半桥式逆变电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种半桥式逆变电路，包括输入直流驱动电压的输入单元、在灯丝两端产生振荡高压脉冲的振荡单元以及启动所述振荡单元的启动单元；所述振荡单元包括第一振荡回路以及第二振荡回路；其中所述第二振荡回路由电容C5的一端、灯丝FL1、电容C3、第一开关装置、电感T1a、灯丝FL2一端依次串联构成，所述电容C5的另一端与所述灯丝FL2的另一端连接，所述第一开关装置为开关晶体管VT1，开关晶体管VT1的集电极与所述电容C3连接，开关晶体管VT1的发射极与所述电感T1a的第一端连接，开关晶体管VT1的基极与所述电感T1a的第一端连接。本实用新型专利技术可降低晶体管承受电压、提高晶体管寿命和半桥式逆变电路的整体效率。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

Half bridge inverter circuit

The utility model relates to a half bridge inverter circuit includes an input unit, the input DC driving voltage oscillation of high voltage pulse oscillation unit and start the oscillation unit startup unit at both ends of the filament; the oscillation unit includes a first oscillation circuit and second oscillating circuit; wherein one end of the second oscillation capacitor C5 circuit the filament FL1, a capacitor C3, a first switch device, inductance T1a, FL2 filament is connected successively, the other end of the capacitor C5 and the filament FL2 is connected to the other end, the first switch device for switching transistors VT1, VT1 switching transistor collector is connected with the capacitor C3 switch VT1 transistor emitter and the inductor T1a is connected to one end of the first end of the base, VT1 switching transistor and the inductor connected to the T1a. The utility model can reduce the voltage of the transistor, improve the life of the transistor and the overall efficiency of the half bridge type inverter circuit.

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电路控制领域，更具体地说，涉及一种可降低晶体管承受电压的半桥式逆变电路。
技术介绍
现有应用在电子整流器中的逆变电路，由电容、电感以及灯丝组成LC网络发生串联谐振(如图1所示)，在这种电路结构中，每一个开关晶体管所承受的电压为交流电源电压有效值(如220V)的1.41倍，这样造成晶体管承受电压大，晶体管寿命短，半桥式逆变电路的整体效率低下。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的半桥式逆变电路晶体管承受电压大，晶体管的寿命缩短，半桥式逆变电路的整体效率低下的缺陷，提供一种可降低晶体管承受电压、提高晶体管寿命和半桥式逆变电路的整体效率的半桥式逆变电路。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是构造一种半桥式逆变电路，包括用于输入直流驱动电压的输入单元、用于在灯丝两端产生振荡高压脉冲的振荡单元、以及用于启动所述振荡单元的启动单元；所述振荡单元包括第一振荡回路以及第二振荡回路；其中所述第二振荡回路由电容C5的一端、灯丝FL1、电容C3、第一开关装置、电感Tla、 灯丝FL2 —端依次串联构成，所述电容C5的另一端与所述灯丝FL2的另一端连接，所述第一开关装置为开关晶体管VT1，所述开关晶体管VTl的集电极与所述电容C3连接，所述开关晶体管VTl的发射极与所述电感Tla的第一端连接，所述开关晶体管VTl的基极与所述电感Tla的第一端连接。在本技术所述的半桥式逆变电路中，所述第一振荡回路由电容C3—端、灯丝 FL1、电容C5、灯丝FL2、电感Tla、第二开关装置依次串联构成，所述电容C3另一端与所述输入单元的正极连接，所述第二开关装置为开关晶体管VT2，所述开关晶体管VT2的集电极与所述电感Tla的第一端连接，所述开关晶体管VT2的发射极与所述输入单元的负极连接，所述开关晶体管VT2的基极与所述启动单元连接。在本技术所述的半桥式逆变电路中，所述振荡单元还包括电感Tlb和电感 Tlc，所述电感Tlb设置在所述开关晶体管VTl的基极与所述电感Tla的第一端之间，所述电感Tlb的第二端与所述电感Tla的第一端连接，所述电感Tlb的第一端与所述开关晶体管VTl的基极连接，所述电感Tlc的第二端与所述开关晶体管VT2的基极连接，所述电感 Tlc的第一端与所述输入单元的负极连接；所述电感Tla的第一端、所述电感Tlb的第一端以及所述电感Tlc的第一端为同名端。在本技术所述的半桥式逆变电路中，所述启动单元包括电容C2、电阻R1、双向二极管VD2以及二极管VD1，所述电容C2分别与所述输入单元的负极、所述双向二极管 VD2的一端连接，所述双向二极管VD2的另一端与所述开关晶体管VT2的基极直接连接，所述电阻Rl分别与所述输入单元的正极、所述二极管VDl的阳极连接，所述二极管VDl的阴极与所述开关晶体管VT2的集电极连接，同时所述电容C2与所述双向二极管VD2的连接部与所述二极管VDl的阳极连接。在本技术所述的半桥式逆变电路中，所述振荡单元还包括电感Li，所述电感 Ll两端分别与所述电感Tla的第二端和所述灯丝FL2连接。在本技术所述的半桥式逆变电路中，所述输入单元还包括整流滤波子单元。本技术还构造一种半桥式逆变电路，包括用于输入直流驱动电压的输入单元、用于在灯丝两端产生振荡高压脉冲的振荡单元、以及用于启动所述振荡单元的启动单元；所述振荡单元包括第一振荡回路以及第二振荡回路；其中所述第二振荡回路由电容C5 的一端、灯丝FL1、电容C3、第一开关装置、电感Tla、灯丝FL2 —端依次串联构成，所述电容 C5的另一端与所述灯丝FL2的另一端连接，所述第一开关装置为开关晶体管VT1，所述开关晶体管VTl的集电极与所述电容C3连接，所述开关晶体管VTl的发射极与所述电感Tla的第一端连接；所述第一振荡回路由电容C3 —端、灯丝FLl、电容C5、灯丝FL2、电感Tla、第二开关装置依次串联构成，所述电容C3另一端与所述输入单元的正极连接，所述第二开关装置为开关晶体管VT2，所述开关晶体管VT2的集电极与所述电感Tla的第一端连接，所述开关晶体管VT2的发射极与所述输入单元的负极连接；所述振荡单元还包括电感Tlb和电感Tlc，所述电感Tlb的第二端与所述电感Tla 的第一端连接，所述电感Tlb的第一端与所述开关晶体管VTl的基极连接，所述电感Tlc的第二端与所述开关晶体管VT2的基极连接，所述电感Tlc的第一端与所述输入单元的负极连接；所述电感Tla的第一端、所述电感Tlb的第一端以及所述电感Tlc的第一端为同名端；所述启动单元包括电容C2、电阻R1、双向二极管VD2以及二极管VD1，所述电容C2 分别与所述输入单元的负极、所述双向二极管VD2的一端连接，所述双向二极管VD2的另一端与所述开关晶体管VT2的基极直接连接，所述电阻Rl分别与所述输入单元的正极、所述二极管VDl的阳极连接，所述二极管VDl的阴极与所述开关晶体管VT2的集电极连接，同时所述电容C2与所述双向二极管VD2的连接部与所述二极管VDl的阳极连接；所述振荡单元还包括电感Li，所述电感Ll两端分别与所述电感Tla的第二端和所述灯丝FL2连接。实施本技术的半桥式逆变电路，具有以下有益效果可降低晶体管承受电压、 提高晶体管寿命和半桥式逆变电路的整体效率，避免现有的半桥式逆变电路晶体管承受电压大，晶体管的寿命缩短，半桥式逆变电路的整体效率低下的缺陷。附图说明下面将结合附图及实施例对本技术作进一步说明，附图中图1是现有技术的半桥式逆变电路的具体电路图；图2是本技术的半桥式逆变电路的第一优选实施例的结构示意图；图3是本技术的半桥式逆变电路的第二优选实施例的结构示意图；图4是本技术的半桥式逆变电路的优选实施例的具体电路图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。原有的半桥式逆变电路如图1所示，电阻R1、电容C2及双向二极管VD2构成半桥逆变器的启动单元2。开关晶体管VT1、开关晶体管VT2、电容C3、电容C4及互感装置Tl构成振荡电路。同时开关晶体管VT1、开关晶体管VT2兼作功率开关，开关晶体管VTl和开关晶体管VT2为桥路的有源侧，电容C3、电容C4是无源支路，电感Li、电容C5及灯丝FL组成电压谐振网络。工作原理为在给电子镇流器加市电后，整流滤波后，得到约300V的直流电压。电流流经电阻Rl对启动电容C2充电，当电容C2两端电压升高到双向二极管VD2的转折电压值后，双向二极管VD2击穿；电容C2则通过开关晶体管VT2的基极-发射极放电，第一振荡回路导通。在第一振荡回路导通期间半桥上的电流路径为+VDC-电容C3-灯丝FLl-电容C5-灯丝FL2-电感Ll-电感Tla-开关晶体管VT2-地。电流随开关晶体管VT2导通程度的变化而变化，同时，流过电感Tla的电流在互感装置Tl的电感Tlb和电感Tlc两端产生感应电势，电感Tlc上的感应电势使得开关晶体管VT2基极的电位进一步升高，开关晶体管VT2集电极的电流进一步增大，这个正反馈过程，本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半桥式逆变电路，包括：用于输入直流驱动电压的输入单元（１）、用于在灯丝两端产生振荡高压脉冲的振荡单元（３）、以及用于启动所述振荡单元（３）的启动单元（２）；所述振荡单元（３）包括第一振荡回路以及第二振荡回路；其特征在于，所述第二振荡回路由电容Ｃ５的一端、灯丝ＦＬ１、电容Ｃ３、第一开关装置、电感Ｔ１ａ、灯丝ＦＬ２一端依次串联构成，所述电容Ｃ５的另一端与所述灯丝ＦＬ２的另一端连接，所述第一开关装置为开关晶体管ＶＴ１，所述开关晶体管ＶＴ１的集电极与所述电容Ｃ３连接，所述开关晶体管ＶＴ１的发射极与所述电感Ｔ１ａ的第一端连接，所述开关晶体管ＶＴ１的基极与所述电感Ｔ１ａ的第一端连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，谢万源，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94