一种晶体管的测试电路制造技术

本申请属于半导体测试领域，具体提供了一种晶体管的测试电路。其中，该晶体管的测试电路包括：由至少两条电源子支路并联组成的电源支路；由第一二极管和第一开关并联组成的开关支路；由第二二极管、电感和第四开关并联组成的保护支路；待测晶体管；以及第三二极管；其中，电源支路的正极端与开关支路的负极端连接；开关支路的正极端与保护电路的负极端连接；保护电路的正极端与待测晶体管的集电极连接；待测晶体管的发射极分别与电源支路的负极端、第三二极管的负极连接；第三二极管的正极与电源支路的负极端连接。基于本发明专利技术提供的技术方案，可以在不更换器件的情况下，快速实现在变母线电压的情况下对晶体管的测试。在变母线电压的情况下对晶体管的测试。在变母线电压的情况下对晶体管的测试。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体管的测试电路


[0001]本专利技术涉及半导体测量
，特别是指一种晶体管的测试电路。

技术介绍

[0002]在变流系统中，晶体管应用十分广泛，例如，可以应用于高压变频器、高压静止无功发生器、机车车辆牵引变流器、风力发电变流器中。由于晶体管的应用如此广泛，随之而来的是晶体管的种类、厂家越来越多，因此，对晶体管的性能测试变得尤为重要。
[0003]在晶体管的产品手册中，用于描述晶体管的性能的参数有静态参数和动态参数，其中，对于静态参数的测量相对简单，但是对于动态参数(例如：开通延时时间Tdon、电流上升时间Tr、关断延时时间Tdoff、电流下降时间Tf、开通损耗Eon以及关断损耗Eoff等)的测试就较为复杂。在目前常见的晶体管测试设备中，为了提升载流能力，母线电容容量一般都设置的比较大，因此在测试过程中无法快速改变母线的电压，针对测试过程中需要改变母线电压的情况，需要等待很长时间才能完成，造成了测试效率低下的问题。

技术实现思路

[0004]鉴于现有技术的以上问题，本专利技术提供一种晶体管的测试电路，可以快速改变测试过程中的母线电压，提高测试效率。
[0005]为达到上述目的，本专利技术第一方面提供一种晶体管的测试电路，包括：由至少两条电源子支路并联组成的电源支路；由至少两条电源子支路并联组成的电源支路；由第一二极管和第一开关并联组成的开关支路；由第二二极管、电感和第四开关并联组成的保护支路；待测晶体管；以及第三二极管；其中，所述电源支路的正极端与所述开关支路的负极端连接；所述开关支路的正极端与所述保护电路的负极端连接；所述保护电路的正极端与所述待测晶体管的集电极连接；所述待测晶体管的发射极分别与所述电源支路的负极端、所述第三二极管的负极连接；所述第三二极管的正极与所述电源支路的负极端连接。
[0006]由上，通过设计由至少两条电源子支路并联组成的电源支路，可以通过改变该至少两条电源子支路的接入状态实现变电压，以模拟测试过程中的母线变电压过程，进而提高测试效率。另外，通过设计第一二极管和第三二极管，可以降低整个测试电路中的寄生电感。
[0007]作为第一方面一种可能的实现方式，所述电源子支路包括：并联的电源和电容、以及控制所述并联的电源和电容通断的开关。
[0008]由上，可以通过控制电源子支路中相应的开关来控制该子支路是否接入测试电路中，以实现变电压的目的。
[0009]作为第一方面一种可能的实现方式，还包括：控制支路，用于控制所述电源支路、所述开关支路、所述保护支路、以及所述待测晶体管的通断；其中，所述控制支路通过控制所述电源子支路中的开关来控制所述电源支路的通断；所述控制支路通过控制所述开关支路中的所述第一开关来控制所述开关支路的通断；所述控制支路通过控制所述保护支路中
的所述第四开关来控制所述保护支路的通断；所述控制支路通过控制所述待测晶体管的栅极来控制所述待测晶体管的通断。
[0010]由上，该控制支路可以发射控制脉冲，以实现对测试电路中可控器件的控制。
[0011]作为第一方面一种可能的实现方式，所述控制支路还用于控制所述电源支路中电源的大小。
[0012]作为第一方面一种可能的实现方式，还包括：在所述至少两条电源子支路中，各电源子支路的电压不同。
[0013]由上，通过将电源子支路中的电压设为不同的电压，丰富了电压的多样性，可以实现多种电压模式下的测试。
[0014]本申请第二方面提供一种测试电路的控制方法，所述测试电路包括上述第一方面任一项所述的电路，所述控制方法包括：控制电源支路中电压较低的电源子支路中的开关闭合、以及控制开关支路中的第一开关闭合；当待测晶体管中集电极电流维持稳定且为0后，控制所述电源支路中电压较低的电源子支路中的开关断开、控制电源支路中电压较高的电源子支路中的开关闭合、以及控制保护支路中的第四开关闭合；当所述待测晶体管中集电极电流再次维持稳定且为0后，控制所述电源支路中电压较高的电源子支路中的开关断开；直到电路稳定后，控制所述开关支路中的第一开关和所述保护支路中的第四开关断开。
[0015]通过上述控制方法，实现了在不更换器件的情况下，快速对晶体管的变电压测试，提高了测试效率。
[0016]本专利技术的这些和其它方面在以下(多个)实施例的描述中会更加简明易懂。
附图说明
[0017]图1为本专利技术实施例提供的一种晶体管的测试电路的电路图；
[0018]图2为本专利技术实施例提供的测试电路的控制方法中控制时序示意图。
具体实施方式
[0019]说明书和权利要求书中的词语“第一、第二、第三等”或模块A、模块B、模块 C等类似用语，仅用于区别类似的对象，不代表针对对象的特定排序，可以理解地，在允许的情况下可以互换特定的顺序或先后次序，以使这里描述的本专利技术实施例能够以除了在这里图示或描述的以外的顺序实施。
[0020]在以下的描述中，所涉及的表示步骤的标号，如S110、S120
……
等，并不表示一定会按此步骤执行，在允许的情况下可以互换前后步骤的顺序，或同时执行。
[0021]说明书和权利要求书中使用的术语“包括”不应解释为限制于其后列出的内容；它不排除其它的元件或步骤。因此，其应当诠释为指定所提到的特征、整体、步骤或部件的存在，但并不排除存在或添加一个或更多其它特征、整体、步骤或部件及其组群。因此，表述“包括装置A和B的设备”不应局限为仅由部件A和B组成的设备。
[0022]本说明书中提到的“一个实施例”或“实施例”意味着与该实施例结合描述的特定特征、结构或特性包括在本专利技术的至少一个实施例中。因此，在本说明书各处出现的用语“在一个实施例中”或“在实施例中”并不一定都指同一实施例，但可以指同一实施例。此外，
在一个或多个实施例中，能够以任何适当的方式组合各特定特征、结构或特性，如从本公开对本领域的普通技术人员显而易见的那样。
[0023]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。如有不一致，以本说明书中所说明的含义或者根据本说明书中记载的内容得出的含义为准。另外，本文中所使用的术语只是为了描述本专利技术实施例的目的，不是旨在限制本专利技术。
[0024]下面参见各图，对本申请提供的一种晶体管的测试电路进行详细说明。
[0025]如图1所示，为本申请实施例提供的晶体管的测试电路的电路结构图。在本实施例中，该晶体管的测试电路包括电源支路110、开关支路120、保护支路130、待测晶体管DUT以及第三二极管D3。其中，该电源支路110的正极端与开关支路120的负极端连接，开关支路120的正极端与保护电路130的负极端连接，保护电路130的正极端与待测晶体管DUT的集电极连接，待测晶体管DUT的发射极分别与电源支路110 的负极端、第三二极管D3的负极连接；第三二极管D3的正极与电源支路110的负极端连接。其中，晶体管可以为绝缘栅双极型晶体管(Insula本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体管的测试电路，其特征在于，包括：由至少两条电源子支路并联组成的电源支路；由第一二极管和第一开关并联组成的开关支路；由第二二极管、电感和第四开关并联组成的保护支路；待测晶体管；以及第三二极管；其中，所述电源支路的正极端与所述开关支路的负极端连接；所述开关支路的正极端与所述保护支路的负极端连接；所述保护支路的正极端与所述待测晶体管的集电极连接；所述待测晶体管的发射极分别与所述电源支路的负极端、所述第三二极管的负极连接；所述第三二极管的正极与所述电源支路的负极端连接。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电源子支路包括：并联的电源和电容、以及控制所述并联的电源和电容通断的开关。3.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈跃俊，
申请(专利权)人：北京华峰测控技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：