异质结双极型晶体管制造技术

本公开涉及半导体结构，更具体地涉及异质结双极型晶体管及制造方法。该结构包括：第一半导体层，其包括器件区域；第二半导体层，其位于第一半导体层下方；导电材料层，其位于第一半导体层和第二半导体层之间；至少一个接触，其延伸到导电材料层并与导电材料层接触；以及器件，其位于导电材料层上方的器件区域中。其位于导电材料层上方的器件区域中。其位于导电材料层上方的器件区域中。

【技术实现步骤摘要】
异质结双极型晶体管


[0001]本公开涉及半导体结构，更具体地涉及异质结双极型晶体管及其制造方法。

技术介绍

[0002]异质结双极型晶体管(HBT)是一种双极结型晶体管(BJT)，其针对发射极区和基极区或者集电极区和基极区使用不同的半导体材料，从而形成异质结。Si/SiGe HBT用于功率放大器应用，需要低集电极
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基极电容(Ccb)、低基极电阻(Rb)、高截止频率fT/fMAX和高击穿电压(BVceo、BVcbo、BVebo)。
[0003]在高性能Si/SiGe HBT技术中，一些集成方案导致高Rc(集电极电阻)，这是HBT性能的主要组成部分。例如，高Rc是双极技术中的一个关注点，因为它限制了用于提高的fT/fMAX的器件缩放。为了解决这样的问题，集成方案依赖于重掺杂，例如，掺杂到其溶解度极限，但是这会导致较高的Ccb(集电极
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基极电容)。

技术实现思路

[0004]在本公开的一方面，一种结构包括：第一半导体层，其包括器件区域；第二半导体层，其位于所述第一半导体层下方；导电材料本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种结构，包括：第一半导体层，其包括器件区域；第二半导体层，其位于所述第一半导体层下方；导电材料层，其位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间；至少一个接触，其延伸到所述导电材料层并与所述导电材料层接触；以及器件，其位于所述导电材料层上方的所述器件区域中。2.根据权利要求1所述的结构，进一步包括围绕所述器件区域的深沟槽隔离结构。3.根据权利要求2所述的结构，其中，所述导电材料是在异质结双极型晶体管的子集电极区和集电极区内延伸的金属材料。4.根据权利要求3所述的结构，其中，所述金属材料是Al、Co、Ni、Pt、Ta、W和TiN中的一种。5.根据权利要求3所述的结构，其中，所述子集电极区和所述集电极区位于所述第一半导体层内。6.根据权利要求3所述的结构，其中，所述至少一个接触延伸穿过所述第一半导体层。7.根据权利要求6所述的结构，其中，所述至少一个接触是所述异质结双极型晶体管的集电极接触。8.根据权利要求7所述的结构，其中，所述集电极接触位于所述异质结双极型晶体管和所述深沟槽隔离结构之间。9.根据权利要求8所述的结构，其中，所述集电极接触位于浅沟槽隔离结构和所述深沟槽隔离结构之间。10.根据权利要求1所述的结构，其中，所述导电材料层由所述第一半导体层、所述第二半导体层和深沟槽隔离结构界定。11.一种结构，包括：第一半导体层；第二半导体层，其位于所述第一半导体层下方；深沟槽隔离结构，其延伸穿过所述第一半导体层和所述第二半导体层并限定器件区域；晶体管，其位于所述器件区域内；导电材料层...

【专利技术属性】
技术研发人员：H，
申请(专利权)人：格芯美国集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：