垂直的高阻断的III-V族双极晶体管制造技术

一种垂直的高阻断的III

【技术实现步骤摘要】
垂直的高阻断的III
‑
V族双极晶体管


[0001]本专利技术涉及一种垂直的高阻断的III
‑
V族双极晶体管。

技术介绍

[0002]在功率电子部件中，尤其在必须处理大于400V的电压时，通常使用基于硅或碳化硅的晶闸管或IGBT作为开关。
[0003]另一方面，III
‑
V族半导体——尤其是砷化镓——由于较高的电荷载流子迁移率通常用于20V以下的低阻断电压、5GHz以上范围的高频技术。
[0004]例如由T.Landon等人的《Generation 2High Voltage Heterojunction Bipolar Transistor Technology for High Efficiency Base Station Power Amplifiers》，2010IEEE，MTT
‑
S，国际微波研讨会，CD
‑
ROM ISBN:978
‑1‑
4244
‑
7732
‑<br/>6,DOI:本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种垂直的高阻断的III
‑
V族双极晶体管(10)，所述III
‑
V族双极晶体管(10)具有发射极(E)、基极(B)和集电极(K)，其中，所述发射极(E)具有高掺杂的发射极半导体接通区域(20)，所述发射极半导体接通区域具有第一导电类型且具有大于1
·
10
18
cm
‑3的掺杂剂浓度和第一晶格常数，所述基极(B)具有低掺杂的基极半导体区域(16)，所述基极半导体区域具有第二导电类型和所述第一晶格常数，所述集电极(K)具有层状的低掺杂的集电极半导体区域(12)，所述集电极半导体区域具有所述第一导电类型且具有大于10μm的层厚和所述第一晶格常数，所述集电极(K)具有层状的高掺杂的集电极半导体接通区域(14)，所述集电极半导体接通区域具有第一导电类型且具有大于1
·
10
18
cm
‑3的掺杂剂浓度，其中，所述半导体区域(12，16)和所述半导体接通区域(14，20)按所提及的顺序布置，区域构造的第一金属连接接通层(K
E
)与所述发射极材料锁合地连接，区域构造的第二金属连接接通层(K
B
)与所述基极(B)材料锁合地连接，至少区域构造的第三金属连接接通层(K
K
)布置在所述集电极(K)下方，所述发射极半导体接通区域(20)、所述基极半导体区域(16)和所述集电极半导体区域(12)分别包括III
‑
V族材料或由III
‑
V族材料组成。2.根据权利要求1所述的垂直的III
‑
V族双极晶体管(10)，其特征在于，所述发射极(E)具有所述第一导电类型的高掺杂的发射极中间层(24)，其中，所述发射极中间层(24)布置在所述发射极半导体接通区域(20)和所述基极半导体区域(16)之间，且所述发射极中间层具有大于1
·
10
18
cm
‑3的掺杂剂浓度和第一带隙能量，所述基极半导体区域(16)具有第二带隙能量，且所述第一带隙能量大于所述第二带隙能量。3.根据以上权利要求中任一项所述的垂直的III
‑
V族双极晶体管(10)，其特征在于，所述集电极(K)具有第二导电类型的集电极中间层(26)，其中，所述集电极中间层(26)布置在所述基极半导体区域(16)和所述集电极半导体区域(12)之间，且所述集电极中间层具有小于5
·
10
17
cm
‑3的掺杂剂浓...

【专利技术属性】
技术研发人员：G，
申请(专利权)人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司，
类型：发明
国别省市：