基于三维集成技术的共模噪声抑制滤波器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于三维集成技术的共模噪声抑制滤波器，包括七个顶部RDL螺旋电感，七个顶部RDL螺旋电感的下方连接四个TSV电容。本发明专利技术能在实现共模噪声基本性能的同时，整体结构紧凑，集成度高。集成度高。集成度高。

【技术实现步骤摘要】
基于三维集成技术的共模噪声抑制滤波器


[0001]本专利技术属于三维集成电路
，涉及一种基于三维集成技术的共模噪声抑制滤波器。

技术介绍

[0002]差分或平衡信号由于地面对外部噪声的良好抗扰性、相邻对之间的小串扰以及信号完整性，已成为高速系统中流行的一种技术。然而，在一个真实的差分信号结构中，存在不可避免的共模(CM)噪声，它会对传输信号产生很大的影响。这种噪声是由信号发射设备的不平衡输出、两个信号路径的不对称或来自相邻信号对的串扰引起。
[0003]在过去的几年中，抑制CM噪声的技术得到了广泛的讨论，包括使用铁氧体材料、接地缺陷结构、以及使用蘑菇状结构等差分线。这些方法都是基于印刷电路板(PCB)、低温共烧陶瓷(LTCC)或铁氧体基板开发的，但由于需要大的水平芯片面积，它们不容易在芯片级或三维芯片结构上实现。
[0004]基于无反射的对称电路网络，通过TSV三维集成技术实现，复杂电路拓扑结构通过三维集成技术将无源器件集成，可以实现紧凑结构，更高集成度。在实现基本性能的同时，减小所占芯片的水平面积。<br/>
技术实现思路
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.基于三维集成技术的共模噪声抑制滤波器，其特征在于：包括七个顶部RDL螺旋电感，七个顶部RDL螺旋电感的下方连接四个TSV电容。2.根据权利要求1所述的基于三维集成技术的共模噪声抑制滤波器，其特征在于：七个所述顶部RDL螺旋电感包括RDL螺旋电感L1、RDL螺旋电感L2、RDL螺旋电感L3、RDL螺旋电感L4、RDL螺旋电感L5、RDL螺旋电感L6、RDL螺旋电感L7；RDL螺旋电感L1、RDL螺旋电感L2、RDL螺旋电感L3、RDL螺旋电感L4、RDL螺旋电感L5、RDL螺旋电感L6、RDL螺旋电感L7的结构相同，均由等厚等宽的RDL旋转而成。3.根据权利要求2所述的基于三维集成技术的共模噪声抑制滤波器，其特征在于：所述螺旋电感包括旋转起始端port1和旋转末端port2。4.根据权利要求2所述的基于三维集成技术的共模噪声抑制滤波器，其特征在于：四个所述TSV电容包括TSV电容C1、TSV电容C2、TSV电容C3、TSV电容C4；TSV电容C1、TSV电容C2、TSV电容C3、TSV电容C4结构相同，所述TSV电容包括电容极板plate1、电容极板plate2、电容极板plate3...

【专利技术属性】
技术研发人员：王凤娟，侯仓仓，余宁梅，杨媛，朱樟明，尹湘坤，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：