具有内置电场的电容器制造技术

本文公开了包括内置电场的电容器以及相关的装置和组件。在一些实施例中，电容器可以包括顶部电极区域、底部电极区域、以及在顶部电极区域和底部电极区域之间并与顶部电极区域和底部电极区域接触的电介质区域，其中，电介质区域包括钙钛矿材料，并且顶部电极区域具有与底部电极区域不同的材料结构。有与底部电极区域不同的材料结构。有与底部电极区域不同的材料结构。

【技术实现步骤摘要】
具有内置电场的电容器

技术介绍

[0001]电容器用于许多不同的电子器件设计中。在一些器件中，例如，去耦电容器可以是集成电路(IC)管芯、封装衬底和/或电路板的一部分。
附图说明
[0002]根据结合附图的以下具体实施方式，将容易理解实施例。为了便于描述，类似的附图标记表示类似的结构元件。在附图的各图中，通过示例而非限制的方式示出了各实施例。
[0003]图1
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4是根据各种实施例的具有内置电场的示例电容器的侧视截面图。
[0004]图5是根据本文公开的任何实施例的可以包括电容器的晶圆和管芯的俯视图。
[0005]图6是根据本文公开的任何实施例的可以包括电容器的集成电路(IC)器件的侧视截面图。
[0006]图7是根据本文公开的任何实施例的可以包括电容器的IC封装的侧视截面图。
[0007]图8是根据本文公开的任何实施例的可以包括电容器的IC器件组件的侧视截面图。
[0008]图9是根据本文公开的任何实施例的可以包括电容器的示例电气设备的框图。
具体实施方式r/>[0009]本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路(IC)管芯，包括：电容器，包括：顶部电极区域；底部电极区域；以及电介质区域，在所述顶部电极区域和所述底部电极区域之间并与所述顶部电极区域和所述底部电极区域接触，其中，所述电介质区域包括钙钛矿材料，并且所述顶部电极区域具有与所述底部电极区域不同的材料结构。2.根据权利要求1所述的IC管芯，其中，所述顶部电极区域具有与所述底部电极区域不同的材料成分。3.根据权利要求2所述的IC管芯，其中，所述顶部电极区域包括锗、镧、铪、锆、钇、钡、铅、钙、镁、铍或锂。4.根据权利要求3所述的IC管芯，其中，所述顶部电极区域具有在0.1纳米至5纳米之间的厚度。5.根据权利要求3
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4中任一项所述的IC管芯，其中，所述顶部电极区域是第一顶部电极区域，所述电容器还包括第二顶部电极区域，所述第一顶部电极区域在所述第二顶部电极区域与所述电介质区域之间，并且所述第二顶部电极区域具有与所述第一顶部电极区域不同的材料成分。6.根据权利要求5所述的IC管芯，其中，所述第二顶部电极区域包括钌、铱、铜、钛和氮、钛、金、铂、银、钴、钼或钨。7.根据权利要求5所述的IC管芯，其中，所述第二顶部电极区域具有在5纳米至50纳米之间的厚度。8.根据权利要求1所述的IC管芯，其中，所述顶部电极区域具有与所述底部电极区域相同的材料成分。9.根据权利要求8所述的IC管芯，其中，所述顶部电极区域具有与所述底部电极区域不同的晶相。10.根据权利要求8
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9中任一项所述的IC管芯，其中，所述顶部电极区域具有与所述底部电极区域不同的缺陷密度。11.根据权利要求1所述的IC管芯，其中，所述电容器在所述IC管芯的金属化叠置体中。12.一种集成电路(IC)管芯，包括：电容器，其中，所述电容器包括顶部电极区域、底部电极区域、以及电介质区域，所述电介质区域在所述顶部电极区域和所述底部电极区域之间并与所述顶部电极区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：SC，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：