温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种优化反型结构量子点发光二极管性能的制备方法，上述器件结构从下到上依次为ITO层、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和金属电极，量子点发光层经过特殊处理能够使得整体器件的各项性能得到极大的提升，且这种处理方式操作...
该专利属于中国计量大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国计量大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。