用于产生等离子体的设备、用于控制该设备的方法以及包括该设备的用于处理基板的设备技术

公开了一种用于处理基板的设备，该设备可以包括：其中具有用于处理基板的空间的腔室；在腔室中支撑基板的支撑单元；将气体供应到腔室中的气体供应单元；以及将腔室中的气体激发成等离子体状态的等离子体产生单元，其中所述等离子体产生单元可以包括：高频电源；第一天线；第二天线；以及匹配器，所述匹配器连接在高频电源与第一及第二天线之间，其中所述匹配器可以包括向第一和第二天线分配电流的电流分配器，并且所述电流分配器包括：设置在第一天线与第二天线之间的第一电容器；与第二天线串联连接的第二电容器；以及与第二天线并联连接的第三电容器，其中第一电容器和第二电容器可以被提供为可变电容器。以被提供为可变电容器。以被提供为可变电容器。

【技术实现步骤摘要】
用于产生等离子体的设备、用于控制该设备的方法以及包括该设备的用于处理基板的设备


[0001]本专利技术涉及一种用于产生等离子体的设备、一种包括用于产生等离子体的设备的用于处理基板的设备以及一种用于控制用于产生等离子体的设备的方法，并且更具体地，涉及一种用于使用多个天线产生等离子体的设备、一种包括用于使用多个天线产生等离子体的设备的用于处理基板的设备以及一种用于控制用于使用多个天线产生等离子体的设备的方法。

技术介绍

[0002]半导体制造过程可以包括使用等离子体处理基板的过程。例如，在半导体制造过程的蚀刻过程中，可以使用等离子体去除基板上的薄膜。
[0003]为了在基板处理过程中使用等离子体，在处理室中安装能够产生等离子体的等离子体产生单元。根据等离子体产生方法，等离子体产生单元大体划分成电容耦合等离子体型和电感耦合等离子体型。其中，在CCP型源中，两个电极彼此面对地设置在腔室中，并且向两个电极中的任何一个或两个施加RF信号以在腔室中形成电场并产生等离子体。相反，在ICP型源中，在腔室中提供一个或多个线圈并且向线圈施加RF信号以在腔室中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种处理基板的基板处理设备，包括：腔室，在所述腔室中具有用于处理所述基板的空间；支撑单元，所述支撑单元在所述腔室中支撑所述基板；气体供应单元，所述气体供应单元将气体供应到所述腔室中；以及等离子体产生单元，所述等离子体产生单元将所述腔室中的所述气体激发成等离子体状态，其中所述等离子体产生单元包括：高频电源；第一天线；第二天线；以及匹配器，所述匹配器连接在所述高频电源与所述第一天线及所述第二天线之间，其中所述匹配器包括向所述第一天线和所述第二天线分配电流的电流分配器，所述电流分配器包括：第一电容器，所述第一电容器设置在所述第一天线与所述第二天线之间；第二电容器，所述第二电容器与所述第二天线串联连接；以及第三电容器，所述第三电容器与所述第二天线并联连接，其中所述第一电容器和所述第二电容器被提供为可变电容器。2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述第三电容器被提供为固定电容器，并且所述电流分配器设置在所述高频电源、所述第一天线和所述第二天线之间。3.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中，所述电流分配器通过调节所述第一电容器和所述第二电容器的电容而将所述电流分配到所述第一天线和所述第二天线。4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理设备，其中，所述电流分配器通过调节所述第二电容器的所述电容来控制在所述第一天线和所述第二天线中流动的所述电流的电流比。5.根据权利要求4所述的基板处理设备，其中，所述电流分配器通过调节所述第二电容器的所述电容而在所述第一天线和所述第二天线中流动的所述电流之间执行相位控制。6.根据权利要求5所述的基板处理设备，其中，所述电流分配器通过在预定范围内调节所述第一电容器的所述电容来设置谐振范围。7.根据权利要求6所述的基板处理设备，其中，所述第一电容器的电容范围为20pF至25pF或180pF至185pF。8.一种在腔室中产生等离子体的等离子体产生设备，其中在所述腔室中执行处理基板的过程，所述等离子体产生设备包括：高频电源；第一天线；第二天线；以及匹配器，所述匹配器连接在所述高频电源与所述第一天线及所述第二天线之间，其中所述匹配器包括向所述第一天线和所述第二天线分配电流的电流分配器，所述电流分配器包括：
第一电容器，所述第一电容器设置在所述第一天线与所述第二天线之间；第二电...

【专利技术属性】
技术研发人员：O，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：