【技术实现步骤摘要】
基板处理设备及设置在基板处理设备中的装填构件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年12月10日提交韩国知识产权局的、申请号为10
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2020
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0172077的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
[0003]本专利技术所描述的实施方式是关于一种基板处理设备及设置在其中的装填构件。
技术介绍
[0004]一般而言，半导体组件由诸如晶圆的基板制成。具体而言，半导体组件是经由沉积工艺、光刻工艺、蚀刻工艺等并通过在基板的上表面形成微电路图案而制成。在工艺期间，在形成电路图案的基板的上表面上可能有异物产生，并且可以进行清洗工艺来移除这些异物。
[0005]如今，超临界流体被用于清洗工艺或显影工艺中。例如，基板的上表面可用诸如异丙醇(isopropyl alcohol；IPA)的防倾斜液体(leaning prevention liquid)弄湿，随后残留在基板上的防倾斜液体可通过对基板的上表面供应超临界二氧化碳(CO2...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于处理基板的设备，所述设备包括：容器，所述容器具有形成在其中的密封型处理空间，所述基板被容纳在所述处理空间；供应端口，所述供应端口设置在所述容器的壁的内部，并配置为将处理流体供应至所述处理空间；排放端口，所述排放端口设置在所述容器的所述壁的内部，并与所述供应端口间隔开；以及缓冲构件，所述缓冲构件设置在所述处理空间中，在俯视时，所述缓冲构件设置在与所述供应端口及所述排放端口重叠的位置，其中，所述缓冲构件包括：侧壁部，所述侧壁部位于所述供应端口及所述排放端口外，并配置为与所述容器的所述壁接触；以及上壁部，所述上壁部具有形成在其中的通孔，以对应于所述基板的中心，其中，所述通孔在向上/向下方向形成直线的流动路径。2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述通孔与所述排放端口对齐。3.根据权利要求1所述的设备，其中，在俯视时，所述供应端口设置在没有形成所述上壁部的所述通孔的位置处。4.根据权利要求1所述的设备，其中，通过所述通孔形成的所述流动路径的长度大于或等于所述缓冲构件的总高度的30％且小于所述缓冲构件的总高度。5.根据权利要求1所述的设备，其中，所述缓冲构件进一步包括从所述上壁部向下延伸的内壁部，以增加所述通孔的所述流动路径的长度，且其中，通过所述侧壁部、所述上壁部以及所述内壁部形成缓冲空间。6.根据权利要求1所述的设备，所述设备进一步包括：板构件，所述板构件位于所述缓冲构件的上方，且在俯视时，设置在与所述通孔重叠的位置，所述板构件与所述缓冲构件间隔开。7.根据权利要求6所述的设备，其中，所述板构件包括上表面、下表面以及侧表面，其中，所述上表面的面积大于所述下表面的面积，且所述上表面与所述下表面并排设置以面对所述下表面，且其中，所述侧表面连接所述上表面及所述下表面，并形成为朝顶部向上倾斜。8.根据权利要求1所述的设备，其中，在所述容器中形成第一底面，所述第一底面配置为界定所述处理空间，其中，在所述第一底面上形成预定深度的凹槽，并通过所述凹槽形成第二底面，且其中，所述供应端口以及所述排放端口设置在所述第二底面的区域中。9.根据权利要求8所述的设备，其中，所述缓冲构件放置在所述第二底面上，且其中，放置在所述第二底面上的所述缓冲构件的上表面在平行于所述第一底面的位置。10.根据权利要求1所述的设备，其中，在俯视时，所述缓冲构件具有圆形形状。11.根据权利要求1所述的设备，其中，所述处理流体被加热至高于室温的温度，并供应至所述处理空间。12.根据权利要求1所述的设备，其中，所述处理流体为超临界流体。
13.一种装填构件，所述装填构件用于填充基板处理设备中的处理空间的部分体积，所述基板处理设备包括配置为提供密封型处理空间的容器、配置为将处理流体供应至所述处理空间的供应端口、以及配置为排放所述处理空间中的气氛的排放端口，所述装填构件包括：板构件，所述板构件设置在基板...
【专利技术属性】
技术研发人员：诸振模，吴承勋，崔永燮，朴美昭，禹钟贤，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：
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