半导体发光器件及其压膜方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体发光器件及其压膜方法，半导体发光器件的压膜方法包括以下步骤：S1、将半导体发光器件和弹性围堰定位在下治具上，弹性围堰设置在半导体发光器件的外围；S2、将胶液设置在半导体发光器件上并位于弹性围堰的内圈；S3、上治具向下移动直至抵压胶液和弹性围堰的顶部，使得胶液充满上治具和弹性围堰之间界定的空间，均匀覆盖在半导体发光器件上；S4、加热固化处理，使胶液形成均匀的胶膜层；S5、上治具向上移动，与胶膜层脱离；S6、将带有胶膜层的半导体发光器件及弹性围堰一体从下治具取下，切除弹性围堰。本发明专利技术的半导体发光器件的压膜方法，获得均匀性好、厚度均匀的胶膜层，提高产品质量；利于多件同时压膜，提高效率。提高效率。提高效率。

【技术实现步骤摘要】
半导体发光器件及其压膜方法


[0001]本专利技术涉及发光器件
，尤其涉及一种半导体发光器件及其压膜方法。

技术介绍

[0002]随着发光效率的提升和制造成本的下降，半导体发光光源已被广泛应用于背光、显示和照明等领域。半导体发光光源包括有LED、COB、模组、灯板、灯条等多种类型。常见的半导体发光光源(半导体发光器件)在结构上通常包括基板、设置在基板上的半导体发光芯片等。半导体发光芯片上还会覆盖胶层，不仅可以起到保护作用，还可以根据需要具有光扩散等作用。
[0003]目前胶层的设置方式主要操作如下：将胶液放置在下治具上，将半导体发光器件设置在上治具，通过上治具向下移动带动半导体发光器件压至胶液上，以使胶液粘附至半导体发光器件上。对于上述的设置方式，取放半导体发光器件复杂，对位难度大，效率低；胶液的流动性较差，造成粘附在半导体发光器件上的胶层厚度不均匀。此外，会因胶液内存在气泡导致后续形成的胶层存在空洞，影响产品质量。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决的技术问题在于，提供一种提高压膜均匀性和效率的半导体发光器件的压膜方法及该方法形成的半导体发光器件。
[0005]本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种半导体发光器件的压膜方法，包括以下步骤：
[0006]S1、将半导体发光器件和弹性围堰定位在下治具上，并且将所述弹性围堰设置在所述半导体发光器件的外围；
[0007]S2、将胶液设置在所述半导体发光器件上并位于所述弹性围堰的内圈；
[0008]S3、上治具向下移动直至抵压所述胶液和弹性围堰的顶部，使得所述胶液充满所述上治具和所述弹性围堰之间界定的空间，均匀覆盖在所述半导体发光器件上；
[0009]S4、加热固化处理，使所述胶液形成均匀的胶膜层；
[0010]S5、所述上治具向上移动，与所述胶膜层脱离；
[0011]S6、将带有胶膜层的所述半导体发光器件及弹性围堰一体从所述下治具取下，切除所述弹性围堰。
[0012]优选地，步骤S1中，在所述下治具上，所述弹性围堰的高度大于所述半导体发光器件的高度。
[0013]优选地，所述半导体发光器件包括基板、设置在所述基板第一表面上的半导体发光芯片；
[0014]步骤S1中，所述基板的第二表面朝向并定位在所述下治具上；
[0015]步骤S3中，所述胶液覆盖所述基板的第一表面及其上的所述半导体发光芯片；
[0016]步骤S4中，加热固化后，所述基板第一表面上的胶膜层的厚度＝受压后的所述弹
性围堰的高度
‑
所述基板的厚度。
[0017]优选地，所述半导体发光器件还包括设置在所述基板的第二表面上的电子元器件；
[0018]步骤S1中，所述下治具上设有镂空区，所述基板的第二表面朝向并定位在所述下治具上时，所述电子元器件容置在所述镂空区内。
[0019]优选地，步骤S1还包括：在所述弹性围堰的外围设置辅助围堰；
[0020]步骤S3中，当所述胶液溢出所述弹性围堰时，溢出的胶液部分被限制在所述弹性围堰和辅助围堰之间。
[0021]优选地，所述下治具上还设有至少一个限位支柱；所述限位支柱位于所述弹性围堰的外侧，所述半导体发光器件的高度＜所述限位支柱的高度＜所述弹性围堰的高度；
[0022]步骤S3中，所述上治具向下移动至抵接在所述限位支柱上。
[0023]优选地，所述上治具朝向所述下治具的表面设有凹槽，形成胶液缓存空间；
[0024]步骤S3中，所述上治具向下移动抵压所述胶液和弹性围堰的顶部后，多余胶液挤压进入所述胶液缓存空间。
[0025]优选地，步骤S2之后，还包括：抽真空处理，去除所述胶液内的气泡。
[0026]优选地，在步骤S6之后，再次加热固化所述胶膜层。
[0027]优选地，所述下治具上还设有向所述上治具方向延伸的定位柱，所述上治具设有与所述定位柱相适配的定位孔；
[0028]步骤S3中，所述上治具向下移动时，通过所述定位孔与所述定位柱配合，沿所述定位柱向下移动靠近所述下治具。
[0029]优选地，所述定位柱上套设有弹簧；在自然状态下，所述弹簧的高度大于所述弹性围堰高度。
[0030]本专利技术提供另一种半导体发光器件的压膜方法，包括以下步骤：
[0031]S1、将半导体发光器件定位在下治具上，将弹性围堰设置在所述半导体发光器件的基板的边缘部上并位于所述半导体发光器件的半导体发光芯片的外围；
[0032]S2、将胶液设置在所述半导体发光器件上并位于所述弹性围堰的内圈；
[0033]S3、上治具向下移动直至抵压所述胶液和弹性围堰的顶部，使得所述胶液充满所述上治具和所述弹性围堰之间界定的空间，均匀覆盖在所述半导体发光器件上；
[0034]S4、加热固化处理，使所述胶液形成均匀的胶膜层；
[0035]S5、所述上治具向上移动，与所述胶膜层脱离；
[0036]S6、将带有胶膜层的所述半导体发光器件及弹性围堰一体从所述下治具取下，切除所述弹性围堰及其下方的所述基板边缘部。
[0037]优选地，步骤S1中，在所述基板上，所述弹性围堰的高度大于所述半导体发光芯片高度。
[0038]优选地，步骤S4中，加热固化后，所述基板上的胶膜层的厚度＝受压后所述弹性围堰的高度。
[0039]优选地，步骤S1还包括：在所述弹性围堰的外围设置辅助围堰；
[0040]步骤S3中，当所述胶液溢出所述弹性围堰时，溢出的胶液部分被限制在所述弹性围堰和辅助围堰之间。
[0041]优选地，所述下治具上还设有至少一个限位支柱；所述半导体发光器件的高度＜所述限位支柱的高度＜所述弹性围堰的高度与所述基板的高度之和；
[0042]步骤S3中，所述上治具向下移动至抵接在所述限位支柱上。
[0043]优选地，所述上治具朝向所述下治具的表面设有凹槽，形成胶液缓存空间；
[0044]步骤S3中，所述上治具向下移动抵压所述胶液和弹性围堰的顶部后，多余胶液挤压进入所述胶液缓存空间。
[0045]优选地，步骤S2之后，还包括：抽真空处理，去除所述胶液内的气泡。
[0046]优选地，在步骤S6之后，再次加热固化所述胶膜层。
[0047]优选地，所述下治具上还设有向所述上治具方向延伸的定位柱，所述上治具设有与所述定位柱相适配的定位孔；
[0048]步骤S3中，所述上治具向下移动时，通过所述定位孔与所述定位柱配合，沿所述定位柱向下移动靠近所述下治具。
[0049]优选地，所述定位柱上套设有弹簧；在自然状态下，所述弹簧的高度大于所述弹性围堰的高度与所述基板的高度之和。
[0050]本专利技术还提供一种半导体发光器件，包括半导体发光器件主体、设置在所述半导体发光器件主体上的胶膜层；所述胶膜层由上述任一项所述的半导体发光器件的压膜方法形成。
[0051]本专利技术的半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体发光器件的压膜方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将半导体发光器件和弹性围堰定位在下治具上，并且将所述弹性围堰设置在所述半导体发光器件的外围；S2、将胶液设置在所述半导体发光器件上并位于所述弹性围堰的内圈；S3、上治具向下移动直至抵压所述胶液和弹性围堰的顶部，使得所述胶液充满所述上治具和所述弹性围堰之间界定的空间，均匀覆盖在所述半导体发光器件上；S4、加热固化处理，使所述胶液形成均匀的胶膜层；S5、所述上治具向上移动，与所述胶膜层脱离；S6、将带有胶膜层的所述半导体发光器件及弹性围堰一体从所述下治具取下，切除所述弹性围堰。2.根据权利要求1所述的半导体发光器件的压膜方法，其特征在于，步骤S1中，在所述下治具上，所述弹性围堰的高度大于所述半导体发光器件的高度。3.根据权利要求1所述的半导体发光器件的压膜方法，其特征在于，所述半导体发光器件包括基板、设置在所述基板第一表面上的半导体发光芯片；步骤S1中，所述基板的第二表面朝向并定位在所述下治具上；步骤S3中，所述胶液覆盖所述基板的第一表面及其上的所述半导体发光芯片；步骤S4中，加热固化后，所述基板第一表面上的胶膜层的厚度=受压后的所述弹性围堰的高度
‑
所述基板的厚度。4.根据权利要求3所述的半导体发光器件的压膜方法，其特征在于，所述半导体发光器件还包括设置在所述基板的第二表面上的电子元器件；步骤S1中，所述下治具上设有镂空区，所述基板的第二表面朝向并定位在所述下治具上时，所述电子元器件容置在所述镂空区内。5.根据权利要求1所述的半导体发光器件的压膜方法，其特征在于，步骤S1还包括：在所述弹性围堰的外围设置辅助围堰；步骤S3中，当所述胶液溢出所述弹性围堰时，溢出的胶液部分被限制在所述弹性围堰和辅助围堰之间。6.根据权利要求1所述的半导体发光器件的压膜方法，其特征在于，所述下治具上还设有至少一个限位支柱；所述限位支柱位于所述弹性围堰的外侧，所述半导体发光器件的高度＜所述限位支柱的高度＜所述弹性围堰的高度；步骤S3中，所述上治具向下移动至抵接在所述限位支柱上。7.根据权利要求1所述的半导体发光器件的压膜方法，其特征在于，所述上治具朝向所述下治具的表面设有凹槽，形成胶液缓存空间；步骤S3中，所述上治具向下移动抵压所述胶液和弹性围堰的顶部后，多余胶液挤压进入所述胶液缓存空间。8.根据权利要求1所述的半导体发光器件的压膜方法，其特征在于，步骤S2之后，还包括：抽真空处理，去除所述胶液内的气泡。9.根据权利要求1所述的半导体发光器件的压膜方法，其特征在于，在步骤S6之后，再次加热固化所述胶膜层。10.根据权利要求1
‑
9任一项所述的半导体发光器件的压膜方法，其特征在于，所述下
治具上还设有向所述上治具方向延伸的定位柱，所述上治具设有与所述定位柱相适配的定位孔；步骤S3中，所述上治具向下移动时，通过所述定位孔与所述定位柱配合，沿所述定位柱向下移动靠近所述下治具。11.根据权利要求10所述的半导体发光器件的压膜方法，其特征在于，所述定位柱上套设有弹簧...

【专利技术属性】
技术研发人员：李刚，钟伟荣，刘运筹，
申请(专利权)人：深圳大道半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：