MIM电容及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种MIM电容及其形成方法，通过在电容上下极板与具有高介电常数的电容介质层之间设置至少一层介质缓冲层，作为高介电常数介质层与上下极板之间的缓冲过渡层，能提供良好的接触界面，降低高介电常数介质层材料带来的高应力以及高应力导致的层间分层缺陷，提高电容击穿电压，从而提高整个电容结构的可靠性，同时维持较高的电容密度，满足高性能芯片的需求。片的需求。片的需求。

【技术实现步骤摘要】
MIM电容及其形成方法


[0001]本专利技术涉及一种MIM电容及其形成方法。

技术介绍

[0002]现有的电容器大致可以分为前道电容和后道电容，前道电容例如MOS电容、PN结电容，后道电容例如MIM（金属层
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绝缘层
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金属层）电容、MOM（金属层
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氧化层
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金属层）电容。其中，MIM电容可以提供较好的频率以及温度相关特性，并且可形成于层间金属以及铜互连制程，降低与CMOS前端工艺整合的困难度及复杂度，因而被广泛用于各种集成电路例如模拟
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逻辑、模拟
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数字、混合信号以及射频电路中。
[0003]MIM电容结构通常如图1所示，包括电容下极板（金属层）101，电容介质层（绝缘层）102以及电容上极板（金属层）103，形成两层金属电极之间夹着绝缘介质层的三明治结构110。
[0004]随着半导体技术集成度和芯片性能要求的提高，对大容量电容的需求也在增加，然而芯片面积随技术发展会不断缩小，每颗芯片表面能提供给电容的相对面积会本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MIM电容的形成方法，其特征在于，包括：依次形成电容下极板、具有高介电常数的电容介质层、电容上极板；于所述电容下极板与电容介质层之间和/或所述电容介质层与电容上极板之间形成至少一层介质缓冲层。2.如权利要求1所述的MIM电容的形成方法，其特征在于，所述介质缓冲层包括钛、钽中的任意一种或其组合。3.如权利要求1所述的MIM电容的形成方法，其特征在于，所述介质缓冲层的厚度为5nm
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15nm。4.如权利要求1所述的MIM电容的形成方法，其特征在于，通过物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积中的任意一种或其组合形成所述介质缓冲层。5.如权利要求1所述的MIM电容的形成方法，其特征在于，所述电容介质层的介电常数大于7。6.如权利要求1所述的MIM电容的形成方法，其特征在于，所述电容介质层包括氧化硅、氮化硅、氧化铪、氧化铝、氧化钽中的任意一种或其组合。7.如权利要求1所述的MIM电容的形成方法，其特征在于，所述电容下极板、电容上极板包括氮化钽、氮硅钽、氮化钛、氮硅钛、氮化钨、铝、铜中的任意一种或其组合。8.如权利要求1所述的MIM电容的形成方法，其特征在于，通过物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积...

【专利技术属性】
技术研发人员：张拥华，李朝勇，贺忻，李明，王保，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：