【技术实现步骤摘要】
桥式逆变电源装置丰支术领域本专利技术涉及电力电子
，特别是涉及逆变型开关电源装置的驱动电 路布置。
技术介绍
现有技术电力场效应晶体管MOSFET、绝缘栅双极型晶体管IGBT及其他绝缘 栅场控半导体开关器件的驱动电路，均布置在逆变桥以外的空间，驱动脉冲用双绞导线传送 到逆变桥的每一桥臂开关器件。在控制电路板上，其驱动脉冲传输导线既不能做到最短，也 难于做到等长。驱动脉冲因驱动脉冲传输导线过长和不等长所带来的时延和相位差，可导致 各开关器件承受电压分配不均。导线过长和不等长送来幅度参差不齐的驱动脉冲电压，轻者 造成开关器件导通深度不一致、功耗不等，重者会造成栅极过电压损伤。同时，由于高频电 力变压器及其他高频电力部分同过长的脉冲传输导线近场(电场和磁场)交链，感生的干扰 电压会叠加在驱动脉冲之上。为了安全须将逆变频率限制在20kHZ左右，最高不超过50kHZ。 限制了逆变型开关电源的应用频率。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于避免上述现有技术的不足之处而提出一种缩 短驱动脉冲传输导线且保证驱动电路至各电力开关器件的驱动脉冲传输导线等长度的桥式逆 变电源装置。...
【技术保护点】
一种桥式逆变电源装置，包括驱动电路（１）、各电力开关器件（２）和高频电力变压器（３），所述驱动电路（１）借助各驱动脉冲传输导线（４）分别与各电力开关器件电连接，其特征在于： 所述驱动电路（１）设置在所述各电力开关器件（２）对称布置围成区域的几何中心，各电力开关器件（２）距离所述几何中心等长度。
【技术特征摘要】
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