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本申请涉及一种垂直应变双极结型晶体管及其制备方法，垂直应变双极结型晶体管包括发射区、集电区和基区，所述发射区包括衬底和凸出于衬底表面的凸台，所述凸台的表面设有所述基区，所述基区环绕式包裹所述集电区，氮化硅应力薄膜环绕式包裹所述基区的外侧壁，...
该专利属于深圳市诚芯微科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市诚芯微科技股份有限公司授权不得商用。

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