【技术实现步骤摘要】
一种可检测击穿电压的双极型晶体管制造装置
[0001]本专利技术涉及电子元件生产
，尤其涉及一种可检测击穿电压的双极型晶体管制造装置。
技术介绍
[0002]由两个背靠背PN结构成的以获得电压、电流或信号增益的晶体三极管。起源于1948年专利技术的点接触晶体三极管，50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型。在这3层半导体中，中间一层称基区，外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时，在发射区和集电区之间就会形成较大的电流，这就是晶体管的放大效应。
[0003]目前在双极型晶体管在生产过程中，没有设置相关的击穿检测装置，还需人工进行检测，比较浪费时间，使得生产效率低下，所以我们提出一种可检测击穿电压的双极型晶体管制造装置，用于解决上述提出的问题。
技术实现思路
[0004]基于
技术介绍
存在双极型晶体管在生产过程中，没有设置相关的击穿检测装置，还需人工进行检测，比较浪费时间，使得生产效率低下的技术问题，本专利技术提出了一种可检测击穿电...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种可检测击穿电压的双极型晶体管制造装置，包括底座(1)，其特征在于，所述底座(1)的顶部固定安装有安装架(2)，且安装架(2)的顶部固定安装有放置罩(3)，所述放置罩(3)内设有晶体管(4)，所述安装架(2)的顶部内壁上对称固定安装有插接组件，且插接组件的数量为两个，所述晶体管(4)的两个阳极引脚分别与两个插接组件电性连接，所述放置罩(3)上连接有卡装组件，且卡装组件与晶体管(4)相卡装，所述卡装组件与安装架(2)相连接，所述底座(1)的顶部固定安装有固定箱(17)，且固定箱(17)内连接有传动组件，所述传动组件的顶部延伸至安装架(2)内并连接有接电组件，所述接电组件分别与两个插接组件相配合，所述底座(1)的顶部固定安装有位于固定箱(17)右侧的电动推杆(34)，且传动组件的右侧延伸至安装架(2)内并与电动推杆(34)的输出轴相连接。2.根据权利要求1所述的一种可检测击穿电压的双极型晶体管制造装置，其特征在于，所述插接组件包括接电罩(28)、传电杆(29)和金属杆(30)，所述接电罩(28)固定安装在安装架(2)的顶部内壁上，所述传电杆(29)贯穿接电罩(28)的底部内壁并与接电罩(28)的底部内壁固定连接，所述晶体管(4)的阳极引脚延伸至接电罩(28)内并与传电杆(29)电性插接，所述金属杆(30)贯穿传电杆(29)并与传电杆(29)滑动连接，且金属杆(30)位于安装架(2)内，所述金属杆(30)与接电组件活动电性连接。3.根据权利要求2所述的一种可检测击穿电压的双极型晶体管制造装置，其特征在于，所述金属杆(30)上套设有拉伸弹簧(31)，且拉伸弹簧(31)的两端分别与金属杆(30)和传电杆(29)固定连接。4.根据权利要求1所述的一种可检测击穿电压的双极型晶体管制造装置，其特征在于，所述卡装组件包括盖板(5)、检测构件、两个连接构件、U型杆(11)和定位构件，两个连接构件分别与放置罩(3)的左侧和右侧相连接，且盖板(5)分别与两个连接构件相连接，所述检测构件安装在盖板(5)的顶部，且检测构件分别与晶体管(4)的两个阴极引脚电性连接，所述U型杆(11)转动连接在安装架(2)的顶部，且两个连接构件均与U型杆(11)相连接，所述定位构件分别与U型杆(11)和安装架(2)的顶部相连接。5.根据权利要求4所述的一种可检测击穿电压的双极型晶体管制造装置，其特征在于，所述检测构件包括两个导电罩(7)、导电杆(8)和检测灯(9)，两个导电罩(7)均固定安装在盖板(5)的顶部，且晶体管(4)的两个阴极引脚分别与两个导电罩(7)电性插接，所述导电杆(8)分别与两个导电罩(7)电性连接，所述检测灯(9)固定安装在导电杆(8)的顶部并与导电杆(8)电性连接。6.根据权利要求4所述的一种可检测击穿电压的双极型晶体管制造装置，其特征在于，所述连接构件包括L型杆(6)、支撑弹簧(10)和拉杆(12)，所述L型杆(6)与放置罩(3)的侧面滑动连接，且L型杆(6)的顶端与盖板(5)的侧面固定连接，所述拉杆(12)的顶端与L型杆(6)转动连接，且拉杆(12)的底端与U型杆(11)的顶部转动连接，所述支撑弹簧(10)套设在L型杆(6)上，且支撑弹簧(...
【专利技术属性】
技术研发人员：程万坡，张兴杰，王荣元，
申请(专利权)人：江苏韦达半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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