n型重掺杂Si发射区；所述基区为p型重掺杂SiGe发射区；所述集电区为n型轻掺杂Si集电区。5.根据权利要求2所述的一种垂直应变双极结型晶体管，其特征在于：所述基区的外侧壁和所述凸台的外侧壁平齐。6.根据权利要求2所述的一种垂直应变双极结型晶体管，其特征在于：所述集电区为圆柱状，所述基区的外形为圆柱状，任意穿过该圆柱状集电区的中心轴线的基区纵向剖面的形状为凹型。7.如权利要求1至6任意一项所述的一种垂直应变双极结型晶体管的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤一：依次在半导体衬底上生长第一外延层和第二外延层，半导体衬底采用制备发射极适用的第一类材料，第一外延层采用制备基极适用的第...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹建林，何刚，彭琪，
申请(专利权)人：深圳市诚芯微科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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