等离子体刻蚀设备及其半导体终点检测观察窗装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种等离子体刻蚀设备及其半导体终点检测观察窗装置。半导体终点检测观察窗装置，包括光路管以及安装在光路管后端的透明观察窗组件，所述光路管在紧靠着前端的位置处配装有透明活动观察窗承接组件，所述透明活动观察窗承接组件中设置有透明活动观察窗组件；所述的透明活动观察窗组件包括透明活动观察窗，所述透明活动观察窗相对于光路管的透光位置可调。因此，本实用新型专利技术解决了频繁停产更换观察窗影响产能的问题。停产更换观察窗影响产能的问题。停产更换观察窗影响产能的问题。

【技术实现步骤摘要】
等离子体刻蚀设备及其半导体终点检测观察窗装置


[0001]本技术涉及一种等离子体刻蚀设备及其半导体终点检测观察窗装置，属于等离子体刻蚀


技术介绍

[0002]半导体设备上，腔室部件上通常会设置一些观察窗用来观察腔室内部的工艺情况。
[0003]半导体设备的终点检测是指在干法刻蚀不同于湿法腐蚀（它对下面的材料没有好的选择比）的情况下，需要进行终点检测来监测刻蚀工艺并停止刻蚀以减小对下面材料的过度刻蚀。
[0004]终点检测一般设置在半导体腔室真空外部，与腔室间设置透明观察窗，透明观察窗固定于腔室上，且密封真空，腔室内等离子体刻蚀反应发射的辉光透过透明观察窗射到终点检测探头上，终点检测通过气体辉光放电中被激发的原子或分子所发出的光可用光发射谱来分析，从而鉴别出该元素。发射的光通过一个带有允许特殊波长的光通过的带过滤器的探测器，从而鉴别出被刻蚀的材料。在等离子体中，发射光的强度与相关元素的相对浓度有关。根据这一点，终点检测器能检测出什么时候刻蚀材料已被刻完并进行下层材料的刻蚀。
[0005]但目前一般的半导体设备腔室本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体终点检测观察窗装置，包括光路管以及安装在光路管后端的透明观察窗组件，其特征在于，所述光路管在紧靠着前端的位置处配装有透明活动观察窗承接组件，所述透明活动观察窗承接组件中设置有透明活动观察窗组件；所述的透明活动观察窗组件包括透明活动观察窗，所述透明活动观察窗相对于光路管的透光位置可调。2.根据权利要求1所述的半导体终点检测观察窗装置，其特征在于，所述的透明活动观察窗承接组件包括有承接管；承接管安装在光路管前端并沿着光路管的径向延伸；所述的透明观察窗组件与透明活动观察窗承接组件之间通过锁定/解锁组件连接成一体；当透明观察窗组件与透明活动观察窗承接组件处于锁定状态时，所述的透明活动观察窗配装于所述的承接管中；当透明观察窗组件与透明活动观察窗承接组件处于解锁状态时，所述的透明活动观察窗能够沿着光路管中光路的垂向相对于所述的承接管移动，直至透明活动观察窗处于承接管中的目标位置。3.根据权利要求2所述的半导体终点检测观察窗装置，其特征在于，所述的透明活动观察窗组件还包括活动推板以及导向柱；所述的承接管上设置有导向套；导向柱与透明活动观察窗均与所述的活动推板固定并相互平行设置；且所述的导向柱配装于所述的导向套中，并通过所述的锁定/解锁组件连接。4.根据权利要求3所述的半导体终点检测观察窗装置，其特征在于，所述承接管的一侧通过转接法兰安装有波纹管，所述透明活动观察...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭颂，王铖熠，刘海洋，李娜，张怀东，陈兆超，胡冬冬，许开东，
申请(专利权)人：北京鲁汶半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：