一种高压集成电路制造技术

本实用新型专利技术涉及电子电路技术领域，具体公开了一种高压集成电路，包括信号输入电路、第一施密特电路、滤波器、电平转换电路、高压DOMS电路、RS触发器、信号输出电路及温控双脉冲电路，所述第一施密特电路分别与信号输入电路及滤波器电性连接，所述电平转换电路与所述滤波器电性连接，所述温控双脉冲电路分别与所述电平转换电路及高压DOMS电路电性连接，所述RS触发器分别与所述高压DOMS电路及信号输出电路电性连接。本实用新型专利技术增加设置温控双脉冲电路根据芯片功耗问题来控制双脉冲之间的距离，避免双脉冲GEN会在短时间内增加芯片功耗而发热，并能确保RS触发器可获取驱动信号，芯片温度越高，两脉冲之间的距离越远。两脉冲之间的距离越远。两脉冲之间的距离越远。

【技术实现步骤摘要】
一种高压集成电路


[0001]本技术涉及电子电路
，特别涉及一种高压集成电路。

技术介绍

[0002]高压集成电路，即HVIC，是一种把MCU信号转换成驱动IGBT信号的集成电路产品。HVIC 把PMOS管、NMOS管、三极管、二极管、稳压管、电阻、电容集成在一起，形成施密特、低压LEVELSHIFT、高压LEVELSHIFT、脉冲发生电路、延时电路、滤波电路、过电流保护电路和过热保护电路、欠压保护电路、自举电路等电路。现有的HVIC的高侧驱动电路中的单脉冲GEN电路，在HIN信号的上升沿和下降沿分别产生脉冲，用于驱动DMOS,脉冲宽度一般在几百纳秒，使HIN与HO对应。HVIC的基本高侧驱动拓扑结构如图1所示。但在HVIC驱动负载为大电感电路时，VS电压在某种情况下会被拉低，导致RS触发器无法记录到单脉冲GEN发出的信号。为解决此问题，将单脉冲信号GEN改为双脉冲GEN信号，确保RS触发器可获取驱动信号，但是双脉冲GEN会在短时间内增加芯片功耗而发热。

技术实现思路

[0003]本技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种高压集成电路，解决传统的HVIC内部采用单脉冲GEN电路情况下，驱动负载为大电感电路时，VS电压在某种情况下会被拉低，导致RS触发器无法记录到单脉冲GEN电路发出信号的问题，在双脉冲 GEN电路中增加温控延迟电路，即增加设置温控双脉冲电路根据芯片功耗问题来控制双脉冲之间的距离，避免双脉冲GEN会在短时间内增加芯片功耗而发热，并能确保RS触发器可获取驱动信号。/>[0004]为了解决上述技术问题，本技术的技术方案是：
[0005]一种高压集成电路，包括信号输入电路、第一施密特电路、滤波器、电平转换电路、高压DOMS电路、RS触发器、信号输出电路及温控双脉冲电路，所述第一施密特电路分别与信号输入电路及滤波器电性连接，所述电平转换电路与所述滤波器电性连接，所述温控双脉冲电路分别与所述电平转换电路及高压DOMS电路电性连接，所述RS触发器分别与所述高压DOMS 电路及信号输出电路电性连接。
[0006]优选地，所述温控双脉冲电路由一个温控延迟电路、两个单脉冲GEN电路、以及两个或门组成。
[0007]优选地，所述或门包括第一或门及第二或门，所述第一或门及第二或门分别与所述单脉冲GEN电路电性连接，所述电平转换电路分别与单脉冲GEN电路及温控延迟电路电性连接，所述温控延迟电路分别与所述电平转换电路及单脉冲GEN电路电性连接。
[0008]优选地，所述温控延迟电路包括带隙基准电路、PMOS管Q3、电容C1、第二施密特电路及脉冲宽度调节电路，所述电平转换电路的输出端分别与所述PMOS管Q3及脉冲宽度调节电路电性连接，所述带隙基准电路分别与电容C1及第二施密特电路电性连接，所述第二施密特电路与所述单脉冲GEN电路电性连接。
[0009]优选地，所述带隙基准电路由电阻R1、电阻R2、电阻R3、三极管Q4及三极管Q5组成。
[0010]优选地，所述电阻R1的一端及电阻R2的一端均与三极管Q3的漏极连接，所述电阻R1 的另一端、三极管Q4的集电极及三极管Q4的基极均与三极管Q5的基极连接，所述电阻R2 的另一端、三极管Q5的集电极及电容C1的一端均与所述第二施密特电路连接，所述电阻R3 的一端与三极管Q5的发射极连接，所述三极管Q4的发射极、电阻R3的另一端及电容C1的另一端均接地。
[0011]采用上述技术方案，本技术提供的一种高压集成电路，具有以下有益效果：该高压集成电路中的第一施密特电路分别与信号输入电路及滤波器电性连接，电平转换电路与所述滤波器电性连接，温控双脉冲电路分别与电平转换电路及高压DOMS电路电性连接，RS触发器分别与高压DOMS电路及信号输出电路电性连接，通过增加设置温控双脉冲电路根据芯片功耗问题来控制双脉冲之间的距离，避免双脉冲GEN会在短时间内增加芯片功耗而发热；并实现将单脉冲信号GEN改为双脉冲GEN信号，能确保RS触发器可获取驱动信号，由芯片通过温度的高低自行调节两个脉冲信号(pluse)的间隔，温度越高，两脉冲信号之间的距离越远。
附图说明
[0012]图1为现有的HVIC的基本高侧驱动拓扑结构示意图；
[0013]图2为本技术中温控双脉冲电路的控制系统图；
[0014]图3为本技术中温控双脉冲电路的输出脉冲信号波形图；
[0015]图4为本技术中温控双脉冲电路的工作原理图；
[0016]图5为本技术中温控双脉冲电路实施例一的输出脉冲信号波形图；
[0017]图6为本技术中温控双脉冲电路的控制实施例示意图；
[0018]图中，001
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第一施密特电路、002
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滤波器、003
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电平转换电路、004
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单脉冲GEN电路、 005
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脉冲宽度调节电路、006
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温度双脉冲电路、007
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温控延迟电路、008
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第一或门、009
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第二或门、010
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第二施密特电路。
具体实施方式
[0019]下面结合附图对本技术的具体实施方式作进一步说明。在此需要说明的是，对于这些实施方式的说明用于帮助理解本技术，但并不构成对本技术的限定。此外，下面所描述的本技术各个实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
[0020]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0021]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者
隐含地包括至少一个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
[0022]如图2
‑
6所示，该高压集成电路包括信号输入电路、第一施密特电路001、滤波器002、电平转换电路003、高压DOMS电路、RS触发器、信号输出电路及温控双脉冲电路006，该第一施密特电路001分别与信号输入电路及滤波器002电性连接，该电平转换电路003与该滤波器002电性连接，该温控双脉冲电路006分别与该电平转换电路003及高压DOMS电路电性连接，该RS触发器分别与该高压DOMS电路及信号输本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高压集成电路，包括信号输入电路、第一施密特电路、滤波器、电平转换电路、高压DOMS电路、RS触发器及信号输出电路，其特征在于：还包括温控双脉冲电路，所述第一施密特电路分别与信号输入电路及滤波器电性连接，所述电平转换电路与所述滤波器电性连接，所述温控双脉冲电路分别与所述电平转换电路及高压DOMS电路电性连接，所述RS触发器分别与所述高压DOMS电路及信号输出电路电性连接。2.根据权利要求1所述的高压集成电路，其特征在于：所述温控双脉冲电路由一个温控延迟电路、两个单脉冲GEN电路、以及两个或门组成。3.根据权利要求2所述的高压集成电路，其特征在于：所述或门包括第一或门及第二或门，所述第一或门及第二或门分别与所述单脉冲GEN电路电性连接，所述电平转换电路分别与单脉冲GEN电路及温控延迟电路电性连接，所述温控延迟电路分别与所述电平转换电路及单脉冲GEN电路电性连接。4.根据权利要求3所述的高压集成电路，...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯宇翔，左安超，潘志坚，张土明，谢荣才，
申请(专利权)人：广东汇芯半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：