电镀电源装置制造方法及图纸

一种电镀电源装置，其特征在于包括：整流器，用于整流交流电源来的交流电压；降压斩波器，包含根据脉宽调制信号控制导通期间的半导体开关元件，用于通过上述半导体开关元件的导通及非导通，降低由上述整流器提供的整流电压；直流交流变换器，用于将降压斩波器来的直流电压变换为交流电压后提供给电镀电极。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电镀电源装置，尤其与提供交流电流的电镀电源装置有关。
技术介绍
现用的提供交流电流的电镀电源装置大多使用于双面通孔的印刷电路板的电镀。图7示出此种电镀电源装置的一例。在该电源装置之中，由三相商用交流电源而来的三相交流电压通过输入端整流器2以及滤波电容器4整流。被整流及滤波后的电压通过变频器6变换为数KHz至数十KHz的高频电压。变频器6虽未图示但通常都使用IGBT及FET等半导体开关元件构成全电桥电路，上述半导体开关元件导通期间由控制电路8控制。由变频器6而来的高频电压通过变压器10变压，降低到规定电压值。变压后的高频电压由输出端整流器12整流，由电抗线圈14a、14b滤波。电抗线圈14a、14b卷绕在同一个磁芯之上。该经过整流及滤波的电压由变频器16变换为数十及数百Hz的低频交流电压，通过直流电抗线圈18a、18b以及电镀槽的电镀电极20a、20b，提供给电镀件。由于变频器16也是将IGBT及FET等半导体开关元件与全电桥电路连接的，因而这些半导体开关元件导通期间，由控制电路22控制。在该电镀电源装置之中，用于变频器6的IGBT及FET的能耗大。此外，设置在变频器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：荒川亨，樱田诚，西冈吉行，森田修二，
申请(专利权)人：株式会社三社电机制作所，
类型：发明
国别省市：