包含电容器的电子装置及相关方法和系统制造方法及图纸

本申请涉及包含电容器的电子装置，以及相关方法和系统。所述电子装置包含邻近于基底材料的一或多个电容器。所述一或多个电容器包括在所述基底材料内水平延伸的至少一个电极以及在所述基底材料内竖直延伸且接触所述至少一个电极的额外电极。所述至少一个电极位于所述基底材料的上部表面下方且与所述上部表面隔离。隔离。隔离。

【技术实现步骤摘要】
包含电容器的电子装置及相关方法和系统
[0001]优先权要求
[0002]本申请案要求2020年12月8日提交的美国专利申请案第17/115,469号“包含电容器的电子装置及相关方法和系统(ELECTRONIC DEVICES INCLUDING CAPACITORS,AND RELATED METHODS AND SYSTEMS)”的提交日的权益。


[0003]本文中所公开的实施例涉及电子装置和电子装置制造。更确切地说，本公开的实施例涉及包含电容器的电子装置且涉及相关方法和系统。

技术介绍

[0004]电子装置设计师通常希望通过减小个别特征的尺寸且通过减小相邻特征之间的距离来增大电子装置内的特征的集成度，其也可被描述为密度。另外，电子装置设计师通常希望设计不仅紧凑而且提供性能优势以及简化设计的架构。减小特征的尺寸和间距增加对用于形成电子装置的方法的需求。一个解决方案为形成三维(3D)电子装置，例如非易失性存储器装置(例如，3D NAND快闪存储器装置)，其中存储器单元竖直定位在衬底上。在这类存储器装置中，电容器用于各种类型的外本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子装置，其包括：一或多个电容器，其邻近于基底材料，所述一或多个电容器包括：至少一个电极，其在所述基底材料内水平延伸，所述至少一个电极位于所述基底材料的上部表面下方且与所述上部表面隔离；以及额外电极，其在所述基底材料内竖直延伸且接触所述至少一个电极。2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述一或多个电容器包括上覆于所述基底材料的所述上部表面的上部电极，所述上部电极使所述额外电极与所述上部电极的基本上横向于所述额外电极的纵向轴线的主表面接触。3.根据权利要求2所述的电子装置，其中所述上部电极的所述主表面与所述至少一个电极的主表面基本上平行。4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的电子装置，其中所述一或多个电容器配置为内埋式双侧电容器。5.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的电子装置，其中所述一或多个电容器包括所述基底材料的水平邻近于所述额外电极的第一相对表面和所述基底材料的竖直邻近于所述至少一个电极的第二相对表面，所述基底材料的所述第二相对表面基本上正交于所述基底材料的所述第一相对表面。6.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的电子装置，其中所述至少一个电极包括第一下部电极和第二下部电极，且所述基底材料的一部分位于所述第一下部电极与所述第二下部电极之间。7.根据权利要求6所述的电子装置，其中所述基底材料的所述上部表面与所述第一下部电极之间的距离为约300nm，且所述基底材料的所述上部表面与所述第二下部电极之间的距离为约600nm。8.一种电子装置，其包括：电容器，其包含栅极电极，所述栅极电极中的每一个包括：上部电极，其邻近于基底材料的上部表面；至少一个下部电极，其在所述基底材料内水平延伸；以及导柱区，其在所述上部电极与所述至少一个下部电极之间在所述基底材料内竖直延伸。9.根据权利要求8所述的电子装置，其进一步包括所述基底材料与所述栅极电极之间的介电材料，所述介电材料的基本上连续部分基本上完全包围所述栅极电极的所述导柱区和所述至少一个下部电极，其中所述上部电极、所述导柱区和所述至少一个下部电极中的每一个通过所述介电材料与所述基底材料电隔离且物理隔离。10.根据权利要求8或权利要求9所述的电子装置，其中所述至少一个下部电极的宽度相对大于所述上部电极的在水平方向上的宽度。11.根据权利要求8或权利要求9所述的电子装置，其中个别栅极电极包括所述上部电极、所述导柱区和所述至少一个下部电极的导电材料的基本上连续部分。12.根据权利要求11所述的电子装置，其中所述基底材料包括硅，且所述栅极电极的所述导电材料包括钨。13.根据权利要求11所述的电子装置，其中所述栅极电极的所述导柱区中的至少一些
包括支撑结构，所述支撑结构包含邻近于所述栅极电极的所述导电材料的绝缘材料。14.一种系统，其包括：处理器，其可操作地耦合到输入装置和输出装...

【专利技术属性】
技术研发人员：K，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：