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本实用新型公开了一种等离子体刻蚀设备及其半导体终点检测观察窗装置。半导体终点检测观察窗装置，包括光路管以及安装在光路管后端的透明观察窗组件，所述光路管在紧靠着前端的位置处配装有透明活动观察窗承接组件，所述透明活动观察窗承接组件中设置有透明活...
该专利属于北京鲁汶半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京鲁汶半导体科技有限公司授权不得商用。

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