手动输入直观演示桥式斩波与逆变实验电路制造技术

手动输入直观演示桥式斩波与逆变实验电路，属于电学实验领域，本发明专利技术为解决现有显示桥式斩波电路和逆变电路的实验电路结构复杂、不易理解的问题。本发明专利技术所述手动输入直观演示桥式斩波与逆变实验电路包括驱动信号手动输入开关S1、斩波或逆变功能选择开关S2、七个电阻、第一发光二极管D1、第二发光二极管D2、五个开关管，所述开关管采用IGBT管、NMOS管、PMOS管、NPN三极管、PNP三极管或GTO晶闸管实现，斩波或逆变功能选择开关S2用于选择演示电路的种类，驱动信号手动输入开关S1用于手动输入驱动信号，通过观察第一发光二极管D1和第二发光二极管D2的亮灭来实现演示斩波或逆变电路的实时状态。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及手动输入直观演示桥式斩波与逆变实验电路，属于电学实验领域。
技术介绍
在电力电子技术中，桥式斩波电路和逆变电路是主要的和常用的电路形式。在电力电子技术学习中，学习掌握桥式斩波电路和逆变电路也是很重要的。其中一种主要的学习方法是进行桥式斩波电路和逆变电路实验。但是，在进行这类实验时，还是会遇到电路结构复杂和不易理解的问题。
技术实现思路
本专利技术目的是为了解决现有显示桥式斩波电路和逆变电路的实验电路结构复杂、不易理解的问题，提供了一种手动输入直观演示桥式斩波与逆变实验电路。 本专利技术所述手动输入直观演示桥式斩波与逆变实验电路共有六个技术方案第一个技术方案采用IGBT实现，所述手动输入直观演示桥式斩波与逆变实验电路包括驱动信号手动输入开关SI、斩波或逆变功能选择开关S2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第一发光二极管D1、第二发光二极管D2、第一 IGBT管II、第二 IGBT管12、第三IGBT管13、第四IGBT管14和第五 IGBT 管 15，驱动信号手动输入开关SI的一端连接电源Vcc,驱动信号手动输入开关SI的另一端与第一电阻Rl的一端相连，第一电阻Rl的另一端接电源地；驱动信号手动输入开关SI的另一端同时还与第二电阻R2的一端相连，第二电阻R2的另一端与第一 IGBT管Il的栅极相连，第一 IGBT管Il的集电极与第三电阻R3的一端相连，第三电阻R3的另一端连接电源Vcc，第一 IGBT管Il的发射极接电源地；驱动信号手动输入开关SI的另一端同时还与第二 IGBT管12的栅极相连，第二IGBT管12的集电极连接电源Vcc，第二 IGBT管12的发射极与第三IGBT管13的集电极相连，第三IGBT管13的发射极接电源地；驱动信号手动输入开关SI的另一端同时还与第六电阻R6的一端相连,第六电阻R6的另一端与第五IGBT管15的栅极相连，第五IGBT管15的发射极接电源地，第五IGBT管15的集电极与第四IGBT管14的发射极相连，第四IGBT管14的集电极连接电源Vcc，第四IGBT管14的栅极与斩波或逆变功能选择开关S2的一端相连，斩波或逆变功能选择开关S2的另一端与第一 IGBT管Il的集电极相连；斩波或逆变功能选择开关S2的一端同时还与第四电阻R4的一端相连，第四电阻R4的另一端与第五电阻R5的一端相连,第五电阻R5的另一端接电源地，第四电阻R4的另一端同时还与第三IGBT管13的栅极相连，第三IGBT管13的集电极同时还与第七电阻R7的一端相连，第七电阻R7的另一端同时连接第一发光二极管Dl的阳极和第二发光二极管D2的阴极，第一发光二极管Dl的阴极和第二发光二极管D2的阳极同时连接第五IGBT管15的集电极。第二个技术方案采用NMOS实现，所述手动输入直观演示桥式斩波与逆变实验电路包括驱动信号手动输入开关SI、斩波或逆变功能选择开关S2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第一发光二极管D1、第二发光二极管D2、第一 NMOS管G1、第二 NMOS管G2、第三NMOS管G3、第四NMOS管G4和第五 NMOS 管 G5，驱动信号手动输入开关SI的一端连接电源Vcc,驱动信号手动输入开关SI的另一端与第一电阻Rl的一端相连，第一电阻Rl的另一端接电源地；驱动信号手动输入开关SI的另一端同时还与第二电阻R2的一端相连，第二电阻R2的另一端与第一 NMOS管Gl的栅极相连，第一 NMOS管Gl的漏极与第三电阻R3的一端相连，第三电阻R3的另一端连接电源Vcc，第一 NMOS管Gl的源极接电源地；驱动信号手动输入开关SI的另一端同时还与第二 NMOS管G2的栅极相连，第二NMOS管G2的漏极连接电源Vcc，第二 NMOS管G2的源极与第三NMOS管G3的漏极相连，第三NMOS管G3的源极接电源地；驱动信号手动输入开关SI的另一端同时还与第六电阻R6的一端相连,第六电阻R6的另一端与第五NMOS管G5的栅极相连，第五NMOS管G5的源极接电源地，第五NMOS管G5的漏极与第四NMOS管G4的源极相连，第四NMOS管G4的漏极连接电源Vcc，第四NMOS管G4的栅极与斩波或逆变功能选择开关S2的一端相连，斩波或逆变功能选择开关S2的另一端与第一 NMOS管Gl的漏极相连；斩波或逆变功能选择开关S2的一端同时还与第四电阻R4的一端相连，第四电阻R4的另一端与第五电阻R5的一端相连,第五电阻R5的另一端接电源地，第四电阻R4的另一端同时还与第三NMOS管G3的栅极相连，第三NMOS管G3的漏极同时还与第七电阻R7的一端相连，第七电阻R7的另一端同时连接第一发光二极管Dl的阳极和第二发光二极管D2的阴极，第一发光二极管Dl的阴极和第二发光二极管D2的阳极同时连接第五NMOS管G5的漏极。第三个技术方案采用PMOS实现，所述手动输入直观演示桥式斩波与逆变实验电路包括驱动信号手动输入开关SI、斩波或逆变功能选择开关S2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第一发光二极管D1、第二发光二极管D2、第一 PMOS管G1、第二 PMOS管G2、第三PMOS管G3、第四PMOS管G4和第五 PMOS 管 G5，驱动信号手动输入开关SI的一端接电源地，驱动信号手动输入开关SI的另一端与第一电阻Rl的一端相连，第一电阻Rl的另一端连接电源Vcc ；驱动信号手动输入开关SI的另一端同时还与第二电阻R2的一端相连，第二电阻R2的另一端与第一 PMOS管Gl的栅极相连，第一 PMOS管Gl的漏极与第三电阻R3的一端相连，第三电阻R3的另一端接电源地，第一 PMOS管Gl的源极连接电源Vcc ；驱动信号手动输入开关SI的另一端同时还与第二 PMOS管G2的栅极相连，第二PMOS管G2的漏极接电源地，第二 PMOS管G2的源极与第三PMOS管G3的漏极相连，第三PMOS管G3的源极连接电源Vcc ； 驱动信号手动输入开关SI的另一端同时还与第六电阻R6的一端相连，第六电阻R6的另一端与第五PMOS管G5的栅极相连，第五PMOS管G5的源极连接电源Vcc，第五PMOS管G5的漏极与第四PMOS管G4的源极相连，第四PMOS管G4的漏极接电源地，第四PMOS管G4的栅极与斩波或逆变功能选择开关S2的一端相连，斩波或逆变功能选择开关S2的另一端与第一 PMOS管Gl的漏极相连；斩波或逆变功能选择开关S2的一端同时还与第四电阻R4的一端相连，第四电阻R4的另一端与第五电阻R5的一端相连,第五电阻R5的另一端连接电源Vcc,第四电阻R4的另一端同时还与第三PMOS管G3的栅极相连，第三PMOS管G3的漏极同时还与第七电阻R7的一端相连，第七电阻R7的另一端同时连接第一发光二极管Dl的阳极和第二发光二极管D2的阴极，第一发光二极管Dl的阴极和第二发光二极管D2的阳极同时连接第五PMOS管G5的漏极。 第四个技术方案采用NPN三极管实现，所述手动输入直观演示桥式斩波与逆变实验电路包括驱动信号手动输入开关SI、斩波或逆变功能选择开关S2、第一电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.手动输入直观演示桥式斩波与逆变实验电路，其特征在于，它包括驱动信号手动输入开关(SI)、斩波或逆变功能选择开关(S2)、第一电阻(Rl)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第七电阻(R7)、第一发光二极管(Dl)、第二发光二极管(D2)、第一 IGBT管(Il)、第二 IGBT管(12)、第三IGBT管(13)、第四IGBT管(14)和第五IGBT管(15)， 驱动信号手动输入开关(SI)的一端连接电源Vcc，驱动信号手动输入开关(SI)的另一端与第一电阻(Rl)的一端相连，第一电阻(Rl)的另一端接电源地； 驱动信号手动输入开关(SI)的另一端同时还与第二电阻(R2)的一端相连，第二电阻(R2)的另一端与第一 IGBT管(Il)的栅极相连，第一 IGBT管(Il)的集电极与第三电阻(R3)的一端相连，第三电阻(R3)的另一端连接电源Vcc，第一 IGBT管(Il)的发射极接电源地； 驱动信号手动输入开关(SI)的另一端同时还与第二 IGBT管(12)的栅极相连，第二 IGBT管(12)的集电极连接电源Vcc，第二 IGBT管(12)的发射极与第三IGBT管(13)的集 电极相连，第三IGBT管(13)的发射极接电源地； 驱动信号手动输入开关(SI)的另一端同时还与第六电阻(R6)的一端相连,第六电阻(R6)的另一端与第五IGBT管(15)的栅极相连，第五IGBT管(15)的发射极接电源地，第五IGBT管(15)的集电极与第四IGBT管(14)的发射极相连，第四IGBT管(14)的集电极连接电源Vcc，第四IGBT管(14)的栅极与斩波或逆变功能选择开关(S2)的一端相连，斩波或逆变功能选择开关(S2)的另一端与第一 IGBT管(Il)的集电极相连； 斩波或逆变功能选择开关(S2)的一端同时还与第四电阻(R4)的一端相连，第四电阳(R4)的另一端与第五电阻(R5)的一端相连，第五电阻(R5)的另一端接电源地， 第四电阻(R4)的另一端同时还与第三IGBT管(13)的栅极相连， 第三IGBT管(13)的集电极同时还与第七电阻(R7)的一端相连，第七电阻(R7)的另一端同时连接第一发光二极管(Dl)的阳极和第二发光二极管(D2)的阴极，第一发光二极管(Dl)的阴极和第二发光二极管(D2)的阳极同时连接第五IGBT管(15)的集电极。2.手动输入直观演示桥式斩波与逆变实验电路，其特征在于，它包括驱动信号手动输入开关(SI)、斩波或逆变功能选择开关(S2)、第一电阻(Rl)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第七电阻(R7)、第一发光二极管(Dl)、第二发光二极管(D2)、第一 NMOS管(Gl)、第二 NMOS管(G2)、第三NMOS管(G3)、第四NMOS管(G4)和第五NMOS管(G5)， 驱动信号手动输入开关(SI)的一端连接电源Vcc，驱动信号手动输入开关(SI)的另一端与第一电阻(Rl)的一端相连，第一电阻(Rl)的另一端接电源地； 驱动信号手动输入开关(SI)的另一端同时还与第二电阻(R2)的一端相连，第二电阻(R2)的另一端与第一 NMOS管(Gl)的栅极相连，第一 NMOS管(Gl)的漏极与第三电阻(R3)的一端相连，第三电阻(R3)的另一端连接电源Vcc，第一 NMOS管(Gl)的源极接电源地； 驱动信号手动输入开关(SI)的另一端同时还与第二 NMOS管(G2)的栅极相连，第二NMOS管(G2)的漏极连接电源Vcc，第二 NMOS管(G2)的源极与第三NMOS管(G3)的漏极相连，第三NMOS管(G3)的源极接电源地； 驱动信号手动输入开关(SI)的另一端同时还与第六电阻(R6)的一端相连,第六电阻(R6)的另一端与第五NMOS管(G5)的栅极相连，第五NMOS管(G5)的源极接电源地，第五NMOS管(G5)的漏极与第四NMOS管(G4)的源极相连，第四NMOS管(G4)的漏极连接电源Vcc，第四NMOS管(G4)的栅极与斩波或逆变功能选择开关(S2)的一端相连，斩波或逆变功能选择开关(S2)的另一端与第一 NMOS管(Gl)的漏极相连； 斩波或逆变功能选择开关(S2)的一端同时还与第四电阻(R4)的一端相连，第四电阳(R4)的另一端与第五电阻(R5)的一端相连，第五电阻(R5)的另一端接电源地， 第四电阻(R4)的另一端同时还与第三NMOS管(G3)的栅极相连， 第三NMOS管(G3)的漏极同时还与第七电阻(R7)的一端相连，第七电阻(R7)的另一端同时连接第一发光二极管(Dl)的阳极和第二发光二极管(D2)的阴极，第一发光二极管(Dl)的阴极和第二发光二极管(D2)的阳极同时连接第五NMOS管(G5)的漏极。3.手动输入直观演示桥式斩波与逆变实验电路，其特征在于，它包括驱动信号手动输入开关(SI)、斩波或逆变功能选择开关(S2)、第一电阻(Rl)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第七电阻(R7)、第一发光二极管(Dl)、第二发光二极管(D2)、第一 PMOS管(Gl)、第二 PMOS管(G2)、第三PMOS管(G3)、第四PMOS管(G4)和第五PMOS管(G5)， 驱动信号手动输入开关(SI)的一端接电源地，驱动信号手动输入开关(SI)的另一端与第一电阻(Rl)的一端相连，第一电阻(Rl)的另一端连接电源Vcc ； 驱动信号手动输入开关(SI)的另一端同时还与第二电阻(R2)的一端相连，第二电阻(R2)的另一端与第一 PMOS管(Gl)的栅极相连，第一 PMOS管(Gl)的漏极与第三电阻(R3)的一端相连，第三电阻(R3)的另一端接电源地，第一 PMOS管(Gl)的源极连接电源Vcc; 驱动信号手动输入开关(SI)的另一端同时还与第二 PMOS管(G2)的栅极相连，第二PMOS管(G2)的漏极接电源地，第二 PMOS管(G2)的源极与第三PMOS管(G3)的漏极相连，第三PMOS管(G3)的源极连接电源Vcc ； 驱动信号手动输入开关(SI)的另一端同时还与第六电阻(R6)的一端相连,第六电阻(R6)的另一端与第五PMOS管(G5)的栅极相连，第五PMOS管(G5)的源极连接电源Vcc，第五PMOS管(G5)的漏极与第四PMOS管(G4)的源极相连，第四PMOS管(G4)的漏极接电源地，第四PMOS管(G4)的栅极与斩波或逆变功能选择开关(S2)的一端相连，斩波或逆变功能选择开关(S2)的另一端与第一 PMOS管(Gl)的漏极相连； 斩波或逆变功能选择开关(S2)的一端同时还与第四电阻(R4)的一端相连，第四电阳(R4)的另一端与第五电阳(R5)的一端相连，第五电阻(R5)的另一端连接电源Vcc， 第四电阻(R4)的另一端同时还与第三PMOS管(G3)的栅极相连， 第三PMOS管(G3)的漏极同时还与第七电阻(R7)的一端相连，第七电阻(R7)的另一端同时连接第一发光二极管(Dl)的阳极和第二发光二极管(D2)的阴极，第一发光二极管(Dl)的阴极和第二发光二极管(D2)的阳极同时连接第五PMOS管(G5)的漏极。4.手动输入直观演示桥式斩波与逆变实验电路，其特征在于，它包括驱动信号手动输入开关...

【专利技术属性】
技术研发人员：王丁，
申请(专利权)人：黑龙江大学，
类型：发明
国别省市：