晶圆缺陷检测系统的可靠性确定方法技术方案

本申请实施方式提供了一种晶圆缺陷检测系统的可靠性确定方法，包括：确定量产的缺陷晶圆的标准检测数据；采用待分析的检测系统对缺陷晶圆进行缺陷检测以获取样本检测数据；以及根据样本检测数据和标准检测数据确定待分析的检测系统的可靠性。本申请提供的可靠性确定方法中标准缺陷数据是基于实际量产的缺陷晶圆获得的，而实际量产的晶圆所具有的缺陷更能体现真实的晶圆缺陷，使得标准检测数据的真实性更高，对待分析的检测系统的可靠性评估更加准确。加准确。加准确。

【技术实现步骤摘要】
晶圆缺陷检测系统的可靠性确定方法


[0001]本申请涉及检测系统的可靠性分析
，更具体地，涉及一种晶圆缺陷检测系统的可靠性确定方法。

技术介绍

[0002]半导体元件的制造过程通常区分有前段制程与后段制程，前段制程主要包含晶圆处理制程(Wafer Fabrication，Wafer Fab)及晶圆针测制程(Wafer Probe)，后段制程则主要包含IC构装制程(IC Packaging)及具有初步测试(Initial Test)与最终测试的测试制程等几个步骤。
[0003]在Wafer Fab工艺中，缺陷扫描机台使用频率高，其结果通常作为问题分析与良率改进的重要依据，但是其检测结果的可依靠程度却没有一个系统而科学的方案来度量。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种可至少部分解决相关技术中存在的上述问题的晶圆缺陷检测系统的可靠性确定方法。
[0005]本申请提供了一种晶圆缺陷检测系统的可靠性确定方法，包括：确定量产的缺陷晶圆的标准检测数据；采用待分析的检测系统检测缺陷晶圆以获取样本检测数据；以及根据样本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆缺陷检测系统的可靠性确定方法，其特征在于，包括：确定量产的缺陷晶圆的标准检测数据；采用待分析的检测系统检测所述缺陷晶圆以获取样本检测数据；以及根据所述样本检测数据和所述标准检测数据确定所述待分析的检测系统的可靠性。2.根据权利要求1所述的可靠性确定方法，其中，确定量产的缺陷晶圆的标准检测数据，包括：采用标准的检测系统对所述缺陷晶圆进行缺陷检测，得到原始检测数据库；以及从所述原始检测数据库中确定多个缺陷数据和多个非缺陷数据，所确定的多个缺陷数据和多个非缺陷数据构成所述标准检测数据，其中，所述多个缺陷数据的个数大于所述多个非缺陷数据的个数。3.根据权利要求2所述的可靠性确定方法，其中，所述缺陷数据包括缺陷的位置在所述缺陷晶圆中的相对坐标以及缺陷的标识；所述非缺陷数据包括非缺陷的位置在所述缺陷晶圆中的相对坐标以及非缺陷的标识。4.根据权利要求3所述的可靠性确定方法，其中，所述标准的检测系统包括扫描机台，所述原始检测数据库包括采用所述扫描机台对所述缺陷晶圆进行多次缺陷扫描所获得的多个缺陷图像；其中，从所述原始检测数据库中确定多个缺陷数据和多个非缺陷数据，包括：将多个所述缺陷图像堆叠以确定出：在每个所述缺陷图像中具有相同的相对坐标、以及缺陷的标识的多个缺陷位置；以及在每个所述缺陷图像中具有相同的相对坐标、以及非缺陷的标识的多个非缺陷位置；其中，所述多个缺陷位置的相对坐标以及缺陷的标识构成所述缺陷数据；所述多个非缺陷位置的相对坐标以及非缺陷的标识构成所述非缺陷数据。5.根据权利要求4所述的可靠性确定方法，其中，所述缺陷晶圆包括中心区域和外周区域；所述多个缺陷位置和所述多个非缺陷位置分散位于所述中心区域和所述外周区域内。6.根据权利要求5所述的可靠性确定方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：林超，郭虹，董岱，徐猛，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：