反相器电路制造技术

本发明专利技术公开了一种可抑制高压侧开关元件截止时产生的负的电涌电压的反相器电路。反相器电路具备串联连接于电源电位Ｖｃｃ与ＧＮＤ电位之间的ＩＧＢＴ３、４；和分别控制ＩＧＢＴ３、４的驱动用的ＨＶＩＣ１和ＬＶＩＣ２。另外，反相器电路具备电容器５、二极管６和电阻７。电容器５连接于ＶＳ端子与ＧＮＤ电位之间。二极管６在ＶＳ端子与ＧＮＤ电位之间，按从ＧＮＤ电位向ＶＳ端子正向流过的电流的极性，串联连接于电容器５上。电阻７并联连接于电容器５上。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种反相器电路。
技术介绍
通常，反相器电路具备串联连接于电源电位与GND电位之间的高压侧开关元件和低压侧开关元件；和分别控制高压侧开关元件和低压侧开关元件的驱动的高压侧驱动电路和低压侧驱动电路。另外，现有的关于反相器电路的技术公开于下述的专利文献1-4中。专利文献1特开2003-178895号公报专利文献2特开平9-219977号公报专利文献3特开平10-42575号公报专利文献4国际公开第01/59918号文件但是，现有的反相器电路中存在以下问题。反相器电路在高压侧开关元件截止时，变为反并联连接于低压侧开关元件上的FWD(下臂(arm)FWD)的回流模式。此时，在反相器电路的输出端子产生作为高压侧开关元件的截止di/dt与下臂FWD的回流环电感的积所得到的负的电涌(surge)电压。若该电涌电压为规定值以上，则成为高压侧驱动电路的破坏和误操作的原因。因为开关电流越大，电涌电压也越大，所以难以实现反相器电路的大电流化。
技术实现思路
本专利技术为了解决上述问题而作出，其目的在于得到一种抑制在高压侧开关元件截止时产生的负的电涌电压的反相器电路。根据第1专利技术，一种反相本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种反相器电路，具备：串联连接于电源电位与ＧＮＤ电位之间的高压侧开关元件（３）和低压侧开关元件（４）；高压侧驱动电路（１），具有连接于所述高压侧开关元件的电流流出端子上的、提供高电位侧内部电路的基准电位的端子（ＶＳ端子）；　 　连接于所述ＶＳ端子与所述ＧＮＤ电位之间的电容器（５）；二极管（６），在所述ＶＳ端子与所述ＧＮＤ电位之间，以从所述ＧＮＤ电位向所述ＶＳ电位正向流过的电流的极性，串联连接于所述电容器上；和并联连接于所述二极管和所述电容器至 少之一上的电阻（７、８）。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：岩上徹，濑尾护，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]