【技术实现步骤摘要】
薄膜体声波谐振器及滤波器
[0001]本技术涉及谐振器
,具体而言,涉及一种薄膜体声波谐振器及滤波器。
技术介绍
[0002]无线通讯技术的超高速发展和通讯终端的多功能化,对工作在射频频段的器件提出了更高性能的要求。其中,薄膜体声波谐振器可以很好的工作在几百MHz到5
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6GHz的范围,尤其是在高频率的应用中,薄膜体声波谐振滤波器具有高频率、低损耗、低温漂特性、陡峭的滤波器裙边和极高的Q值、工作频率、灵敏度、分辨率、可承受功率容量,小体积以及制备工艺与CMOS兼容的特性,因此,相对于传统的介质陶瓷滤波器和声表面滤波器,薄膜体声波谐振滤波器占据了大部分无线通讯的应用领域。
[0003]在薄膜体声波谐振滤波器中,为了调节滤波器的性能,或者调节带宽,通常会在封装基板中集成电感元件和电容元件,或者通过电极材料层在谐振器有效区域外面添加电感。然而,在基板中集成电感元件或电容元件的方式,需要另外对基板进行设计,且需要在滤波器中预留与基板中集成的电感或者电容相连接的电极板,而且会增大器件的体积;而使用上电极 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种薄膜体声波谐振器,其特征在于,包括基底以及依次设于所述基底上的下电极层、压电层和上电极层;其中,所述基底内具有谐振器的空腔结构,所述下电极层通过穿设于所述压电层内的引出金属引出至所述压电层靠近所述上电极层的一侧,所述基底内集成有电子元器件,所述电子元器件为电容或者电感。2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述薄膜体声波谐振器还包括位于所述压电层和所述上电极层之间的支撑层,所述下电极层依次通过穿设于所述压电层和所述支撑层内的引出金属引出至所述压电层靠近所述上电极层的一侧,所述支撑层上设有第一通孔,所述上电极层通过所述第一通孔与所述压电层互联。3.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述基底包括衬底以及依次形成于所述衬底上的绝缘层和键合层,所述电子元器件位于所述绝缘层内,所述空腔结构位于所述键合层内,且所述电子元器件通过所述键合层分别与所述下电极层和所述上电极层互联。4.根据权利要求3所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述电子元器件为平面电感,所述平面电感位于所述绝缘层内,且一侧与所述衬底接触连接、另一侧与所述键合层互联。5.根据权利要求3所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述绝缘层至少包括层叠设置的第一子绝缘层和第二子绝缘层,所述电子元器件为立体式电感,所述立体式电感包括位于所述第一子绝...
【专利技术属性】
技术研发人员:高超,赵坤丽,蔡耀,詹道栋,龙开祥,林炳辉,孙博文,孙成亮,
申请(专利权)人:武汉敏声新技术有限公司,
类型:新型
国别省市:
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