【技术实现步骤摘要】
一种MOCVD反应室粉尘清理装置
[0001]本技术涉及一种清理装置,具体为一种MOCVD反应室粉尘清理装置,属于半导体设备
技术介绍
[0002]MOCVD是指:金属有机化合物化学气相淀积,MOCVD技术是在气相外延生长的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。该MOCVD技术以III族、II族元素的有机化合物和V、VI族元素的氢化物等作为晶体生长源材料,以热分解反应方式在衬底上进行气相外延,生长各种III
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V族、II
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VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。在MOCVD反应腔中,MOCVD生长机构及其复杂生长过程涉及输运和多组分、多相的化学反应,现有的MOCVD反应室内会产生一些粉尘,往往都是直接采用工业吸尘器进行吸收。
[0003]但现有的一些MOCVD反应室内的粉尘由于初始温度较高,粉尘浓度不确定,可能处于不稳定状态,不宜直接与外界空气混合接触,同时粉尘中存在可回收的金属粉尘,直接采用吸尘器吸收会不利于金属的回收,造成资源的浪费和成本的提高。<
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种MOCVD反应室粉尘清理装置,包括收集室(1),其特征在于:所述收集室(1)上设有清理结构(2),所述清理结构(2)包括抽风机(21)、净化箱(22)、导管(23)、滤网(24)、活性炭网(25)、密封板(26)、滑板(27)和收纳箱(28),所述收集室(1)的顶部安装有所述抽风机(21),所述收集室(1)的内壁固定安装有所述净化箱(22),所述抽风机(21)的一端与所述净化箱(22)相连接,所述净化箱(22)的侧面安装有所述导管(23),所述净化箱(22)的内壁固定有所述滤网(24),且所述滤网(24)位于所述导管(23)的顶部,所述收集室(1)内安装有所述活性炭网(25),所述活性炭网(25)位于所述滤网(24)和所述抽风机(21)之间,所述净化箱(22)的底部转动连接有所述密封板(26),所述收集室(1)的内壁滑动连接有所述滑板(27),所述滑板(27)与所述密封板(26)抵触,所述收集室(1)的上滑动连接有所述收纳箱(28),所述收纳箱(28)位于所述密封板(26)的底部,所述收集室(1)上设有摆动结构(3),所述摆动结构(3)连接于所述滑板(27),所述收集室(1)上设有冷却结构(5)。2.根据权利要求1所述的一种MOCVD反应室粉尘清理装置,其特征在于:所述摆动结构(3)包括转轴(31)、扭簧(32)、推杆(33)和复位弹簧(3...
【专利技术属性】
技术研发人员:谈逊,谈谦,刘宁波,刘才,吴曦,王占玲,
申请(专利权)人:华厦半导体深圳有限公司,
类型:新型
国别省市:
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