半导体处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种半导体处理装置，其包括：第一腔室部；可相对于第一腔室部在打开位置和关闭位置之间移动的第二腔室部，其中在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置时，第一腔室部和第二腔室部之间形成有微腔室，半导体晶圆能够容纳于所述微腔室内，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述打开位置时，所述半导体晶圆能够被取出或放入；检测装置，其在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述打开位置时，发出检测光线至第二腔室部的面向所述微腔室的表面，并接收被反射回的检测光线，根据反射回的检测光线的光通量确定第二腔室部上是否有半导体晶圆。这样，可以实现微腔室内是否有所述半导体晶圆的自动检测。室内是否有所述半导体晶圆的自动检测。室内是否有所述半导体晶圆的自动检测。

【技术实现步骤摘要】
半导体处理装置


[0001]本技术涉及半导体晶圆的表面处理领域，特别涉及半导体处理装置。

技术介绍

[0002]半导体晶圆的精准边缘腐蚀工艺是一个挑战的工艺。它要求在实现晶圆边缘微米级的精准腐蚀的同时不损伤或污染保留部分的薄膜。在外延片制程中和先进集成电路制程中，晶圆边缘腐蚀工艺是确保薄膜形成质量，提升芯片良率的重要步骤。
[0003]请参考图1a至图1d，其中：图1a示出了一种半导体晶圆400的结构示意图，图1b为图1a的E
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E剖视图；图1c为外缘处理前半导体晶圆的外缘的部分剖视图；图1d为外缘处理后半导体晶圆的外缘部分的剖视图。如图1a至图1d所示，半导体晶圆400包括基材层401及形成在基材层401的第一边缘表面和第二边缘表面的薄膜层402。经过针对半导体晶圆400的外缘部分的第一边缘表面404、第二晶圆表面406和外端斜边408选择性腐蚀处理后，所述半导体晶圆400的外缘部分的薄膜层402被去除，基材层401的第一边缘表面和第二边缘表面得以暴露。
[0004]现有的晶圆边腐蚀设备可分为干法和湿本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体处理装置，其特征在于，其包括：第一腔室部；可相对于第一腔室部在打开位置和关闭位置之间移动的第二腔室部，其中在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置时，第一腔室部和第二腔室部之间形成有微腔室，半导体晶圆能够容纳于所述微腔室内，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述打开位置时，所述半导体晶圆能够被取出或放入；安装于所述微腔室外侧的检测装置，其在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述打开位置时，发出检测光线至第二腔室部的面向所述微腔室的表面，并接收被反射回的检测光线，根据反射回的检测光线的光通量确定第二腔室部上是否有半导体晶圆。2.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，在反射回的检测光线的光通量低于预定阈值时，则认为第二腔室部上存在半导体晶圆，在反射回的检测光线的光通量高于预定阈值时，则认为第二腔室部上不存在半导体晶圆。3.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述检测光线为红外线，所述检测装置包括发射器、接收器和处理器，所述发射器发出红外光线，所述接收器接收反射回的红外光线，所述处理器将反射回的红外光线的光通量与预定阈值对比以确定第二腔室部上是否半导体晶圆。4.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，发射的检测光线与第二腔室部的面向所述微腔室的表面的角度为10
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15度。5.根据权利要求1
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4任一所述的半导体处理装置，其特征在于，第一腔室部具有第一槽道，第二腔室部具有第二槽道，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置且所述微腔室内容纳有半导体晶圆时，第一槽道和第二槽道连通并与半导体晶圆的边缘共同形成边缘微处理空间，容纳于所述微腔室内的半导体晶圆的外缘伸入所述边缘微处理空间，该边缘微处理空间通过边缘处理通孔与外部相通，流体通过所述边缘处理通孔进入或流出所述边缘微处理空间，第一腔室部上具有位于第一槽道外侧的密封接合部，第二腔室部上具有与密封接合部对应的接合凹槽，所述半导体晶圆的外缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊裕斌，
申请(专利权)人：无锡华瑛微电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：