一种优化反型结构量子点发光二极管性能的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种优化反型结构量子点发光二极管性能的制备方法，上述器件结构从下到上依次为ITO层、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和金属电极，量子点发光层经过特殊处理能够使得整体器件的各项性能得到极大的提升，且这种处理方式操作便捷，方法简单，利于推广。利于推广。利于推广。

【技术实现步骤摘要】
一种优化反型结构量子点发光二极管性能的制备方法


[0001]本专利技术属于量子点发光二极管制备领域，更具体地，涉及一种优化反型结构量子点发光二极管性能的制备方法。

技术介绍

[0002]随着时代的发展，人类社会对照明显示技术有了更高的需求。广色域，低功耗，高效率等等需求刺激着发光二极管（LED）行业蓬勃发展。由于Quantum Dots (QDs) 具有发光光谱窄、发光峰可调、色域广以及优异的溶液加工性等特点，使量子点发光二极管（QLEDs）得以迅猛发展，在显示领域与固态照明领域受到了广泛关注。
[0003]经科研人员的不懈努力正型结构量子点发光二极管已经具备了很高的效率，极低的启亮电压以及长时间的工作寿命，但是正型结构的量子点发光二极管却不能与市场主流的n型TFT直接相连。n型TFT能与反型结构的量子点发光二极管直接进行连接，然而反型结构的量子点发光二极管的制备也有其技术制约。由于反型结构得量子点发光二极管普遍采用真空热蒸镀的技术手段沉积空穴传输层，使得空穴传输层只能选择少数几种有机小分子材料，进而材料的限制便制约反型结构量子点发光二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种优化反型结构量子点发光二极管性能的制备方法，其特征在于：其器件结构从下到上依次为ITO层、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和金属电极。2.根据权利要求1所述的一种优化反型结构量子点发光二极管性能的制备方法，其特征在于：所述的电子传输层是ZnO、ZnMgO、YZO、SnO的任意一种，以旋涂的方式沉积在经过表面处理过的ITO上，并进行退火。3.根据权利要求1所述的一种优化反型结构量子点发光二极管性能的制备方法，其特征在于：所述的量子点发光层是红光量子点、绿光量子点、蓝光量子点的任意一种，以旋涂的方式沉...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡乾庆，司俊杰，孙硕，徐锐，郝晓明，杜逸航，刘祖刚，
申请(专利权)人：中国计量大学，
类型：发明
国别省市：