开关管的栅极驱动电阻的参数确定方法、装置及电路制造方法及图纸

技术编号:33793520 阅读:32 留言:0更新日期:2022-06-12 14:52
本发明专利技术公开了一种开关管的栅极驱动电阻的参数确定方法、装置及电路,其中,方法包括:将获取到的总开通时间和开通驱动电压输入第一开通栅极电阻模型,获得栅极驱动电阻的开通阻值上限,将获取到的最大母线电压和相电压变化率输入第二开通栅极电阻模型,获得栅极驱动电阻的开通阻值下限,将最大母线电压和相电压变化率输入关断栅极电阻模型,获得栅极驱动电阻的关断阻值下限,并通过开通阻值上限和开通阻值下限确定栅极驱动电阻的开通阻值区间,以及开通阻值上限和关断阻值下限确定栅极驱动电阻的关断阻值区间,再通过开通阻值区间和关断阻值区间较准确地确定栅极驱动电阻的阻值,能够降低开关损耗,提高电机的安全性、稳定性。稳定性。稳定性。

【技术实现步骤摘要】
开关管的栅极驱动电阻的参数确定方法、装置及电路


[0001]本专利技术涉及逆变器
,尤其涉及一种开关管的栅极驱动电阻的参数确定方法、装置及电路。

技术介绍

[0002]随着人们生活水平的逐渐提高,越来越多的车辆走进千家万户,为人们的出行提供便利。在相关技术中,在高输入电压的车辆压缩机逆变器系统中,采用碳化硅MOS管来降低损耗,提高逆变器效率,但是,存在无法确定碳化硅MOS管的栅极驱动电阻的参数的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此,本专利技术的第一个目的在于提出一种开关管的栅极驱动电阻的参数确定方法,通过确定栅极电阻模型以及获取开关管的总开通时间、最大母线电压、相电压变化率和开关管的开通驱动电压,较准确地确定栅极驱动电阻的阻值,从而在采用该阻值的电阻作为开关管驱动控制电路中开关管的栅极驱动电阻时,能够降低开关损耗,提高电机的安全性、稳定性。
[0004]本专利技术的第二个目的在于提出一种开关管的栅极驱动电阻的参数确定装置。
[0005]本专利技术的第三个目的在于提出一种计算机可读存储介质。
[0006]本专利技术的第四个目的在于提出一种开关管驱动控制电路。
[0007]本专利技术的第五个目的在于提出一种电机控制系统。
[0008]本专利技术的第六个目的在于提出一种压缩机。
[0009]本专利技术的第七个目的在于提出一种车辆。
[0010]为达上述目的,本专利技术第一方面实施例提出了一种开关管的栅极驱动电阻的参数确定方法,该方法包括:确定第一开通栅极电阻模型和第二开通栅极电阻模型,并确定关断栅极电阻模型;获取开关管的总开通时间,并获取最大母线电压和相电压变化率,以及获取开关管的开通驱动电压;将总开通时间和开通驱动电压输入第一开通栅极电阻模型,获得栅极驱动电阻的开通阻值上限,并将最大母线电压和相电压变化率输入第二开通栅极电阻模型,获得栅极驱动电阻的开通阻值下限,以及将最大母线电压和相电压变化率输入关断栅极电阻模型,获得栅极驱动电阻的关断阻值下限;根据开通阻值上限和开通阻值下限确定栅极驱动电阻的开通阻值区间,并根据开通阻值上限和关断阻值下限确定栅极驱动电阻的关断阻值区间,以及根据开通阻值区间和关断阻值区间确定栅极驱动电阻的阻值。
[0011]根据本专利技术实施例的开关管的栅极驱动电阻的参数确定方法,通过将获取到的总开通时间和开通驱动电压输入第一开通栅极电阻模型,获得栅极驱动电阻的开通阻值上限,将获取到的最大母线电压和相电压变化率输入第二开通栅极电阻模型,获得栅极驱动电阻的开通阻值下限,将最大母线电压和相电压变化率输入关断栅极电阻模型,获得栅极驱动电阻的关断阻值下限,并通过开通阻值上限和开通阻值下限确定栅极驱动电阻的开通阻值区间,以及通过开通阻值上限和关断阻值下限确定栅极驱动电阻的关断阻值区间,进
而通过开通阻值区间和关断阻值区间较准确地确定栅极驱动电阻的阻值,从而在采用该阻值的电阻作为开关管驱动控制电路中开关管的栅极驱动电阻时,能够降低开关损耗,提高电机的安全性、稳定性。
[0012]另外,根据本专利技术上述实施例的开关管的栅极驱动电阻的参数确定方法,还可以具有如下附加特征:
[0013]根据本专利技术的一个实施例,第一开通栅极电阻模型根据以下关系式进行表达:
[0014]ton=λ1*f1(VDD,RG_on1)
[0015]其中,ton为总开通时间,λ1为第一降额参数,VDD为开通驱动电压,RG_on1为开通阻值上限,f1(VDD,RG_on1)为第一开通栅极电阻模型对应的函数表达式。
[0016]根据本专利技术的一个实施例,第二开通栅极电阻模型根据以下关系式进行表达:
[0017]ΔV=λ2*f2(VDC,RG_on2)
[0018]其中,ΔV为相电压变化率,λ2为第二降额参数,VDC为最大母线电压,RG_on2为开通阻值下限,f2(VDC,RG_on2)为第二开通栅极电阻模型对应的函数表达式。
[0019]根据本专利技术的一个实施例,关断栅极电阻模型根据以下关系式进行表达:
[0020]ΔV=λ3*f3(VDC,RG_off2)
[0021]其中,ΔV为相电压变化率,λ3为第三降额参数,VDC为最大母线电压,RG_off2为关断阻值下限。
[0022]根据本专利技术的一个实施例,开关管为碳化硅MOS管。
[0023]为达上述目的,本专利技术第二方面实施例提出了一种开关管的栅极驱动电阻的参数确定装置,包括:第一确定模块,用于确定第一开通栅极电阻模型和第二开通栅极电阻模型,并确定关断栅极电阻模型;获取模块,用于获取开关管的总开通时间,并获取最大母线电压和相电压变化率,以及获取开关管的开通驱动电压;第二确定模块,用于将总开通时间和开通驱动电压输入第一开通栅极电阻模型,获得栅极驱动电阻的开通阻值上限,并将最大母线电压和相电压变化率输入第二开通栅极电阻模型,获得栅极驱动电阻的开通阻值下限,以及将最大母线电压和相电压变化率输入关断栅极电阻模型,获得栅极驱动电阻的关断阻值下限;第二确定模块还用于,根据开通阻值上限和开通阻值下限确定栅极驱动电阻的开通阻值区间,并根据开通阻值上限和关断阻值下限确定栅极驱动电阻的关断阻值区间,以及根据开通阻值区间和关断阻值区间确定栅极驱动电阻的阻值。
[0024]根据本专利技术实施例的开关管的栅极驱动电阻的参数确定装置,通过第一确定模块确定第一开通栅极电阻模型、第二开通栅极电阻模型和关断栅极电阻模型,第二确定模块将总开通时间和开通驱动电压输入第一开通栅极电阻模型,获得栅极驱动电阻的开通阻值上限,并将最大母线电压和相电压变化率输入第二开通栅极电阻模型,获得栅极驱动电阻的开通阻值下限,以及将最大母线电压和相电压变化率输入关断栅极电阻模型,获得栅极驱动电阻的关断阻值下限,以及第二确定模块根据开通阻值上限和开通阻值下限确定栅极驱动电阻的开通阻值区间,并根据开通阻值上限和关断阻值下限确定栅极驱动电阻的关断阻值区间,进而通过开通阻值区间和关断阻值区间较准确地确定栅极驱动电阻的阻值,从而在采用该阻值的电阻作为开关管驱动控制电路中开关管的栅极驱动电阻时,能够降低开关损耗,提高电机的安全性、稳定性。
[0025]为达上述目的,本专利技术第三方面实施例提出了一种计算机可读存储介质,其上存
储有开关管的栅极驱动电阻的参数确定程序,该开关管的栅极驱动电阻的参数确定程序被处理器执行时实现上述任一实施例描述的开关管的栅极驱动电阻的参数确定方法。
[0026]根据本专利技术实施例的计算机可读存储介质,存储的开关管的栅极驱动电阻的参数确定程序被处理器执行时,通过执行上述的开关管的栅极驱动电阻的参数确定方法,可以通过开通阻值区间和关断阻值区间较准确地确定栅极驱动电阻的阻值,从而在采用该阻值的电阻作为开关管驱动控制电路中开关管的栅极驱动电阻时,能够降低开关损耗,提高电机的安全性、稳定性。
[0027]为达上述目的,本专利技术第四方面实施例提出了一种开关管驱动控制电本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种开关管的栅极驱动电阻的参数确定方法,其特征在于,包括:确定第一开通栅极电阻模型和第二开通栅极电阻模型,并确定关断栅极电阻模型;获取所述开关管的总开通时间,并获取最大母线电压和相电压变化率,以及获取所述开关管的开通驱动电压;将所述总开通时间和所述开通驱动电压输入所述第一开通栅极电阻模型,获得所述栅极驱动电阻的开通阻值上限,并将所述最大母线电压和相电压变化率输入所述第二开通栅极电阻模型,获得所述栅极驱动电阻的开通阻值下限,以及将所述最大母线电压和相电压变化率输入所述关断栅极电阻模型,获得所述栅极驱动电阻的关断阻值下限;根据所述开通阻值上限和所述开通阻值下限确定所述栅极驱动电阻的开通阻值区间,并根据所述开通阻值上限和所述关断阻值下限确定所述栅极驱动电阻的关断阻值区间,以及根据所述开通阻值区间和所述关断阻值区间确定所述栅极驱动电阻的阻值。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一开通栅极电阻模型根据以下关系式进行表达:ton=λ1*f1(VDD,RG_on1)其中,ton为所述总开通时间,λ1为第一降额参数,VDD为所述开通驱动电压,RG_on1为所述开通阻值上限,f1(VDD,RG_on1)为所述第一开通栅极电阻模型对应的函数表达式。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二开通栅极电阻模型根据以下关系式进行表达:ΔV=λ2*f2(VDC,RG_on2)其中,ΔV为所述相电压变化率,λ2为第二降额参数,VDC为所述最大母线电压,RG_on2为所述开通阻值下限,f2(VDC,RG_on2)为所述第二开通栅极电阻模型对应的函数表达式。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述关断栅极电阻模型根据以下关系式进行表达:ΔV=λ3*f3(VDC,RG_off2)其中,ΔV为所述相电压变化率,λ3为第三降额参数,VDC为最大母线电压,RG_off2为所述关断阻值下限。5.根据权利要求1

4中任一项所述的方法,其特征在于,所述开关管为碳化硅MOS管。6.一种开关管的栅极驱动电阻的参数确定装置,其特征在于,包括:第一确定模块,用于确定第一开通栅极电阻模型和第二开通栅极电阻模型,并确定关断栅极电阻模型;获取模块,用于获取所述开关管的总开通时间,并获取最大母线电压和相电压变化率,以及获取所述开关管的开通驱动电压;第二确定模块,用于将所述总开通时间和所述开通驱动电压输入所述第一开通栅极电阻模型,获得所述栅极驱动电阻的开通阻值上限,并将所述最大母线电压和相电压变化率输入所述第二开通栅极电阻模型,获得所述栅极驱动电阻的开通阻值下限,以及将所述最大母线电压和相电压变化率输入所述关断栅极电阻模型,获得所述栅极驱动电阻的关断阻值下限;所述第二确定模块还用于,根据所述开通阻值上限和所述开通阻值下限确定所述栅极驱动电阻的开通阻值区间,并根据所述开通阻值上限和所述关断阻值下限确定所述栅极驱
动电阻的关断阻值区间,以及根据所述开通阻值区间和所述关断阻值区间确定所述栅极驱动电阻的阻值。7.一种计算机可读存储介质,其特征在于,其上存储有开关管的栅极驱动电阻的参...

【专利技术属性】
技术研发人员:石宏康秦飞祥李俊龙
申请(专利权)人:广东威灵汽车部件有限公司
类型:发明
国别省市:

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