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本发明提供一种MIM电容及其形成方法，通过在电容上下极板与具有高介电常数的电容介质层之间设置至少一层介质缓冲层，作为高介电常数介质层与上下极板之间的缓冲过渡层，能提供良好的接触界面，降低高介电常数介质层材料带来的高应力以及高应力导致的层间分...
该专利属于格科微电子（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格科微电子（上海）有限公司授权不得商用。

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