测试半导体组件制造技术

一种制造半导体封装的方法(400)包含：在模制化合物中覆盖半导体裸片及耦合到所述半导体裸片的多个导电端子(402)；将所述模制化合物定位在第一对电极与第二对电极之间(404)；及将所述第一对中的可移动电极及所述第二对中的可移动电极移动到第一夹持位置中(406)。在所述第一夹持位置中，所述第一对电极及所述第二对电极中的每一者电耦合到所述多个导电端子的唯一子集。所述方法还包含由所述第一对电极将第一电压施加到所述模制化合物内的所述半导体裸片(408)；及由所述第二对电极将第二电压施加到所述模制化合物内的所述半导体裸片(410)。所述第二电压小于所述第一电压。电压。电压。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】测试半导体组件

技术实现思路

[0001]在至少一个实例中，一种制造半导体封装的方法包含：在模制化合物中覆盖半导体裸片及耦合到所述半导体裸片的多个导电端子；将所述模制化合物定位在第一对电极与第二对电极之间；及将所述第一对中的可移动电极及所述第二对中的可移动电极移动到第一夹持位置中。在所述第一夹持位置中，所述第一对电极及所述第二对电极中的每一者电耦合到所述多个导电端子的唯一子集。所述方法还包含：由所述第一对电极将第一电压施加到所述模制化合物内的所述半导体裸片；及由所述第二对电极将第二电压施加到所述模制化合物内的所述半导体裸片。所述第二电压小于所述第一电压。
[0002]在另一实例中，一种系统包含经配置以在模制化合物中接纳半导体裸片及耦合到所述半导体裸片的多个导电端子的第一对电极及第二对电极。所述第一及第二对电极中的每一者包含可移动电极。所述第一及第二对电极中的所述可移动电极经配置以在断开位置与夹持位置之间移动，且在所述夹持位置中，所述第一对电极及所述第二对电极中的每一者电耦合到所述第一多个导电端子的唯一子集。所述第一对电极经配置以将第一电压施加到所述模制化合物内的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种制造半导体封装的方法，所述方法包括：在第一模制化合物中覆盖第一半导体裸片及耦合到所述第一半导体裸片的第一多个导电端子；将所述第一模制化合物定位在第一对电极与第二对电极之间；将所述第一对中的可移动电极及所述第二对中的可移动电极移动到第一夹持位置中，其中在所述第一夹持位置中，所述第一对电极及所述第二对电极中的每一者电耦合到所述第一多个导电端子的唯一子集；由所述第一对电极将第一电压施加到所述第一模制化合物内的所述第一半导体裸片；及由所述第二对电极将第二电压施加到所述第一模制化合物内的所述第一半导体裸片；其中所述第二电压小于所述第一电压。2.根据权利要求1所述的方法，其中定位进一步包括使用转塔型装置分选机的拾取头来定位。3.根据权利要求1所述的方法，其中移动进一步包括垂直地移动所述第一及第二对电极中的所述可移动电极。4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在施加所述第一及第二电压之后，将所述第一及第二对电极中的所述可移动电极移动到断开位置中，其中在所述断开位置中，所述第一及第二对电极中的每一者中的至少一者不与所述第一多个导电端子接触；及从所述电极移除所述第一模制化合物。5.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括：在第二模制化合物中覆盖第二半导体裸片及耦合到所述第二半导体裸片的第二多个导电端子；将所述第二模制化合物定位在所述第一对电极与所述第二对电极之间；将所述第一对中的所述可移动电极及所述第二对中的所述可移动电极移动到第二夹持位置中，其中在所述第二夹持位置中，所述第一对电极及所述第二对电极中的每一者电耦合到所述第二多个导电端子的唯一子集；由所述第一对电极将第一电压施加到所述第二模制化合物内的所述第二半导体裸片；及由所述第二对电极将第二电压施加到所述第二模制化合物内的所述第二半导体裸片；其中所述第二电压小于所述第一电压；且其中所述第二模制化合物的所述导电端子的高度与所述第一模制化合物的所述导电端子的高度不同。6.根据权利要求5所述的方法，其中处于所述第一夹持位置的所述第一对电极与所述第二对电极中的每一者之间的距离与处于所述第二夹持位置的所述第一对电极与所述第二对电极中的每一者之间的距离不同。7.根据权利要求1所述的方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：埃尼斯，
申请(专利权)人：德州仪器公司，
类型：发明
国别省市：