驱动电路制造技术

目的在于提供能够适当地驱动IGBT的技术。驱动电路通过对IGBT的栅极电压进行控制而对IGBT进行驱动，具有第1充电能力和第2充电能力。第1充电能力是使栅极电压上升至IGBT的阈值电压的能力，第2充电能力是使栅极电压超过阈值电压而上升的能力。由第1充电能力实现的栅极电压的每单位时间的上升比由第2充电能力实现的栅极电压的每单位时间的上升大。实现的栅极电压的每单位时间的上升大。实现的栅极电压的每单位时间的上升大。

【技术实现步骤摘要】
驱动电路


[0001]本专利技术涉及驱动电路。

技术介绍

[0002]针对通过对IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)的栅极电压进行控制而对IGBT进行驱动的驱动电路，提出了各种技术。例如，在专利文献1中提出了使栅极电压平缓地上升而非急剧地上升的技术。
[0003]专利文献1：日本特开2016
‑
181973号公报
[0004]但是，存在如果从IGBT的导通的最初至最后为止都使栅极电压平缓地上升，则导通时间会变长的问题。

技术实现思路

[0005]因此，本专利技术就是鉴于上述这样的问题而提出的，其目的在于提供能够适当地驱动IGBT的技术。
[0006]本专利技术涉及的驱动电路是通过对IGBT的栅极电压进行控制而对所述IGBT进行驱动的驱动电路，该驱动电路具有使所述栅极电压上升至所述IGBT的阈值电压的第1充电能力和使所述栅极电压超过所述阈值电压而上升的第2充电能力，由所述第1充电能力实现的所述栅极电压的每单位时间的上升比由所述第2充电能力实现的所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种驱动电路，其通过对IGBT的栅极电压进行控制而对所述IGBT进行驱动，其中，该驱动电路具有使所述栅极电压上升至所述IGBT的阈值电压的第1充电能力和使所述栅极电压超过所述阈值电压而上升的第2充电能力，由所述第1充电能力实现的所述栅极电压的每单位时间的上升比由所述第2充电能力实现的所述栅极电压的每单位时间的上升大。2.根据权利要求1所述的驱动电路，其具有：内部电源电路；恒流电路；电容器；1组的第1晶体管以及第2晶体管，其基于输入信号而输出由所述内部电源电路、所述恒流电路以及所述电容器生...

【专利技术属性】
技术研发人员：羽生洋，山本晃央，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：