【技术实现步骤摘要】
一种新型驱动拓扑
[0001]本技术涉及电力电子
，尤其涉及一种适用于半桥电路的SiC MOSFET的新型驱动拓扑。
技术介绍
[0002]如今，针对大功率应用场合，广泛应用的开关器件包括由硅IGBT和快恢复二极管组成的IGBT模块和SiC MOSFET功率模块，碳化硅半导体材料制作而成的SiC MOSFET可以取得如下优势：在高击穿场强下，实现更高水平掺杂，因而其导通电阻更小，在同功率水平下可以降低导通损耗，提高系统效率。还可以减小开关损耗，提高变换器效率；SiC MOSFET载流子漂移速度快，4H
‑
SiC的漂移速度是Si的漂移速度的两倍。进而，其可实现更高的开关频率，工作频率高频化，实现外围器件的小型化；SiC MOSFET的导热能力更强，这也将进一步减少散热系统的体积。简化散热设施。目前量产的SiC MOSFET功率模块，在工业领域的电源与光伏发电的场合获得广泛的应用，其内部大多是半桥电路的二合一结构，模块结构可以优化内部寄生电感。
[0003]但是应用SiC MOSFET可能造成开关...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种新型驱动拓扑，适用于半桥电路的碳化硅金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括原边逻辑处理单元、上桥臂隔离单元、下桥臂隔离单元、上桥臂副边逻辑处理单元、下桥臂副边逻辑处理单元、上桥臂多电平驱动电路、下桥臂多电平驱动电路、上桥臂驱动电阻网络、下桥臂驱动电阻网络、上桥臂关断漏极电流检测反馈电路和下桥臂关断漏极电流检测反馈电路；原边逻辑处理单元包括第一输出端和第二输出端；第一输出端连接至上桥臂隔离单元的输入端，上桥臂隔离单元的输出端连接至上桥臂副边逻辑处理单元的输入端，上桥臂副边逻辑处理单元的输出端连接至上桥臂多电平驱动电路的输入端，上桥臂多电平驱动电路的输出端通过上桥臂驱动电阻网络连接至第一SiCMOSFET的栅极，第一SiC MOSFET的功率源极连接至上桥臂关断漏极电流检测反馈电路的输入端，上桥臂关断漏极电流检测反馈电路的输出端连接至所述上桥臂副边逻辑处理单元；第二输出端连接至下桥臂隔离单元的输入端，下桥臂隔离单元的输出端连接至下桥臂副边逻辑处理单元的输入端，下桥臂副边逻辑处理单元的输出端连接至下桥臂多电平驱动电路的输入端，下桥臂多电平驱动电路的输出端通过下桥臂驱动电阻网络连接至第二SiCMOSFET的栅极，第二SiC MOSFET的功率源极连接至下桥臂关断漏极电流检测反馈电路的输入端，下桥臂关断漏极电流检测反馈电路的输出端连接至所述下桥臂副边逻辑处理单元；信息流1从原边逻辑处理单元的输入端输入，经原边逻辑处理单元分流输出信号相同的信息流2_H、信息流2_L；上桥臂隔离单元接收所述信息流2_H并输出信息流3_H，上桥臂副边逻辑处理单元接收信息流3_H并输出电压选择使能信息流4_H，上桥臂多电平驱动电路接收信息流4_H并输出带有足够驱动功率的多电平驱动信号V
GG_H
，信号V
GG_H
经上桥臂驱动电阻网络输入第一SiCMOSFET的栅极，上桥臂关断漏极电流检测反馈电路采集第一SiCMOSFET...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭希铮，游小杰，李艳，郝瑞祥，王琛琛，王剑，周明磊，部旭聪，余宝伟，
申请(专利权)人：北京交通大学，
类型：新型
国别省市：
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