高光效LED及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种高光效LED及其制造方法，高光效LED包括基板、设置在基板上的导电电路、设置在基板第一表面上的发光芯片以及反光层；导电电路包括位于第一表面和反光层之间的至少一第一金属凸台和至少一第二金属凸台，第一金属凸台和第二金属凸台分别贯穿反光层，裸露出第一金属凸台和第二金属凸台的表面；发光芯片具有相对的出光表面和焊接表面；焊接表面包括至少一第一焊垫和至少一第二焊垫；第一焊垫与第一金属凸台导电连接，第二焊垫与第二金属凸台导电连接。本发明专利技术的高光效LED，通过设置带金属凸台的导电电路，使发光芯片的焊接表面高过反光层表面，避免了反光层对来自发光芯片侧面出光的阻挡，达到大幅提升LED光效的目的。达到大幅提升LED光效的目的。达到大幅提升LED光效的目的。

【技术实现步骤摘要】
高光效LED及其制造方法


[0001]本专利技术涉及发光器件
，尤其涉及一种高光效LED及其制造方法。

技术介绍

[0002]LED己广泛应用于照明、背光及显示领域，高光效是LED最重要的性能指标。
[0003]常见的LED结构如图1所示，其包括基板10、设置在基板10第一表面上的发光芯片11、导电电路、反光层12、围堰13和透光层14。发光芯片11设有至少一第一焊垫11a和至少一第二焊垫11b，导电电路包括至少一第一焊盘15、至少一第二焊盘16、至少一第一互连金属17、第一外接焊盘18和第二外接焊盘(未标示)。第一焊垫11a和第二焊垫11b分别与第一焊盘15和第二焊盘16导电连接。
[0004]当外接电源通过导电电路给发光芯片11供电时，由图1可知，从发光芯片11侧面发出的光被反光层12所阻挡(如图1中箭头所示)，被反光层12所阻挡的光不能通过透光层14，继而大幅降低LED的出光光效。
[0005]因此，由于上述LED结构存在本质的缺陷和不足，无法解决反光层的遮光问题，局限LED光效的提升。

技术实现思路

[0006]本专利技术要解决的技术问题在于，提供一种解决反光层与光效之间的固有矛盾的高光效LED及其制造方法。
[0007]本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种高光效LED，包括具有相对的第一表面和第二表面的基板、设置在所述基板上的导电电路、设置在所述第一表面上的发光芯片以及反光层；
[0008]所述导电电路包括位于所述第一表面和反光层之间的至少一第一金属凸台和至少一第二金属凸台，所述第一金属凸台和第二金属凸台分别贯穿所述反光层，裸露出所述第一金属凸台和第二金属凸台的表面；
[0009]所述发光芯片具有相对的出光表面和焊接表面；所述焊接表面包括至少一第一焊垫和至少一第二焊垫；
[0010]所述第一焊垫与所述第一金属凸台导电连接，所述第二焊垫与所述第二金属凸台导电连接。
[0011]优选地，所述高光效LED还包括至少一透光层；所述透光层设置在所述第一表面上并包裹所述发光芯片的出光表面和所有侧面。
[0012]优选地，所述透光层为单层或多层结构，由硅胶、环氧树脂、掺有粉体的硅胶和掺有粉体的环氧树脂中至少一种制成；
[0013]所述粉体包括荧光粉、扩散粉、亚光粉中一种或多种。
[0014]优选地，所述高光效LED还包括至少一保护层；所述保护层设置在所述透光层上。
[0015]优选地，所述保护层至少有一个开口，所述开口裸露出所述发光芯片上方的所述
透光层。
[0016]优选地，所述保护层为单层或多层结构，由油墨、硅胶、环氧树脂、掺有粉体的硅胶和掺有粉体的环氧树脂中至少一种制成；
[0017]所述粉体包括氧化钛粉、着色粉、银粉、铝粉、扩散粉、亚光粉中一种或多种。
[0018]优选地，所述反光层为单层或多层结构，由白胶、围堰胶、硅胶和环氧树脂中至少一种制成；所述硅胶或环氧树脂中掺有氧化钛粉、银粉、铝粉中的一种或多种。
[0019]优选地，所述高光效LED还包括至少一围堰；所述围堰设置在所述基板的第一表面上并围设在所述发光芯片的外围。
[0020]优选地，所述围堰由白胶、围堰胶、硅胶和环氧树脂中至少一种制成。
[0021]优选地，所述硅胶和/或环氧树脂中掺有氧化钛粉、银粉、铝粉中的一种或多种。
[0022]优选地，所述导电电路还包括至少一第一外接焊盘、至少一第二外接焊盘以及至少一互连金属；
[0023]所述第一外接焊盘设置在所述第一表面和/或所述第二表面，通过所述互连金属与所述第一金属凸台导电连接；
[0024]所述第二外接焊盘设置在所述第一表面和/或所述第二表面，通过所述互连金属与所述第二金属凸台导电连接。
[0025]优选地，所述互连金属设置在所述第一表面上；所述互连金属通过贯穿所述基板的第一导电通道与位于所述第二表面上的所述第一外接焊盘导电连接，通过贯穿所述基板的第二导电通道与位于所述第二表面上的所述第二外接焊盘导电连接。
[0026]优选地，所述基板的第二表面设有至少一导热焊盘。
[0027]本专利技术还提供一种高光效LED的制造方法，包括以下步骤：
[0028]S1、在基板上设置导电电路；
[0029]S2、在所述基板的第一表面设置反光层，使所述导电电路的第一金属凸台和第二金属凸台贯穿所述反光层，裸露出所述第一金属凸台和第二金属凸台的表面；
[0030]S3、在所述基板的第一表面设置发光芯片，并使所述发光芯片焊接表面的第一焊垫与所述第一金属凸台导电连接，第二焊垫与所述第二金属凸台导电连接。
[0031]优选地，所述高光效LED的制造方法还包括以下步骤：
[0032]S4、在所述基板的第一表面设置透光层；所述透光层包裹所述发光芯片的出光表面和所有侧面。
[0033]优选地，所述高光效LED的制造方法还包括以下步骤：
[0034]S5、在所述基板的第一表面设置保护层；所述保护层位于所述透光层上。
[0035]优选地，所述高光效LED的制造方法还包括以下步骤：
[0036]S4、在所述反光层上设置围堰；
[0037]S5、在所述围堰内侧填充透光层；所述透光层包裹所述发光芯片的出光表面和所有侧面。
[0038]本专利技术的有益效果：通过设置带金属凸台的导电电路，使发光芯片的焊接表面高过反光层表面，避免了反光层对来自发光芯片侧面出光的阻挡，达到大幅提升LED光效的目的。
[0039]本专利技术的高光效LED的制造方法流程短、工艺简单、制造成本低，适用于大批量大
面积产业化生产。
附图说明
[0040]下面将结合附图及实施例对本专利技术作进一步说明，附图中：
[0041]图1是现有技术中LED的剖面结构示意图；
[0042]图2是本专利技术第一实施例的高光效LED的剖面结构示意图；
[0043]图3是本专利技术第二实施例的高光效LED的剖面结构示意图。
[0044]图4是本专利技术第三实施例的高光效LED的剖面结构示意图；
[0045]图5是本专利技术第四实施例的高光效LED的剖面结构示意图；
[0046]图6是本专利技术第五实施例的高光效LED的剖面结构示意图；
[0047]图7是本专利技术第六实施例的高光效LED的剖面结构示意图。
具体实施方式
[0048]为了对本专利技术的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明本专利技术的具体实施方式。
[0049]如图2所示，本专利技术第一实施例的高光效LED，包括基板20、设置在基板20上的导电电路、发光芯片21以及反光层22。基板20具有相对的第一表面和第二表面，发光芯片21和反光层22均设置在基板20的第一表面上。
[0050]其中，基板20可为但不限于陶瓷基板、玻璃基板、玻纤板或BT板。
[0051]导电电路包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高光效LED，其特征在于，包括具有相对的第一表面和第二表面的基板、设置在所述基板上的导电电路、设置在所述第一表面上的发光芯片以及反光层；所述导电电路包括位于所述第一表面和反光层之间的至少一第一金属凸台和至少一第二金属凸台，所述第一金属凸台和第二金属凸台分别贯穿所述反光层，裸露出所述第一金属凸台和第二金属凸台的表面；所述发光芯片具有相对的出光表面和焊接表面；所述焊接表面包括至少一第一焊垫和至少一第二焊垫；所述第一焊垫与所述第一金属凸台导电连接，所述第二焊垫与所述第二金属凸台导电连接。2.根据权利要求1所述的高光效LED，其特征在于，所述高光效LED还包括至少一透光层；所述透光层设置在所述第一表面上并包裹所述发光芯片的出光表面和所有侧面。3.根据权利要求2所述的高光效LED，其特征在于，所述透光层为单层或多层结构，由硅胶、环氧树脂、掺有粉体的硅胶和掺有粉体的环氧树脂中至少一种制成；所述粉体包括荧光粉、扩散粉、亚光粉中一种或多种。4.根据权利要求2所述的高光效LED，其特征在于，所述高光效LED还包括至少一保护层；所述保护层设置在所述透光层上。5.根据权利要求4所述的高光效LED，其特征在于，所述保护层至少有一个开口，所述开口裸露出所述发光芯片上方的所述透光层。6.根据权利要求4所述的高光效LED，其特征在于，所述保护层为单层或多层结构，由油墨、硅胶、环氧树脂、掺有粉体的硅胶和掺有粉体的环氧树脂中至少一种制成；所述粉体包括氧化钛粉、着色粉、银粉、铝粉、扩散粉、亚光粉中一种或多种。7.根据权利要求1所述的高光效LED，其特征在于，所述反光层为单层或多层结构，由白胶、围堰胶、硅胶和环氧树脂中至少一种制成；所述硅胶或环氧树脂中掺有氧化钛粉、银粉、铝粉中的一种或多种。8.根据权利要求1所述的高光效LED，其特征在于，所述高光效LED还包括至少一围堰；所述围堰设置在所述基板的第一表面上并围设在所述发光芯片的外围。9.根据权利要求8所述的高光效LED，其特征在于，所述围堰由白胶、围堰胶、硅胶和环氧树脂中至少一种制成。10.根据权利要求9所述的高光效LED，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李刚，钟伟荣，蒋剑涛，
申请(专利权)人：深圳大道半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：