【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光致抗蚀剂膜的干式室清洁
通过引用并入
[0001]PCT申请表作为本申请的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的PCT申请表中所标识的本申请要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。
技术介绍
[0002]诸如集成电路之类的半导体设备的加工是涉及光刻术的多步骤处理。一般来说，该处理包括在晶片上沉积材料、以及经由光刻技术对该材料图案化，以形成半导体设备的结构特征(例如，晶体管和电路系统)。在本领域中公知的典型光刻处理的步骤包括：准备衬底；例如通过旋转涂布以施加光致抗蚀剂；将该光致抗蚀剂暴露于所期望的图案的光线，使得该光致抗蚀剂的经暴露区域变得更加溶于或更加不溶于显影剂溶液中；通过施加显影剂溶液进行显影，以移除光致抗蚀剂的经暴露区域或者未暴露区域；以及后续处理，例如通过蚀刻或材料沉积以在光致抗蚀剂所移除的衬底区域上创造特征。
[0003]半导体设计的演进形成在半导体衬底材料上创造越来越小的特征的需求，并由在半导体衬底材料上创造越来越小的特征的能力驱使半导体设计的演进。在“摩尔定律”中，这种技术进程的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种清洁处理室的方法，所述方法包括：在处理室中提供半导体衬底，在所述半导体衬底的衬底层上具有干式沉积的含金属抗蚀剂膜；以及将蚀刻气体引入所述处理室中，其中在所述处理室的一或更多个表面上形成第一厚度的干式沉积的含金属抗蚀剂材料，其中所述蚀刻气体去除所述第一厚度的所述干式沉积的含金属抗蚀剂材料。2.根据权利要求1所述的方法，其还包括：通过在所述处理室的所述一或更多个表面上形成第二厚度的所述干式沉积的含金属抗蚀剂材料来调节所述处理室的所述一或更多个表面。3.根据权利要求1所述的方法，其还包括：在引入所述蚀刻气体后清扫所述处理室，以从所述处理室去除残留蚀刻气体。4.根据权利要求3所述的方法，其中清扫所述处理室包括使惰性气体和/或反应性气体流入所述处理室，其中所述处理室被加热至介于约20℃与约140℃之间的升高的温度，其中所述处理室被抽排至介于约0.1托与约6托之间的室压强。5.根据权利要求3所述的方法，其中清扫所述处理室包括使所述处理室的所述一或更多个表面暴露于基于远程等离子体的处理，以去除所述残留蚀刻气体，其中所述基于远程等离子体的处理包括基于氟的化学物质。6.根据权利要求3所述的方法，其中清扫所述处理室包括使所述处理室的所述一或更多个表面暴露于臭氧和/或氧气流，以去除所述残留蚀刻气体。7.根据权利要求1所述的方法，其还包括：在引入所述蚀刻气体之前，加热所述处理室的所述一或更多个表面至升高的温度，其中所述升高的温度介于约20℃与约140℃之间。8.根据权利要求7所述的方法，其中所述升高的温度介于约80℃与约120℃之间。9.根据权利要求7所述的方法，其中所述蚀刻气体包括卤化氢、氢气和卤素气体、三氯化硼、或其组合。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述卤化氢包括HCl。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻气体包括选自由溴化氢(HBr)、氯化氢(HCl)、碘化氢(HI)、三氯化硼(BCl3)、亚硫酰氯(SOCl2)、氯(Cl2)、溴(Br2)、碘(I2)、三溴化硼(BBr3)、氢(H2)、三氯化磷(PCl3)、甲烷(CH4)、甲醇(CH3OH)、氨(NH3)、甲酸(CH2O2)、三氟化氮(NF3)、氟化氢(HF)及其组合所组成的群组的气体的远程等离子体。12.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一厚度的所述干式沉积的含金属抗蚀剂材料的去除在未暴露于等离子体的情况下发生。13.根据权利要求1
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12中任一项所述的方法，其还包括：抽排所述处理室至介于约0.1托与约6托之间的室压强；加热所述处理室的所述一或更多个表面至介于约20℃与约140℃之间的升高的温度；以及在引入所述蚀刻气体之前，将虚拟晶片引入所述处理室中。14.根据权利要求1
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12中任一项所述的方法，其中提供所述半导体衬底包括：在所述处理室中，在所述衬底层上形成所述干式沉积的含金属抗蚀剂膜。
15.根据权利要求1
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12中任一项所述的方法，其中提供所述半导体衬底包括在所述处理室中烘烤所述干式沉积的含金属抗蚀剂膜。16.根据权利要求1
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12中任一项所述的方法，其中提供所述半导体衬底包括在所述处理室中干式显影所述干式沉积...
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