半导体组件的测试方法技术

本发明专利技术提供一种半导体组件的测试方法，主要步骤包括利用黄光制程制作一线路重布层于待测的半导体组件上，接着测试探针不直接接触待测的半导体组件，而是接触线路重布层以进行测试，最后以干、湿或机械研磨制程将此线路重布层移除。本发明专利技术可提高对半导体组件的测试速度，降低测试成本，且在测试完成后不在半导体组件上留下测试针痕。组件上留下测试针痕。组件上留下测试针痕。

【技术实现步骤摘要】
半导体组件的测试方法


[0001]本专利技术有关于一种半导体组件的测试方法，尤其是利用线路重布层完成半导体组件测试的方法。

技术介绍

[0002]请参阅图1，图1为现有半导体组件测试方法的示意图，如图所示，复数个半导体组件10位于基板SUB上，半导体组件10包括一第一金属焊垫11、一第二金属焊垫13。半导体组件10例如二极管，则第一金属焊垫11、第二金属焊垫13分别连接至阳极、阴极。探针卡20包括复数个探针21，如图所示，探针21彼此的间距等同于第一金属焊垫11与第二金属焊垫13的间距。
[0003]当探针卡20的探针间距越小其制造成本越高，而制造精细的探针卡其维修成本也相对提高。例如，探针21和金属焊垫接触数次后容易沾粘金属或金属氧化物，故使用数次后需要清针或送回原厂维修，使得产线需要采购多片探针卡而提高生产成本。
[0004]尤其是晶粒尺寸大约100μm的次毫米发光二极管(mini LED)产品及晶粒间距更小的微米发光二极管(micro LED)产品，其检测技术更成为生产过程的一大关键瓶颈。

技术实现思路

[0005]本专利技术的一目的，在于提供一种半导体组件的测试方法，主要步骤包括利用黄光制程制作一线路重布层于待测的半导体组件上，接着测试探针不直接接触待测的半导体组件，而是接触线路重布层以进行测试，最后以干、湿或机械研磨制程将此线路重布层移除。
[0006]本专利技术的一目的，在于提供一种半导体组件的测试方法，其量测半导体组件时，其探针卡的探针间距大于半导体组件的金属焊垫之间的间距，以使得测试过程只需使用低成本的探针卡、而不需要使用制造精细且成本高的探针卡。
[0007]本专利技术的一目的，在于提供一种半导体组件的测试方法，其可以使用一组探针测试复数个半导体组件，提高测试半导体组件的速度。
[0008]本专利技术的一目的，在于提供一种半导体组件的测试方法，主要使用线路重布层于待测的半导体组件上，于测试完成后，不在待测的半导体组件上留下测试针痕。
[0009]为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
[0010]一种半导体组件的测试方法，包括：(1)在待测的芯片上制作至少一线路重布层；(2)利用所述线路重布层测试所述芯片上的半导体组件阵列；以及(3)移除所述芯片上的所述线路重布层；其中，所述半导体组件的长度介于2μm至150μm，宽度介于2μm至150μm。
[0011]较佳地，所述半导体组件为次毫米发光二极管、微米发光二极管、驱动IC或RFID IC。
[0012]较佳地，步骤(2)包括：以探针卡测试所述芯片上的半导体组件阵列，其中，所述探针卡上的探针不直接接触所述半导体组件，而是接触所述线路重布层以进行测试。
[0013]较佳地，所述半导体组件具有复数个金属焊垫，且所述探针卡上的探针之间的间
距大于所述半导体组件上的金属焊垫之间的间距。
[0014]较佳地，步骤(1)包括：在所述芯片上涂布一第一光阻层；在所述第一光阻层上进行第一贯孔开口制作；在所述芯片表面上，镀上一金属种子层；在所述金属种子层上涂布一第二光阻层；在所述第一贯孔上方进行第二贯孔开口制作；电镀一铜柱层在裸露的所述金属种子层上；移除所述第二光阻层；以及移除裸露的所述金属种子层。
[0015]较佳地，所述第一光阻层的厚度介于1μm至30μm间；所述第一贯孔的宽度介于0.5μm至40μm间，深度介于0.5μm至10μm间；所述金属种子层的厚度介于0.02μm至3μm间；所述第二贯孔的宽度介于0.5μm至200μm间，深度介于0.5μm至30μm间；以及所述铜柱层的厚度介于0.5μm至25μm间。
[0016]较佳地，步骤(3)包括：移除所述铜柱层；移除所述金属种子层；以及移除所述第一光阻层。
[0017]较佳地，所述第一光阻层的材料为聚酰亚胺、重氮萘醌、聚烯烃或化学放大光阻材料，且其中，金属种子层的材料为铜、钛、金或银中的一种。
[0018]一种由上述测试方法所测试完成的半导体组件，所述测试完成的半导体组件上没有测试针痕。
[0019]一种由上述测试方法所测试完成的半导体组件，所述测试完成的半导体组件表面能够测得与所述金属种子层相关的金属反应；以及所述测试完成的半导体组件表面能够测得与所述第一光阻层相关的材料反应。
附图说明
[0020]图1为现有半导体组件测试方法的示意图。
[0021]图2A、2B为本专利技术半导体组件测试方法一实施例的示意图。
[0022]图3为本专利技术半导体组件测试方法一实施例的示意图。
[0023]图4为本专利技术半导体组件测试方法一实施例的示意图。
[0024]图5为本专利技术半导体组件测试方法一实施例的示意图
[0025]图6A至6L为本专利技术半导体组件测试方法一步骤实施例的示意图。
[0026]图7为本专利技术半导体组件测试方法又一实施例的截面图。
[0027]图8A至8C为本专利技术半导体组件测试方法一实施例的流程图
[0028]附图标记说明：
[0029]1‑
芯片；10
‑
半导体组件；11
‑
第一金属焊垫；13
‑
第二金属焊垫；20
‑
探针卡；21
‑
探针；40
‑
第一光阻层；50
‑
金属种子层；60
‑
第二光阻层；70
‑
铜柱层；RDL1、RDL2、RDL3、RDL4、RDL5、RDL6
‑
线路重布层；SUB
‑
基板；S10、S20、S30、S101、S102、S103、S104、S105、S301、S302、S303
‑
步骤；via
‑
贯孔；via1
‑
第一贯孔；via2
‑
第二贯孔
具体实施方式
[0030]请参阅图2A及图2B，为本专利技术半导体组件测试方法一实施例的示意图。图2A为待测的半导体组件示意图，在此以六个半导体组件10的阵列举例说明，而每个半导体组件10具有一第一金属焊垫11、一第二金属焊垫13。半导体组件10的长度介于2μm至150μm，宽度介于2μm至150μm。接着请请参阅图2B，其利用黄光制程制作线路重布层于待测的半导体组件
上，如图标的RDL1及RDL2。线路重布层RDL1连接六个半导体组件10的第一金属焊垫11，线路重布层RDL2连接六个半导体组件10的第二金属焊垫12，而RDL1的较宽广的位置P1及RDL2的较宽广的位置P2则为探针点触的位置。如此一来，即可以一组探针完成六个半导体组件10的测试，而且探针的间距为半导体组件10的金属焊垫之间的间距的数倍。
[0031]而图2B的实施例亦即代表可以用一组探针测完一半导体组件阵列的两排或两列半导体组件，而在实际的半导体组件阵列产品，半导体组件阵列的一排或一列通常有数十、数百本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体组件的测试方法，其特征在于，包括：(1)在待测的芯片上制作至少一线路重布层；(2)利用所述线路重布层测试所述芯片上的半导体组件阵列；以及(3)移除所述芯片上的所述线路重布层；其中，所述半导体组件的长度介于2μm至150μm，宽度介于2μm至150μm。2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述半导体组件为次毫米发光二极管、微米发光二极管、驱动IC或RFIDIC。3.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，步骤(2)包括：以探针卡测试所述芯片上的半导体组件阵列，其中，所述探针卡上的探针不直接接触所述半导体组件，而是接触所述线路重布层以进行测试。4.根据权利要求3所述的测试方法，其特征在于，所述半导体组件具有复数个金属焊垫，且所述探针卡上的探针之间的间距大于所述半导体组件上的金属焊垫之间的间距。5.根据权利要求1或4所述的测试方法，其特征在于，步骤(1)包括：在所述芯片上涂布一第一光阻层；在所述第一光阻层上进行第一贯孔开口制作；在所述芯片表面上，镀上一金属种子层；在所述金属种子层上涂布一第二光阻层；在所述第一贯孔上方进行第二贯孔开口制作；电镀一铜柱层在裸露的所述金属种子层上...

【专利技术属性】
技术研发人员：林世宏，
申请(专利权)人：高端电子有限公司，
类型：发明
国别省市：