分立器件测试方法技术

本发明专利技术公开了一种分立器件测试方法，其包括以下步骤：步骤一，接触测试；步骤二，第一次栅源漏电测试；步骤三，压力测试；步骤四，阈值测试；步骤五，其他测试项目；步骤六，第二次栅源漏电测试。本发明专利技术可以较好的得到稳定、可信赖的DC参数结果，方便测试，提高测试精度和芯片质量。片质量。片质量。

【技术实现步骤摘要】
分立器件测试方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域，特别是涉及一种分立器件测试方法。

技术介绍

[0002]在半导体芯片测试领域，针对分立器件晶圆测试，一般只测试DC项目。
[0003]目前分立器件晶圆，主流都是200mm晶圆，随着市场的需求，技术不断开发，300mm分立器件晶圆制造厂也在不断增加。
[0004]目前分立器件的DC测试流程如图1所示，依次包括接触测试、栅源漏电(lgss)测试、阈值电压(vth)测试、其他测试项目、栅源漏电(lgss)测试。
[0005]在实际测试中，因某种限制，300mm晶圆需要使用厚片(未减薄)进行DC参数测试。针对200mm晶圆测试，厚片条件下，DC参数测试结果同减薄封装后测试结果一致，而且稳定；而某些300mm晶圆产品测试结果不稳定，而同减薄封装后测试结果不一致，影响芯片质量。如何使这些300mm晶圆产品的DC参数测试得到稳定、可信赖的测试结果，需要去研究。

技术实现思路

[0006]针对上述情况，为了克服现有技术的缺陷，本专利技术提供一种分立器件测试方法。
[0007]本专利技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题的：一种分立器件测试方法，其特征在于，其包括以下步骤：
[0008]步骤一，接触测试；
[0009]步骤二，第一次栅源漏电测试；
[0010]步骤三，压力测试；
[0011]步骤四，阈值测试；
[0012]步骤五，其他测试项目；
[0013]步骤六，第二次栅源漏电测试。
[0014]优选地，所述压力测试主要在分立器件的栅极、漏极、源极并在一定的时间内印加电压或者电流。
[0015]优选地，所述步骤三包括以下子步骤：
[0016]步骤三十一，针对厚度为200um～800um之间的晶圆产品在DC测试时，确认并找出某些关键测试项目是否存在重复测试、测试结果不稳定情况；
[0017]步骤三十二，如果存在不稳定情况，则要在测试流程中加入压力测试，压力测试通过针对芯片印加电压、电流，及控制好压力测试时间，经过压力测试后再行其他测试项目；
[0018]步骤三十三，如果存在不稳定情况，找出某个测试项目由不同的测试条件测试，其测试结果差别较大，以做为验证压力测试成功与否的判断；
[0019]步骤三十四，如果压力测试后，BV测试项目由不同的测试条件测试，其测试结果没有达到预期结果，则不断改变压力测试条件，直至该项目参数符合预期为止，记录此时的压力测试条件，放在DC测试流程中；
[0020]步骤三十五，在DC测试流程中加入压力测试和检验压力测试后，验证压力测试成功与否的测试项目，采用这个程序测试晶圆；
[0021]步骤三十六，通过增加压力测试的程序先测试厚片晶圆，得到相关测试结果，再把晶圆减薄后，采用未加压力测试步骤进行测试，得到相应的测试结果，这两个条件下的测试结果应该一致；
[0022]步骤三十七，如果发现测试结果由不一致，则需要改变压力测试条件，直至两者的测试结果一致；
[0023]步骤三十八，采用最终的增加压力测试条件的程序进行量产测试。
[0024]优选地，所述步骤一执行之前，如果晶圆在制造过程中，因发生变化导致测试结果不符合预期，则执行步骤三十四至步骤三十八。
[0025]优选地，所述步骤一执行之前，如果晶圆在制造过程中，因发生变化导致测试结果不符合预期，则执行步骤三十四至步骤三十八。
[0026]优选地，所述步骤一的接触测试主要确认探针与分立器件的扎针垫接触是否良好。
[0027]优选地，所述步骤一的接触测试采用加电流量测电压的方式。
[0028]优选地，所述步骤二是在分立器件的栅极按照规格印加电压，漏极与源极短路，测试栅极同源极之间的漏电流。
[0029]优选地，所述步骤四测试分立器件的开启电压。
[0030]优选地，所述步骤三执行之前，先判断DC测试结果是否存在不稳定情况，如果存在，则执行步骤三，如果不存在则不执行步骤三。
[0031]优选地，所述步骤六在栅极按照规格印加电压，测试栅极同源极之间的漏电流。
[0032]本专利技术的积极进步效果在于：本专利技术可以较好的得到稳定、可信赖的DC参数结果，方便测试，提高测试精度和芯片质量。
附图说明
[0033]图1为现有分立器件测试方法的流程图。
[0034]图2为本专利技术分立器件测试方法的流程图。
具体实施方式
[0035]如图2所示，本专利技术分立器件测试方法包括以下步骤：
[0036]步骤一，接触测试；接触测试主要确认探针与分立器件的pad(扎针垫)接触是否良好，接触测试一般采用加电流量测电压的方式，测试时间一般在几毫秒到几百毫秒之间，测试仪根据需求购买。
[0037]步骤二，第一次栅源漏电(lgss)测试；在分立器件的栅极按照规格印加电压，漏极与源极短路，测试栅极同源极之间的漏电流，测试可在几伏到几十伏之间，测试时间一般为几十毫秒。
[0038]步骤三，压力(stress)测试；压力测试主要在分立器件的栅极、漏极、源极并在一定的时间内印加电压或者电流。施加的电压不能超过产品各极的极限电压，施加的电流不得超过产品极限电流。印加电压/电流的时间根据实际产品实验得到，一般在几百毫秒到几
秒之间。
[0039]步骤四，阈值漏电(vth)测试；测试分立器件的开启电压，一般当监测到漏极或源极流过的电流为250uA时，这时栅极的电压为Vth开启电压，测试时间一般为10毫秒左右。
[0040]步骤五，其他测试项目；其他测试项目包括RDSON(导通电阻)导通电阻测试，BV(Breakdown Voltage，击穿电压)击穿电压测试，IDSS漏源极的漏电测试等。
[0041]步骤六，第二次栅源压力(lgss)测试。在栅极按照规格印加电压，测试栅极同源极之间的漏电流，测试可在几伏到几十伏之间，测试时间一般为几十毫秒。
[0042]步骤三执行之前，先判断DC测试结果是否存在不稳定情况，如果存在，则执行步骤三，如果不存在则不执行步骤三。
[0043]步骤三包括以下子步骤：
[0044]步骤三十一，针对厚度为200um～800um之间的晶圆产品在DC测试时，确认并找出某些关键测试项目是否存在重复测试、测试结果不稳定情况；
[0045]步骤三十二，如果存在不稳定情况，则要在测试流程中加入stress测试，stress测试通过针对芯片印加电压、电流，及控制好stress测试时间，经过stress测试后再行其他测试项目；
[0046]步骤三十三，如果存在不稳定情况，找出某个测试项目(参数)由不同的测试条件测试，其测试结果差别较大，以做为验证stress测试成功与否的判断。比如发现BV测试项目在50uA电流条件下测试的结果为BV1，BV项目在10mA电流条件下测试的结果为BV2，BV2
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BV1大于BV1的10本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种分立器件测试方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤一，接触测试；步骤二，第一次栅源漏电测试；步骤三，压力测试；步骤四，阈值测试；步骤五，其他测试项目；步骤六，第二次栅源漏电测试。2.如权利要求1所述的分立器件测试方法，其特征在于，所述压力测试主要在分立器件的栅极、漏极、源极并在一定的时间内印加电压或者电流。3.如权利要求1所述的分立器件测试方法，其特征在于，所述步骤三包括以下子步骤：步骤三十一，针对厚度为200um～800um之间的晶圆产品在DC测试时，确认并找出某些关键测试项目是否存在重复测试、测试结果不稳定情况；步骤三十二，如果存在不稳定情况，则要在测试流程中加入压力测试，压力测试通过针对芯片印加电压、电流，及控制好压力测试时间，经过压力测试后再行其他测试项目；步骤三十三，如果存在不稳定情况，找出某个测试项目由不同的测试条件测试，其测试结果差别较大，以做为验证压力测试成功与否的判断；步骤三十四，如果压力测试后，BV测试项目由不同的测试条件测试，其测试结果没有达到预期结果，则不断改变压力测试条件，直至该项目参数符合预期为止，记录此时的压力测试条件，放在DC测试流程中；步骤三十五，在DC测试流程中加入压力测试和检验压力测试后，验证压力测试成功与否的测试项目，采用这个程序测试晶圆；步骤三十六，通过增加压力测试的程序先测试厚片晶圆，得到...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢晋春，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：